系統(tǒng)內(nèi)存是 ram 的同義詞， 是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (random-access memory) 的縮寫(xiě)，它是系統(tǒng)臨時(shí)存儲(chǔ)程序指令和數(shù)據(jù)的主要區(qū)域。ram 中的每個(gè)位置均由一個(gè)稱(chēng)為內(nèi)存地址的號(hào)碼標(biāo)識(shí)。關(guān)閉系統(tǒng)后，ram 中保存的任何數(shù)據(jù)均會(huì)丟失。系統(tǒng)內(nèi)存由物理內(nèi)存以及虛擬內(nèi)存構(gòu)成，當(dāng)物理內(nèi)存在運(yùn)行時(shí)不夠用，系統(tǒng)會(huì)創(chuàng)建虛擬內(nèi)存，虛擬內(nèi)存一般為物理內(nèi)存的1.5~3倍。

隨機(jī)存取所謂“隨機(jī)存取”，指的是當(dāng)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r(shí)，所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置或所寫(xiě)入的位置無(wú)關(guān)。相對(duì)的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(wèn)(Sequential Access)存儲(chǔ)設(shè)備中的信息時(shí)，其所需要的時(shí)間與位置就會(huì)有關(guān)系。它主要用來(lái)存放操作系統(tǒng)、各種應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)等。

易失性當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫(xiě)入一個(gè)長(zhǎng)期的存儲(chǔ)設(shè)備中(例如硬盤(pán))。RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失，而ROM不會(huì)自動(dòng)消失，可以長(zhǎng)時(shí)間斷電保存。

對(duì)靜電敏感正如其他精細(xì)的集成電路，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器對(duì)環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會(huì)干擾存儲(chǔ)器內(nèi)電容器的電荷，引致數(shù)據(jù)流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前，應(yīng)先用手觸摸金屬接地。

訪問(wèn)速度現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器幾乎是所有訪問(wèn)設(shè)備中寫(xiě)入和讀取速度最快的，存取延遲和其他涉及機(jī)械運(yùn)作的存儲(chǔ)設(shè)備相比，也顯得微不足道。

需要刷新(再生)現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器依賴電容器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1(二進(jìn)制)，未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會(huì)漸漸隨時(shí)間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來(lái)的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補(bǔ)流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的易失性。

存儲(chǔ)矩陣由觸發(fā)器排列而成，每個(gè)觸發(fā)器能存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)(0或1)。通常將每一組存儲(chǔ)單元編為一個(gè)地址，存放一個(gè)“字”;每個(gè)字的位數(shù)等于這一組單元的數(shù)目。存儲(chǔ)器的容量以“字?jǐn)?shù)×位數(shù)”表示。地址譯碼器將每個(gè)輸入的地址代碼譯成高(或低)電平信號(hào)，從存儲(chǔ)矩陣中選中一組單元，使之與讀寫(xiě)控制電路接通。在讀寫(xiě)控制信號(hào)的配合下，將數(shù)據(jù)讀出或?qū)懭搿?

根據(jù)存儲(chǔ)單元的工作原理不同， RAM分為靜態(tài)RAM和動(dòng)態(tài)RAM。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)靜態(tài)存儲(chǔ)單元是在靜態(tài)觸發(fā)器的基礎(chǔ)上附加門(mén)控管而構(gòu)成的。因此，它是靠觸發(fā)器的自保功能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)動(dòng)態(tài)RAM的存儲(chǔ)矩陣由動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元組成。動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元利用MOS管的柵極電容來(lái)存儲(chǔ)信息，但由于柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能絕對(duì)等于0，所以電荷保存的時(shí)間有限。為了避免存儲(chǔ)信息的丟失，必須定時(shí)地給電容補(bǔ)充漏掉的電荷。通常把這種操作稱(chēng)為“刷新”或“再生”，因此DRAM內(nèi)部要有刷新控制電路，其操作也比靜態(tài)RAM復(fù)雜。盡管如此，由于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)能做得非常簡(jiǎn)單，所用元件少，功耗低，已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。