面對(duì)環(huán)保、能源等社會(huì)問(wèn)題的日益嚴(yán)峻以及半導(dǎo)體電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)革新，ROHM(羅姆)專(zhuān)注功率、電源及模擬技術(shù)，推出電源管理芯片、功率器件等重磅級(jí)產(chǎn)品，助力工業(yè)及汽車(chē)電子領(lǐng)域研發(fā)項(xiàng)目節(jié)能高效，大幅減少開(kāi)發(fā)周期和風(fēng)險(xiǎn)。點(diǎn)擊文末鏈接或掃二維碼，可查看更多相關(guān)資料、申請(qǐng)免費(fèi)樣品等~

新產(chǎn)品介紹 :

SerDes IC系列：

· 用來(lái)傳輸影像的SerDes IC“BU18xMxx-C”：根據(jù)分辨率優(yōu)化傳輸速率，功耗可降低27%;通過(guò)傳輸速率優(yōu)化功能和展頻功能將EMI峰值降低20dB左右;凍結(jié)檢測(cè)功能可以檢測(cè)圖像的凍結(jié)狀態(tài)，提高整個(gè)ADAS系統(tǒng)可靠性。

PMIC BD86852MUF-C：

· 用于攝像頭的PMIC(電源管理IC)“BD86852MUF-C”：僅通過(guò)單個(gè)IC即可進(jìn)行電壓設(shè)置和時(shí)序控制，安裝面積減少約41%;通過(guò)抑制發(fā)熱量，實(shí)現(xiàn)78.6%的高轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)一步降低功耗。

Hybrid IGBT單管(RGWxx65C系列)：

· 內(nèi)置SiC二極管，損耗比以往IGBT產(chǎn)品低67%，為普及中的車(chē)載電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備提供更高性?xún)r(jià)比

· 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，可在車(chē)載和工業(yè)設(shè)備等嚴(yán)苛環(huán)境下使用

AC/DC 轉(zhuǎn)換器IC(BM2P06xMF-Z 系列)：

· 內(nèi)置 730V 耐壓 MOSFET，表貼封裝、可支持高達(dá)45W的輸出功率，有助于降低工廠(chǎng)的安裝成本

· 采用了融入ROHM高耐壓工藝技術(shù)和模擬設(shè)計(jì)技術(shù)的控制電路，待機(jī)功耗比普通產(chǎn)品低90%以上

· 電源電路元器件數(shù)量減少4個(gè)，功率半導(dǎo)體的故障風(fēng)險(xiǎn)更低，電源的可靠性更高

AC/DC轉(zhuǎn)換器IC(BM2SC12xFP2-LBZ)：

· 內(nèi)置1700V SiC MOSFET、可支持高達(dá)48W 輸出功率的小型表貼封裝，有助于削減工廠(chǎng)的安裝成本

· 將散熱板和多達(dá)12個(gè)部件縮減為1個(gè)，在小型化方面具有壓倒性?xún)?yōu)勢(shì)

· 減少開(kāi)發(fā)周期和風(fēng)險(xiǎn)，內(nèi)置保護(hù)功能，可靠性顯著提高

· 搭載的SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)用柵極驅(qū)動(dòng)電路，激發(fā)SiC MOSFET 性能，節(jié)能效果顯著

BD8758xYx-C運(yùn)算放大器：

· 在4種國(guó)際抗擾度評(píng)估測(cè)試中均實(shí)現(xiàn)非常出色的抗干擾性能，可減輕降噪設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)

· 配備高精度仿真模型，可防止實(shí)際試制后返工

充電控制IC(BD71631QWZ):

· 支持需要低電壓充電的全固態(tài)和半固態(tài)電池等新型二次電池的充電，實(shí)現(xiàn)從2.0V到4.7V的寬充電電壓范圍

· 非常適合搭載薄型二次電池應(yīng)用的封裝尺寸，采用ROHM自有封裝技術(shù)的1.8mm×2.4mm×0.4mm薄小型封裝

· 可設(shè)置CCCV*2充電的各項(xiàng)充電特性(充電電流、終止電流等)，為搭載新型二次電池的可穿戴設(shè)備和小而薄的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供理想的充電環(huán)境

MOSFET(QH8Mx5/SH8Mx5系列)：

· 實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻，新工藝±40V耐壓產(chǎn)品Pch部分的導(dǎo)通電阻降低61%，Nch部分的導(dǎo)通電阻降低39%

· 雙極MOSFET，有助于實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化和縮短設(shè)計(jì)周期