PCIM 見(jiàn)證了許多公司與氮化鎵和碳化硅合作。用于電動(dòng)汽車(chē)的半導(dǎo)體和能源革命——所有這一切都是一個(gè)快速發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng)。SiC 和 GaN 器件具有比 Si 高得多的臨界擊穿電壓，允許更薄的漂移層和更高的摻雜濃度。對(duì)于給定的芯片面積和額定電壓，這會(huì)降低導(dǎo)通電阻，從而通過(guò)降低功率損耗提供更高的效率。

氮化鎵

Efficient Power Conversion Corporation 繼續(xù)在 GaN 領(lǐng)域使用低壓、現(xiàn)成的 GaN 晶體管：EPC2071(1.7 mΩ 典型值，100 V)GaN FET。EPC2071 非常適合 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)，包括電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)滑板車(chē)、機(jī)器人、無(wú)人機(jī)和電動(dòng)工具?；顒?dòng)期間，EPC 展示了在激光雷達(dá)和電機(jī)控制方面的多項(xiàng)應(yīng)用。EPC 首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Alex Lidow 強(qiáng)調(diào)了激光雷達(dá)在汽車(chē)領(lǐng)域的重要性。

Wise-integration 利用臺(tái)積電 (TSMC) 提供的合格 650-V GaN/Si 可用技術(shù)，可以管理從器件規(guī)格到系統(tǒng)組裝的工業(yè)化流程。基于 GaN 的產(chǎn)品在同一芯片上集成了具有智能功能的電源開(kāi)關(guān)。功率晶體管為 650-V e 模式，而智能功能包括柵極控制和保護(hù)電路。為了更好地應(yīng)對(duì)電源市場(chǎng)，這家法國(guó)公司將其技術(shù)與由數(shù)字控制運(yùn)行的專(zhuān)利 AC/DC 系統(tǒng)架構(gòu)相結(jié)合。

Eggtronic 和 Navitas Semiconductor 之間的合作伙伴關(guān)系提供了一個(gè)平臺(tái)，用于開(kāi)發(fā)具有行業(yè)領(lǐng)先功率密度的 35-W GaN 基零電壓開(kāi)關(guān) (ZVS) 快速充電器。QuarEgg評(píng)估板將加速電源適配器的開(kāi)發(fā)和實(shí)施。QuarEgg 是一種創(chuàng)新的專(zhuān)有 ZVS 電源架構(gòu)，旨在顯著提高 AC/DC 轉(zhuǎn)換器的效率并減小其尺寸。該架構(gòu)最大限度地提高了性能，最小化了外形尺寸，并提高了 AC/DC 電源方案在從移動(dòng)設(shè)備和筆記本電腦的 USB-C Power Delivery 快速充電器和適配器到揚(yáng)聲器和智能家居助手的電源等應(yīng)用中的可靠性。

與此同時(shí)，Navitas 正在與 10 大移動(dòng) OEM 中的 9 家進(jìn)行量產(chǎn)，到今年年底目標(biāo)是 10 家中的 10 家。手機(jī)充電器的新優(yōu)勢(shì)包括：三星旗艦 Galaxy S22 Ultra 和 S22+ 智能手機(jī)(推薦，45 W 充電速度最快)和小米 AMG Mercedes Formula 1 版本(盒裝，120 W 超快，0% 至 100%僅需 37 分鐘)。該公司還宣布，其采用 GaNSense 技術(shù)的下一代 GaNFast 電源 IC 已用于聯(lián)想新發(fā)布的 Legion C135 GaN 充電器，并在紐約時(shí)代廣場(chǎng)的納斯達(dá)克大廈展出。

垂直GaN也正在進(jìn)入該行業(yè)。NexGen Power Systems 展示了由垂直 GaN 器件驅(qū)動(dòng)的技術(shù)。從超緊湊的筆記本電腦電源適配器到更時(shí)尚、更智能的照明設(shè)計(jì)，從高能效的超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心到續(xù)航里程更長(zhǎng)的電動(dòng)汽車(chē)，NexGen 聲稱(chēng)能夠通過(guò)垂直技術(shù)改變電源方程。

Cambridge GaN Devices (CGD) 正在將其新的 650-V/750-V 功率晶體管器件推向市場(chǎng)。ICeGaN 技術(shù)由一個(gè)功率晶體管組成，該晶體管具有單片集成的智能接口，用于傳感/保護(hù)、易用性和增強(qiáng)的柵極可靠性。您將在下一個(gè) PowerUP 播客中聽(tīng)到 CEO Giorgia Longobardi 的聲音。

