公司內(nèi)部以及合作開(kāi)發(fā)的七款設(shè)計(jì)工具可以為45W至140W的適配器帶來(lái)高性能650V氮化鎵FET的優(yōu)勢(shì)

加州戈利塔--(新聞稿)-- (美國(guó)商業(yè)資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm (Nasdaq: TGAN)今天宣布推出七款，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設(shè)計(jì)組合包括廣泛的開(kāi)放式框架設(shè)計(jì)選項(xiàng)，覆蓋多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、輸出和功率（45W至140W）。

SuperGaN®技術(shù)的差異化優(yōu)勢(shì) 電源適配器參考設(shè)計(jì)采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、可靠性高和性能強(qiáng)勁的優(yōu)勢(shì)，這些特點(diǎn)已經(jīng)成為T(mén)ransphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對(duì)比分析中，與175毫歐的e-mode氮化鎵器件相比，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過(guò)75℃時(shí)顯示出更低的導(dǎo)通電阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下?lián)碛懈叩男阅堋?

點(diǎn)擊這了解兩種氮化鎵解決方案之間對(duì)比的更多詳情。

電源適配器參考設(shè)計(jì) Transphorm的參考設(shè)計(jì)組合包括五款開(kāi)放框架的USB-C PD參考設(shè)計(jì)，頻率范圍從140到300 kHz。其中包括Transphorm與Silanna Semiconductor合作開(kāi)發(fā)的一款65W有源鉗位反激模式(ACF)參考設(shè)計(jì)，運(yùn)行頻率為140kHz，峰值效率為94.5%。

(1x) 45W適配器參考設(shè)計(jì)采用準(zhǔn)諧振反激模式(QRF)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供24 W/in3的功率密度

(3x) 65W適配器參考設(shè)計(jì)采用ACF或QRF拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供30 W/in3的功率密度

(1x) 100W適配器參考設(shè)計(jì)采用功率因數(shù)校正(PFC)+QRF拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供18 W/in3的功率密度

Transphorm的參考設(shè)計(jì)組合還包括兩款開(kāi)放框架的USB-C PD/PPS參考設(shè)計(jì)，頻率范圍110到140 kHz。Transphorm與Diodes Inc.合作開(kāi)發(fā)了這兩款解決方案，利用該公司的ACF控制器實(shí)現(xiàn)了超過(guò)93.5%的峰值效率。

(1x) 65W適配器參考設(shè)計(jì)采用ACF拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供29 W/in3的功率密度

(1x) 140W適配器參考設(shè)計(jì)采用PFC+ACF拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供20 W/in3的功率密度

Transphorm現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用和技術(shù)銷(xiāo)售副總裁Tushar Dhayagude表示：“Transphorm獨(dú)具優(yōu)勢(shì)，可提供唯一能適用于廣泛應(yīng)用的、涵蓋眾多功率水平的氮化鎵FET組合。我們的電源適配器參考設(shè)計(jì)凸顯出我們的低功率能力。我們提供與控制器無(wú)關(guān)的PQFN和TO-220器件，可以極大地簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。這些優(yōu)勢(shì)以及其他特點(diǎn)有助于客戶快速、輕松地將具有突破性功率效率水平的氮化鎵解決方案推向市場(chǎng)。這正是Transphorm氮化鎵器件的價(jià)值所在。”