Hynix 海力士芯片生產(chǎn)商，源于韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現(xiàn)代內(nèi)存，2001年更名為海力士。海力士半導(dǎo)體是世界第三大DRAM制造商，也在整個(gè)半導(dǎo)體公司中占第九位。2019年9月5日，SK海力士設(shè)在中國無錫的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。

海力士半導(dǎo)體在1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司成立，在1996年正式在韓國上市，1999年收購LG半導(dǎo)體，2001年將公司名稱改為(株)海力士半導(dǎo)體,從現(xiàn)代集團(tuán)分離出來。2004年10月將系統(tǒng)IC業(yè)務(wù)出售給花旗集團(tuán)，成為專業(yè)的存儲(chǔ)器制造商。2012年2月，韓國第三大財(cái)閥SK集團(tuán)宣布收購海力士21.05%的股份從而入主這家內(nèi)存大廠。2019年9月5日，據(jù)韓國《中央日?qǐng)?bào)》報(bào)道，在日本政府限制向韓國出口氟化氫、光刻膠、含氟聚酰亞胺等尖端半導(dǎo)體材料后，SK海力士設(shè)在中國無錫的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。

我們都知道，美方對(duì)于我們中企獲得EUV光刻機(jī)的態(tài)度一直都不怎么友好，并且也有相關(guān)的限制。而就在前段時(shí)間，這個(gè)美方定制的規(guī)則具備了更嚴(yán)重的不確定因素。

起因還是基于韓企一大DRAM存儲(chǔ)企業(yè)SK海力士，想要在無錫工廠擴(kuò)大自己的生產(chǎn)線。而要擴(kuò)大自己的產(chǎn)能就需要引進(jìn)先進(jìn)的EUV光刻機(jī)。不過在這個(gè)時(shí)候，SK海力士卻受到了阻撓，據(jù)悉美方反對(duì)EUV光刻機(jī)以任何一種形式進(jìn)入到中國。

于是就有了這樣一種言論：“光刻機(jī)規(guī)則將被修改，在中國有分廠的外企也將難以獲得EUV光刻機(jī)?！?

不過此事到目前來說美方并沒有明確的規(guī)則發(fā)布，而ASML對(duì)于此事也是不置于評(píng)論。所以我們一時(shí)之間也不知道，這個(gè)規(guī)則是否真的會(huì)被修改，但是從SK海力士的回應(yīng)言論當(dāng)中“他們的中國工廠還有足夠的時(shí)間去洽談獲得EUV光刻機(jī)”可以得知，就目前來說，美方的確有修改光刻機(jī)規(guī)則的打算。而一旦這個(gè)規(guī)則重新被制定，那么SK海力士受到的影響是很明確的。盡管在明確認(rèn)知美方有這個(gè)打算，SK海力士卻有了一個(gè)新的舉動(dòng)。根據(jù)外媒的報(bào)道信息顯示：SK海力士旗下的子公司SK Hynix System IC，將在明年的2月份徹底關(guān)閉在韓國清州的M8工廠，并且將在5月份將所有的設(shè)備全部搬遷到中國的無錫工廠。由此我們不難看出，SK海力士正在加碼中國市場(chǎng)上的布局。

12 月 18 日消息，根據(jù)韓國媒體 Business Korea 消息，一位匿名分析師透露，SK 海力士斥資 90 億美元收購英特爾閃存業(yè)務(wù)計(jì)劃進(jìn)展順利，有望在近期獲得中國有關(guān)部門的批準(zhǔn)。這一收購由于金額巨大，需要眾多國家進(jìn)行反壟斷調(diào)查，此前已經(jīng)順利獲得了美國、韓國、英國當(dāng)局的批準(zhǔn)。

消息人士表示，這一收購交易預(yù)計(jì)最快將于 12 月獲得中國批準(zhǔn)。這 90 億美元的資金將分批交付給英特爾，起初會(huì)付 70 億美元，到 2025 年 3 月 SK 海力士會(huì)支付剩余的 20 億美元。此外，相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)將于 2025 年才能轉(zhuǎn)移完成。

至于為何英特爾要出售其閃存業(yè)務(wù)，了解到，該公司表示將會(huì)籌集資金來推進(jìn)未來有長期增長潛力的項(xiàng)目，包含人工智能、5G 網(wǎng)絡(luò)通信、邊緣計(jì)算等。外媒還表示，AMD 想要收購 Xilinx 賽靈思的計(jì)劃也需要進(jìn)行反壟斷審查，并獲得中國政府批準(zhǔn)。但是這筆交易的進(jìn)展情況未知，預(yù)計(jì)不會(huì)像英特爾、SK 海力士那樣順利。

SK 海力士于去年 10 月推出了全球首款 DDR5 產(chǎn)品，接著又在 1 年零 2 個(gè)月后亮相了最大容量的產(chǎn)品。24Gb DDR5 產(chǎn)品采用了 EUV 工藝的第四代 10 納米級(jí)(1a)技術(shù)，相較第二代 10 納米級(jí)(1y)DDR5 產(chǎn)品單一芯片容量從 16Gb 提升至 24Gb，從而改善了生產(chǎn)效率，其速度提升高達(dá) 33%。

同時(shí)，SK 海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)將其電能損耗量與前一代產(chǎn)品相比減少 25%(驅(qū)動(dòng)相同容量的模組所需系統(tǒng)耗電量為準(zhǔn))，又通過改善生產(chǎn)效率有效減少了能源使用量。公司認(rèn)為通過此產(chǎn)品可期待在碳排放減少層面獲取成就，會(huì)在 ESG 經(jīng)營層面也具有較大意義。

此次新產(chǎn)品將以 48GB(Gigabyte)和 96GB 兩種模組推出，并提供給云(Cloud)數(shù)據(jù)中心。預(yù)計(jì)還將用于人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等大數(shù)據(jù)處理和構(gòu)建元宇宙等高性能服務(wù)器。

英特爾公司數(shù)據(jù)中心與 AI 部門內(nèi)存和 IO 技術(shù)總管 Carolyn Duran 副總裁(Vice President)表示：“英特爾和 SK 海力士進(jìn)行了長期又緊密的合作，此次雙方合作提供的 24Gb 解決方案是為了滿足共同客戶需求的又一個(gè)事跡。24Gb DDR5 提供更高的單一芯片容量，有助于客戶提高就如數(shù)據(jù)分析等因內(nèi)存容量而受限的工作負(fù)載性能，同時(shí)帶來巨大的總擁有成本優(yōu)勢(shì)?！?