QPT 的業(yè)務(wù)發(fā)展顧問(wèn) Richard Ord 展示了用于電機(jī)控制的新模塊 qGaN 驅(qū)動(dòng)器。一些電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的運(yùn)行電量低至 50%，國(guó)際能源署報(bào)告稱(chēng)，可以經(jīng)濟(jì)高效地節(jié)省多達(dá) 25% 的來(lái)自電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的電力。QPT 的 qGaNDrive 模塊可以改變電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的性能，將損耗降低 80%。Ord 表示，qGaNDrive 是一種用于新型電機(jī)驅(qū)動(dòng)的革命性新架構(gòu)。qGaNDrive 使用 QPT 的專(zhuān)利 qDrive、qSense、qADC 和 Zest 技術(shù)創(chuàng)建模塊化電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，OEM 可以輕松切換到現(xiàn)有設(shè)計(jì)。

根據(jù) Innoscience 總經(jīng)理 Denis Marcon 的說(shuō)法，我們正在進(jìn)入 GaN 技術(shù)的新階段，需要提供大批量制造和供應(yīng)安全，以支持所有已經(jīng)出現(xiàn)的基于 GaN 的新應(yīng)用。此外，強(qiáng)烈需要大幅降低 GaN 的價(jià)格，以便人們可以從該技術(shù)中受益，而無(wú)需為此支付高額溢價(jià)。Innoscience 正在通過(guò)成為完全專(zhuān)注于 GaN 技術(shù)的最大集成器件制造商來(lái)滿足這些需求。

IVWorks 重點(diǎn)介紹了其基于深度學(xué)習(xí)的人工智能外延技術(shù)，用于制造 GaN 外延片，這是直流功率器件和 5G 通信設(shè)備的關(guān)鍵材料。外延GaN晶圓具有高效率和高功率輸出的特點(diǎn)，是用于功率和射頻(RF)器件的基礎(chǔ)材料。它用于IT產(chǎn)品中的快速充電器、電動(dòng)汽車(chē)中的電源轉(zhuǎn)換器、5G 基站和國(guó)防雷達(dá)。IVWorks 使用自有的高效環(huán)保外延系統(tǒng)技術(shù)和基于人工智能的生產(chǎn)平臺(tái)，生產(chǎn)用于功率器件的 6 至 8 英寸 GaN-Si 外延片和用于射頻器件的 4 至 6 英寸 GaN-SiC 外延片.

GaN Systems 宣布推出 Phihong 的 280-W GaN 充電器，這是業(yè)界最高功率密度的游戲筆記本電腦電源。飛鴻的 280-W GaN 游戲電源以 160 × 69 × 25-mm 的超緊湊外殼尺寸和 700-g 的輕量化設(shè)計(jì)突出了行業(yè)領(lǐng)先的性能水平。這款充電器比傳統(tǒng)的 280-W 游戲充電器小 50%，輕 30%。GaN Systems 的首席執(zhí)行官 Jim Witham 表示，有了 GaN，“磚”電源的時(shí)代已經(jīng)一去不復(fù)返了。

英飛凌奧地利技術(shù)公司系統(tǒng)創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室的首席首席工程師 Matthias Kasper 重點(diǎn)介紹了下一代 240-W USB-C 充電的硬件演示器。該拓?fù)涫墙诲e(cuò)式圖騰柱和 DCX 和 ZVS 降壓轉(zhuǎn)換器，初級(jí)和次級(jí)分別具有 600-V CoolGaN 和 100-V CoolGaN。通過(guò)外部連接，可以使用先進(jìn)的調(diào)制方法進(jìn)行數(shù)字控制。

Transphorm 應(yīng)用和業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)副總裁 Philip Zuk 強(qiáng)調(diào)了 GaN 和 SiC 的下一個(gè)挑戰(zhàn)，特別是 Transphorm 的下一個(gè)市場(chǎng)，其產(chǎn)品組合包括 JEDEC 中的 650-V 和 900-V 器件，以及AEC-Q101表格和各種包裝。該產(chǎn)品組合的技術(shù)優(yōu)勢(shì)很大程度上是由公司的垂直整合驅(qū)動(dòng)的。這種操作模式在 GaN 半導(dǎo)體行業(yè)中并不常見(jiàn)，它允許 Transphorm 控制其器件的設(shè)計(jì)、外延片(起始材料)和制造工藝。