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[導(dǎo)讀]雙極性晶體管(英語:bipolar transistor),全稱雙極性結(jié)型晶體管(bipolar junction transistor, BJT),俗稱三極管,是一種具有三個終端的電子器件,由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成,晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動。這種晶體管的工作,同時(shí)涉及電子和空穴兩種載流子的流動,因此它被稱為雙極性的,所以也稱雙極性載流子晶體管。

雙極性晶體管(英語:bipolar transistor),全稱雙極性結(jié)型晶體管(bipolar junction transistor, BJT),俗稱三極管,是一種具有三個終端的電子器件,由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成,晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動。這種晶體管的工作,同時(shí)涉及電子和空穴兩種載流子的流動,因此它被稱為雙極性的,所以也稱雙極性載流子晶體管。這種工作方式與諸如場效應(yīng)管的單極性晶體管不同,后者的工作方式僅涉及單一種類載流子的漂移作用。兩種不同摻雜物聚集區(qū)域之間的邊界由PN結(jié)形成。雙極性晶體管能夠放大信號,并且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用來構(gòu)成放大器電路,或驅(qū)動揚(yáng)聲器、電動機(jī)等設(shè)備,并被廣泛地應(yīng)用于航空航天工程、醫(yī)療器械和機(jī)器人等應(yīng)用產(chǎn)品中。

雙極性晶體管概述

雙極性晶體管是電子學(xué)歷史上具有革命意義的一項(xiàng)發(fā)明,其發(fā)明者威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布喇頓被授予了1956年的諾貝爾物理學(xué)獎。這種晶體管的工作,同時(shí)涉及電子和空穴兩種載流子的流動,因此它被稱為雙極性的,所以也稱雙極性載流子晶體管。這種工作方式與諸如場效應(yīng)管的單極性晶體管不同,后者的工作方式僅涉及單一種類載流子的漂移作用。兩種不同摻雜物聚集區(qū)域之間的邊界由PN結(jié)形成。雙極性晶體管由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成,晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動。以NPN晶體管為例,按照設(shè)計(jì),高摻雜的發(fā)射極區(qū)域的電子,通過擴(kuò)散作用運(yùn)動到基極。在基極區(qū)域,空穴為多數(shù)載流子,電子是少數(shù)載流子。由于基極區(qū)域很薄,這些電子又通過漂移運(yùn)動到達(dá)集電極,從而形成集電極電流,因此雙極性晶體管被歸到少數(shù)載流子設(shè)備。雙極性晶體管能夠放大信號,并且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力,,所以它常被用來構(gòu)成放大器電路,或驅(qū)動揚(yáng)聲器、電動機(jī)等設(shè)備,并被廣泛地應(yīng)用于航空航天工程、醫(yī)療器械和機(jī)器人等應(yīng)用產(chǎn)品中。

NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下,基極-發(fā)射極結(jié)(稱這個PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”)處于正向偏置狀態(tài),而基極-集電極(稱這個PN結(jié)為“集電結(jié)”)則處于反向偏置狀態(tài)。在沒有外加電壓時(shí),發(fā)射結(jié)N區(qū)的電子(這一區(qū)域的多數(shù)載流子)濃度大于P區(qū)的電子濃度,部分電子將擴(kuò)散到P區(qū)。同理,P區(qū)的部分空穴也將擴(kuò)散到N區(qū)。這樣,發(fā)射結(jié)上將形成一個空間電荷區(qū)(也成為耗盡層),產(chǎn)生一個內(nèi)在的電場,其方向由N區(qū)指向P區(qū),這個電場將阻礙上述擴(kuò)散過程的進(jìn)一步發(fā)生,從而達(dá)成動態(tài)平衡。這時(shí),如果把一個正向電壓施加在發(fā)射結(jié)上,上述載流子擴(kuò)散運(yùn)動和耗盡層中內(nèi)在電場之間的動態(tài)平衡將被打破,這樣會使熱激發(fā)電子注入基極區(qū)域。在NPN型晶體管里,基區(qū)為P型摻雜,這里空穴為多數(shù)摻雜物質(zhì),因此在這區(qū)域電子被稱為“少數(shù)載流子”。

從發(fā)射極被注入到基極區(qū)域的電子,一方面與這里的多數(shù)載流子空穴發(fā)生復(fù)合,另一方面,由于基極區(qū)域摻雜程度低、物理尺寸薄,并且集電結(jié)處于反向偏置狀態(tài),大部分電子將通過漂移運(yùn)動抵達(dá)集電極區(qū)域,形成集電極電流。為了盡量緩解電子在到達(dá)集電結(jié)之前發(fā)生的復(fù)合,晶體管的基極區(qū)域必須制造得足夠薄,以至于載流子擴(kuò)散所需的時(shí)間短于半導(dǎo)體少數(shù)載流子的壽命,同時(shí),基極的厚度必須遠(yuǎn)小于電子的擴(kuò)散長度(diffusion length,參見菲克定律)。在現(xiàn)代的雙極性晶體管中,基極區(qū)域厚度的典型值為十分之幾微米。需要注意的是,集電極、發(fā)射極雖然都是N型摻雜,但是二者摻雜程度、物理屬性并不相同,因此必須將雙極性晶體管與兩個相反方向二極管串聯(lián)在一起的形式區(qū)分開來。

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