該LM5175是使用單個(gè)電感器和MOSFET集成所有四個(gè)開關(guān)驅(qū)動器的四開關(guān)降壓-升壓型控制器。

· 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果：

· 器件溫度 1 級：-40℃ 至 +125℃ 的環(huán)境運(yùn)行溫度范圍

· 器件人體模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級 2

· 器件組件充電模式 (CDM) ESD 分類等級 C4B

· 單電感降壓-升壓控制器，用于升壓/降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換

· 寬 VIN 范圍：3.5V 至 42V，最大值為 60V

· 靈活的 VOUT 范圍：0.8V 至 55V

LM5175-Q1 是一款同步四開關(guān)降壓-升壓 DC/DC 控制器，能夠?qū)⑤敵鲭妷悍€(wěn)定在輸入電壓、高于輸入電壓或者低于輸入電壓的某一電壓值上。LM5175-Q1 可在 3.5V 至 42V 的寬輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行（最大值為 60V），支持各類 應(yīng)用。

LM5175-Q1 在降壓和升壓工作模式下均采用電流模式控制，以提供出色的負(fù)載和線路調(diào)節(jié)性能。開關(guān)頻率可通過外部電阻進(jìn)行編程，并且可與外部時(shí)鐘信號同步。

該器件還 具有 可編程軟啟動功能，并且提供 諸如 逐周期電流限制、輸入欠壓鎖定 (UVLO)、輸出過壓保護(hù) (OVP) 和熱關(guān)斷等各類保護(hù)特性。此外，LM5175-Q1 特有 可選擇的連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 或斷續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM)、可選平均輸入或輸出電流限制、可降低峰值電磁干擾 (EMI) 的可選擴(kuò)展頻譜以及應(yīng)對持續(xù)過載情況的可選斷續(xù)模式保護(hù)。

與其他拓?fù)湎啾?，它具有更高的功率和更高的效率，因?yàn)樗哂幸韵聝?yōu)勢：

· 與耦合電感器設(shè)計(jì)相比，單電感器設(shè)計(jì)的尺寸更小，損耗更低。

· 它集成了用于同步 MOSFET 的 MOSFET 驅(qū)動器。同步整流導(dǎo)致比二極管更高的效率。

· SEPIC 或反激式轉(zhuǎn)換器始終在降壓-升壓模式下運(yùn)行。的LM5175在降壓-升壓模式下運(yùn)行，只有當(dāng)輸入電壓接近輸出電壓。當(dāng) V IN不接近 V OUT 時(shí)，LM5175以降壓或升壓模式運(yùn)行。降壓或升壓操作具有較低的峰值電流和均方根電流，因此對于相同的 V IN、V OUT和負(fù)載電流，其損耗低于降壓-升壓操作。

· SEPIC 中的開關(guān)（以及帶有 1:1 變壓器的同步反激式）在關(guān)斷時(shí)間內(nèi)看到 (V IN + V OUT )的反向電壓。在四開關(guān)降壓-升壓中，降壓 FET（圖 2 中的 QH1 和 QL1）看到 V IN，而升壓 FET（圖 2 中的 QH2 和 QL2）在關(guān)斷時(shí)間內(nèi)看到 V OUT。較低電壓的 MOSFET 具有更好的 R DS *Q G特性，從而降低損耗。

圖 2：LM5175四開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

除了支持高功率、高效率的降壓-升壓解決方案外，LM5175還具有輔助設(shè)計(jì)人員的附加功能。帶有可選打嗝模式的逐周期電流限制可降低過載時(shí)的熱應(yīng)力（圖 3）。

圖 3：用于降低熱應(yīng)力的打嗝模式保護(hù)

此外，轉(zhuǎn)換器具有平均電流限制功能，可以準(zhǔn)確限制源電流或負(fù)載電流。此功能對于電池充電或 LED 電流控制特別有用。

圖 4：LM5175平均電流環(huán)路用于控制 LED 串中的電流

該LM5175具有可選的抖動功能，可以通過允許用戶調(diào)節(jié)圍繞其標(biāo)稱值的開關(guān)頻率與EMI幫助。抖動電容器設(shè)置調(diào)制頻率。

圖 5：LM5175中的抖動功能有助于降低 EMI

的LM5175四開關(guān)控制器使高功率，高效率的降壓-升壓的解決方案，在汽車（啟動/停止信息娛樂，LED照明），工業(yè)應(yīng)用（工業(yè)PC，以太網(wǎng)交換機(jī)），通信（功率放大器用品）和其他領(lǐng)域。打嗝模式、平均電流環(huán)路和頻率抖動等附加功能使其成為 DC/DC 設(shè)計(jì)中的強(qiáng)大工具。