在鍺磁敏晶體管的發(fā)射極一側(cè)用噴砂方法損傷一層晶格，設(shè)置載流子復(fù)合速率很大的高復(fù)合區(qū)r，而在硅磁敏晶體管中未設(shè)置高復(fù)合區(qū)。鍺磁敏晶體管具有板條狀結(jié)構(gòu)，集電區(qū)和發(fā)射區(qū)分別設(shè)置在板條的兩面，而基極設(shè)置在另一側(cè)面上。硅磁敏晶體管具有平面結(jié)構(gòu)，基極均設(shè)置在硅片表面。磁敏晶體管的一個(gè)主要特點(diǎn)是基區(qū)寬度W大于載流擴(kuò)散長(zhǎng)度，因此它的共發(fā)射極電流放大系數(shù)小于1，無電流增益能力。另外，發(fā)射極-基區(qū)-基極是NPP 型或P NN 型長(zhǎng)二極管，即NPP 型或PNN 型磁敏二極管。因此，磁敏晶體管是在磁敏二極管的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)的長(zhǎng)基區(qū)晶體管。

按照磁敏晶體管的基區(qū)中載流子輸運(yùn)情況，基區(qū)可分成兩部分，即從發(fā)射結(jié)注入的載流子輸運(yùn)到集電極的輸運(yùn)基區(qū)部分和注入載流子被復(fù)合的復(fù)合基區(qū)部分。磁敏晶體管加正向磁場(chǎng)時(shí)，由于載流子受洛倫茲力作用向復(fù)合區(qū)r一側(cè)偏轉(zhuǎn)，使集電極收集載流子的數(shù)量減少，同時(shí)在復(fù)合基區(qū)由于復(fù)合區(qū)r的調(diào)制作用，載流子的有效壽命減小。這會(huì)引起兩種結(jié)果:1、在發(fā)射極-基極偏壓恒定的條件下，發(fā)射結(jié)注入量減少;2、載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度縮小，相當(dāng)于基區(qū)寬度增加。因此，磁敏晶體管的集電極電流進(jìn)一步減小。在磁敏晶體管上加反向磁場(chǎng)B-時(shí)，載流子背離復(fù)合區(qū)向它的反方向偏轉(zhuǎn)，使集電極收集載流子的數(shù)量增加，同時(shí)在復(fù)合基區(qū)由于復(fù)合區(qū)的調(diào)制作用，載流子有效壽命增加，進(jìn)一步促使集電極電流增大。因此，磁敏晶體管雖然無電流增益能力，但它的集電極電流隨外加磁場(chǎng)增加或減少，具有正向或負(fù)向磁靈敏度。在磁感應(yīng)強(qiáng)度為0.1特的磁場(chǎng)中，在規(guī)定基極電流下，磁敏晶體管集電極電流的相對(duì)變化量即為集電極電流相對(duì)磁靈敏度，單位為%/0.1特。鍺磁敏晶體管的集電極電流相對(duì)磁靈敏度為20%/0.1特左右，而硅磁敏晶體管的集電極電流相對(duì)磁靈敏度為5%～15%/0.1特。

磁敏三極管由鍺材料或硅材料制成。它是在高阻半導(dǎo)體材料上制成P-N結(jié)構(gòu)，在發(fā)射區(qū)的一側(cè)用噴砂等方法破壞一層晶格，形成載流子高復(fù)合區(qū)。元件采用平板結(jié)構(gòu)，發(fā)射區(qū)和集電區(qū)設(shè)置在它的上、下表面。選用歐姆檔的R*100(或R*1K)檔，先用紅表筆接一個(gè)管腳，黑表筆接另一個(gè)管腳，可測(cè)出兩個(gè)電阻值，然后再用紅表筆接另一個(gè)管腳，重復(fù)上述步驟，又測(cè)得一組電阻值，這樣測(cè)3次，其中有一組兩個(gè)阻值都很小的，對(duì)應(yīng)測(cè)得這組值的紅表筆接的為基極，且管子是PNP型的;反之，若用黑表筆接一個(gè)管腳，重復(fù)上述做法，若測(cè)得兩個(gè)阻值都小，對(duì)應(yīng)黑表筆為基極，且管子是NPN型的。因?yàn)槿龢O管發(fā)射極和集電極正確連接時(shí)β大(表針擺動(dòng)幅度大)，反接時(shí)β就小得多。因此，先假設(shè)一個(gè)集電極，用歐姆檔連接，(對(duì)NPN型管，發(fā)射極接黑表筆，集電極接紅表筆)。測(cè)量時(shí)，用手捏住基極和假設(shè)的集電極，兩極不能接觸，若指針擺動(dòng)幅度大，而把兩極對(duì)調(diào)后指針擺動(dòng)小，則說明假設(shè)是正確的，從而確定集電極和發(fā)射極。

1、磁敏晶體管集電極電流隨磁場(chǎng)按指數(shù)律變化，在磁感應(yīng)強(qiáng)度0.1～0.2特范圍內(nèi)，集電極電流隨磁場(chǎng)的變化近似線性關(guān)系。2、鍺磁敏晶體管集電極電流的溫度系數(shù)很大，在環(huán)境溫度50℃以上時(shí)，集電極電流急劇增加。硅磁敏晶體管集電極電流的溫度特性較好，具有負(fù)的溫度系數(shù)，在-50～100℃范圍內(nèi)。3、鍺磁敏晶體管用合金燒結(jié)和噴砂等工藝制成。硅磁敏晶體管用硅平面工藝制成，容易集成化，可以采用差分式集成溫度補(bǔ)償電路。這種差分電路的集電極電流相對(duì)磁靈敏度為單個(gè)硅磁敏晶體管正向和負(fù)向磁靈敏度之和。4、磁敏晶體管集電極電流相對(duì)磁靈敏度比霍爾器件高1～2個(gè)數(shù)量級(jí)。但是，磁敏晶體管的輸出電壓線性度不如霍爾器件。和普通晶體管的伏安特性曲線類似。