現(xiàn)在針對中美問題芯片就顯得十分尷尬,這也讓我們認識到了芯片自主知識產權的重要性，面對西方國家的技術封鎖，我們不斷前行?，F(xiàn)在國內發(fā)展較好的芯片公司包括中芯國際以及臺積電，在芯片代工方面臺積電已經做到了行業(yè)的龍頭地位，所以世界上有很多的企業(yè)是在和臺積電合作的，尤其是在7nm的技術上更是如此。

臺積電現(xiàn)在已經基本壟斷了，7納米技術的芯片，如今已經能夠和韓國的三星以及美國的英特爾公司進行較量，現(xiàn)在臺積電在7nm技術已經遙遙領先，已經占據(jù)了70%的市場份額。現(xiàn)在三星已經在7納米技術上逐漸退出了市場，面對臺積電技術的打壓，三星已經沒有了退路，作為芯片方面的巨頭，尤其是現(xiàn)將啟動2納米工藝，所以已經逐漸拉開了和三星之間的距離。

但是臺積電一直都被國人所詬病，雖然是國企，但是內容是相對復雜的，因為臺積電很多方面的技術都是國外進口的，現(xiàn)在迫于美國的壓力，已經終止了和華為的合作。雖然華為的市場也是很強大的，但是為了多方面的考慮和外界的原因，他們還是選擇了國外市場，現(xiàn)在他們推出了2nm的技術，這一點已經超越了很多的西方公司。

此前有消息稱英特爾已經拿了臺積電3nm一半產能，近日，則有消息稱英特爾現(xiàn)在又要跟臺積電合作開發(fā)2nm工藝。

英特爾不僅可能會將3nm制程工藝交給臺積電代工，同時也開始跟臺積電討論合作開發(fā)2nm工藝。不過這一說法還沒有得到英特爾或者臺積電的證實，考慮到這是高度機密的信息，一時間也不會有官方確認的可能。

據(jù)悉，臺積電3nm的量產時間預計2022年四季度啟動，且首批產能被蘋果和英特爾均分。至于未來的2nm工藝，臺積電將在2nm節(jié)點推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構并采用新的材料，預計會在2025年量產。

近些年我國在芯片領域雖然發(fā)展的比較慢，但是還是取得了一些，讓外界認可自己的成就，比如說我國芯片制造的領頭羊，中芯國際，中芯國際是我國所有研究芯片生產技術的公司中，唯一一個能夠實現(xiàn)14納米芯片量產的公司。

在我國芯片研究領域還有一個比較知名的公司，那就是華虹半導體，但是華虹半導體要實現(xiàn)14納米芯片的量產，那也需要一段時間，所以我國在芯片生產上還是要向其他先進的集團學習，比如說臺積電。

據(jù)了解臺積電的芯片制造工藝是目前最先進的，他們已經能夠實現(xiàn)7納米芯片的生產。臺積電可以說是一個比較大的芯片代工廠，像我國的華為公司，他們研制出來的很多芯片在國內沒有辦法實現(xiàn)量產，所以他們都會交給臺積電來生產。

目前采用了被稱為Intel 7工藝的12代酷睿CPU正在大賣中，出色的性能與同級別競品有了相當大的優(yōu)勢，只不過Intel 7工藝采用了英特爾的10nm工藝，得益于出色的架構設計才有了如此出色的性能。

目前AMD的CPU產品采用了臺積電的7nm工藝，而英特爾才剛剛上的7nm，無論是首發(fā)時間還是工藝水平，英特爾都處于落后水平，而從14nm到14nm+++++長達五年的停滯時間來看，英特爾在更加先進工藝方面出現(xiàn)了很大問題。

雖然英特爾發(fā)布了10nm工藝的CPU，其實英特爾早在2019年就發(fā)布了第一代產品，我們大膽推測英特爾未來還會推出10nm++、10nm+++更多的產品，英特爾想要發(fā)布成熟的7nm產品還要不不短的時間，而對比臺積電的未來規(guī)劃，1nm已經在計劃之中，英特爾已經落后太多。

其實英特爾已經多次在公開場合表示，不排除使用其他公司的先進工藝，早在幾個月前就有消息傳出，英特爾將會使用臺積電3nm工藝，并且已經預定了一般的產能，如果這個消息屬實，那么下一代酷睿以及英特爾高端顯卡產品有很大概率使用3nm工藝。

近日英特爾與臺積電又有緋聞傳出，消息稱臺積電將會與臺積電聯(lián)合開發(fā)2nm工藝，當然這個消息還沒有被官方確認，考慮到臺積電3nm工藝將會在2022年底正式上線，而那個時候也是英特爾、AMD、英偉達發(fā)布全新產品的時間點，臺積電3nm產品預計將會被蘋果和英特爾瓜分。

在先進工藝上，臺積電最近幾年風頭正勁，不過別忘了 Intel 依然是地球上制造工藝最先進的半導體公司之一，未來四年里他們要掌握五代 CPU 工藝，其中相當于 1.8nm 節(jié)點的 18A 工藝將在 2025 年量產。

去年 3 月份， Intel 新上任的 CEO 基辛格宣布了 IDM 2.0 戰(zhàn)略，其中就包括大手筆投資新的晶圓廠， 并快速升級 CPU 工藝，分別是 Intel 7 、 Intel 4 、 Intel 3 及 Intel 20A 、 Intel 18A ， 其中前面三代工藝還是基于 FinFET 晶體管的，從 Intel 4 開始全面擁抱 EUV 光刻工藝。

20A 、 18A 工藝中的 A 代表埃米，是首個進入埃米時代的工藝，差不多等效于其他廠商的 2nm 及 1.8nm 工藝， 而且 20A 開始放棄 FinFET 晶體管，擁有兩項革命性技術， RibbonFET 就是類似三星的 GAA 環(huán)繞柵極晶體管， PoerVia 則首創(chuàng)取消晶圓前側的供電走線，改用后置供電，也可以優(yōu)化信號傳輸。

0A 工藝在 2024 年量產， 2025 年則會量產改進型的 18A 工藝，這次會首發(fā)下一代 EUV 光刻機， NA 數(shù)值孔徑會從現(xiàn)在的 0.33 提升到 0.55 以上。

更重要的是， Intel 的先進工藝未來不僅是自己用，還要對外提供代工服務，要跟臺積電搶市場。 在今天的財報會議上， Intel CEO 基辛格提到了 18A 工藝已經有三個客戶，而且是美國軍方主導的 RAMP-C 防御計劃中的，具體名單現(xiàn)在保密。

預計 Intel 在 2025 年量產 18A 工藝的時候，臺積電也會進入 2nm 節(jié)點，這也是臺積電工藝的一次重要升級，臺積電將在 2nm 節(jié)點推出 Nanosheet/Nanowire 的晶體管架構并采用新的材料。