晶片是LED最主要的原物料之一，是LED的發(fā)光部件，LED最核心的部分，晶片的好壞將直接決定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族復合半導體物質(zhì)構(gòu)成。在LED封裝時，晶片來料呈整齊排列在晶片膜上。

晶片為LED的主要原材料,LED主要依靠晶片來發(fā)光.

主要有砷(AS) 鋁(AL) 鎵(Ga) 銦(IN) 磷(P) 氮(N)鍶(Sr)這幾種元素中的若干種組成.

1.按發(fā)光亮度分:A.一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等.B.高亮度:VG﹑VY﹑SR等C.超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等D.不可見光(紅外線):IR﹑SIR﹑VIR﹑HIRE. 紅外線接收管 :PTF.光電管 : PD2.按組成元素分:A. 二元晶片(磷﹑鎵):H﹑G等B.三元晶片(磷﹑鎵﹑砷):SR﹑HR﹑UR等C.四元晶片(磷﹑鋁﹑鎵﹑銦):SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG等.

晶片外觀晶片形狀為正方形或長方形,上表面有單電極或雙電極,紅光與黃光晶片多數(shù)為單電極晶片,且上表面有正或負極.藍/綠晶片多數(shù)為雙電極,且一般圓形電極為正極.具體電極情況請參照晶片規(guī)格書.

1.晶片廠商名稱: A.光磊(ED) B.國聯(lián)(FPD) C.鼎元(TK) D.華上(AOC)E.漢光(HL) F.AXT G.廣稼2.晶片在生產(chǎn)使用過程中需注意靜電防護.

1.評估流程:來料檢驗==>安排試產(chǎn)==>固晶實驗==>焊線實驗==>老化實驗==>不良分析==>OK/NG2.檢驗項目包括：2.1、來料資料有無規(guī)格書(沒有規(guī)格書不建議盲目的去實驗);2.2、來料的芯片參數(shù)(亮度、電壓、波長等)是否符合規(guī)格要求，外觀(電極位置)是否與規(guī)格書上相同;2.3、尺寸測量：需要采用精確的高倍顯微鏡進行測量，實際尺寸是否符合要求;包括芯片的長、寬、高、電極大小等2.4、電性檢測：VF、IV、WL、IR、極性等實際測試是否符合要求。此項有很多廠商沒有條件測試，建議在試做過程中去做成成品測試(但極性最好先進行確認);3、試產(chǎn)外觀檢查OK后就開始進行排單實驗其他性能是否適合批量投產(chǎn)，排單時準備好相關資料與試產(chǎn)資料4、固晶評估項目：a.PR識別的能力b.氣壓壓力c.頂針高度d.吸嘴大小e.焊頭壓力f.芯片膜的粘性g.產(chǎn)能如何等，h.推力(推后現(xiàn)象)若有問題均要有記錄。焊線評估項目：a.焊線壓力b.功率c.時間d.焊線熱板溫度e.PR識別能力f.弧高g.金球大小h.產(chǎn)能i.拉力大小(斷點位置)若有問題均要有記錄。老化實驗a.電性測試(包括ESD);b.按信賴性實驗標準取材料準備分別做以下實驗：實驗前產(chǎn)品需要編號測試VF/IR/IV/WL性能，產(chǎn)品要與數(shù)據(jù)對應)，實驗一：常溫點亮保存(條件Ta=25±5℃,RH=55±20%RH，20mA通電1000hrs)實驗二：高溫高濕點亮(條件Ta=85+5、-3℃,RH=85%+5、-10%，20mA通電1000hrs)實驗三：冷熱沖擊[條件Ta=85℃(30分鐘)～Ta=25℃(30分鐘)～Ta=-40℃(30分鐘)～Ta=85℃(30分鐘)]其他實驗可以根據(jù)自己的需要進行選擇;實驗過程中每100/168小時測試一次;所有不良品均要分析。