手機(jī)性能將更強(qiáng)悍!,西數(shù)全球首發(fā)96層3D NAND嵌入閃存
西部數(shù)據(jù)推出嵌入式閃存盤(pán)
WD為應(yīng)對(duì)大數(shù)據(jù)時(shí)代,將推出iNAND嵌入式閃存
閃迪SandiskiNAND資料
iNAND芯片資料
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RV3576系統(tǒng)定制和調(diào)試
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