KYOCERA AVX和VisIC Technologies擴大合作,開展下一代電動汽車應用GaN技術開發(fā) 耐斯茲敖那、以色列和薩爾茨堡和奧地利2022年10月27日 /美通社/ -- 結合KYOCERA AVX在分立和模塊封裝方面...
汽車應用氮化鎵(GaN)解決方案公司VisIC Technologies LTD宣布: Dieter Liesabeths將加入公司,擔任產品高級副總裁。在過去的10年里,他在Wolfspeed GmbH擔任高級總監(jiān),并建立了汽車部門。(能動Nengdong)...
(全球TMT2022年10月12日訊)作為汽車應用氮化鎵(GaN)解決方案的全球領導者,VisIC Technologies LTD公司宣布: Dieter Liesabeths將加入公司,擔任產品高級副總裁。Dieter在半導體行業(yè)擁有超過30年的豐富經驗,他的加入將推動氮化...
以色列耐斯茲敖那2022年10月12日 /美通社/ -- 作為汽車應用氮化鎵(GaN)解決方案的全球領導者,VisIC Technologies LTD公司很高興地宣布: Dieter Liesabeths將加入公司,擔任產...
據業(yè)內消息,ST昨日宣布將在意大利投資落地一個整合式SiC襯底制造廠,用來滿足客戶對汽車及工業(yè)SiC組件與日俱增的需求,同時協(xié)助其向電氣化邁進并達到更高效率。據悉這座工廠預計2年后開始投產,建成后將成為歐洲第一座6寸大型SiC襯底生產基地。
據業(yè)內消息,近日安森美在捷克共和國的SiC工廠的擴建落成,捷克的工業(yè)和貿易部科長、茲林州州長以及市長等政府官員出席了剪彩儀式,安森美表示工廠將在未來兩年內將SiC晶圓產能提高16倍以滿足急劇增長的微芯片需求。
據業(yè)內消息,近日中國移動公布了之前非骨架式帶狀光纜集中采集的中標信息,其中長飛、中天、亨通、烽火、富通等十家廠商入圍;中國臺灣鴻海科技集團下的竹科6英寸廠已經生產出SiC電子元件,目前正在進行車規(guī)認證,預計2023年會排產。
據業(yè)內消息,近日位于上海臨港的天岳SiC半導體材料項目已經成功封頂,6英寸SiC導電襯底生產目前已經進行小批量交付;注冊資本一千萬,由寧德時代和寧德新能源科技有限公司等間接共同持股的中科邦普循環(huán)科技創(chuàng)新有限公司成立。
據業(yè)內消息,Wolfspeed近日表示將投資數十億美金在美國北卡羅來納州查塔姆縣建造采用領先前沿技術的SiC材料制造工廠,此工廠預計將提升現(xiàn)有SiC產能十倍,用于支持Wolfspeed未來長期的戰(zhàn)略增長,建成后將成為世界上最大的SiC工廠,也會進一步加快SiC半導體在未來世界終端市場應用。
開關、電阻器和MOSFET的并聯(lián)連接的目的是劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更大功率的設備。它們可以并聯(lián)以增加輸出電流的容量。因為它們不受熱影響不穩(wěn)定性,并聯(lián)連接通常比其他更過時的組件更簡單,更不重要。碳化硅MOSFET也可以與其他同類器件并聯(lián)使用。多個單元之間的簡單并聯(lián)在正常條件下工作良好,但在與溫度、電流和工作頻率相關的異常事件中,操作條件可能變得至關重要。因此,必須采取一定的預防措施來創(chuàng)建防故障電路,以便它們能夠充分利用功率器件并聯(lián)所提供的優(yōu)勢。
在新能源汽車、5G通訊、光伏儲能等終端應用的發(fā)展下,SiC/GaN等第三代半導體材料水漲船高,成為時下最火熱的發(fā)展領域之一。為全面梳理第三代半導體行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、面臨的瓶頸以及技術突破的方向,TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體市場、全球半導體觀察于2022年8月9日,在深圳福田JW萬豪酒店舉辦2022集邦咨詢第三代半導體前沿趨勢研討會。
今年上半年中國汽車工業(yè)運行數據出爐,據中汽協(xié)數據顯示,上半年新能源汽車產銷分別達到266.1萬輛和260萬輛,同比增長均為1.2倍,市場占有率達到21.6%??梢哉f,汽車電氣化的趨勢已經成為一種業(yè)界的共識。
7 款 D2PAK 表貼器件提供出色的靈活性
Jul. 14, 2022 ---- 為進一步提升電動汽車動力性能,全球各大車企已將目光鎖定在新一代SiC(碳化硅)功率元件,并陸續(xù)推出了多款搭載相應產品的高性能車型。據TrendForce集邦咨詢研究,隨著越來越多車企開始在電驅系統(tǒng)中導入SiC技術,預估2022年車用SiC功率元件市場規(guī)模將達到10.7億美元,至2026年將攀升至39.4 億美元。
電動汽車 (EV) 和混合動力電動汽車 (HEV) 正在尋找提高功率轉換效率的解決方案。 長期以來,大多數電子功率器件都是基于硅的,硅是一種可以在加工過程中幾乎不會產生任何缺陷的半導體。然而,硅的理論性能現(xiàn)在幾乎已經完全實現(xiàn),突出了這種材料的一些局限性,包括有限的電壓阻斷能力、有限的傳熱能力、有限的效率和不可忽略的傳導損耗。與硅相比,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 半導體具有更出色的性能:更高的效率和開關頻率、更高的工作溫度和更高的工作電壓。
在本文中,我們分析了一些碳化硅和氮化鎵 FET器件的靜態(tài)和動態(tài)行為。公司正在將精力集中在這些類型的組件上,這些組件允許創(chuàng)建高效轉換器和逆變器。
本文追溯了電力電子的歷史,可追溯到硅MOSFET仍用于驅動強大的電子負載時。讓我們通過描述、應用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界,了解電子世界是如何在短短幾年內發(fā)生巨大變化的,因為新的 SiC 和 GaN MOSFET 的發(fā)現(xiàn)和開發(fā)。
電動和混合動力汽車的設計人員致力于提高能量轉換效率,這些設備具有緊湊的封裝和高熱可靠性電力電子模塊的組裝,并降低了開關損耗。
隨著云計算、超大規(guī)模數據中心、5G應用和大型設備的不斷發(fā)展,市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位,且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展,設計人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權衡取舍的挑戰(zhàn),安森美(onsemi)基于新一代半導體材料碳化硅(SiC)的方案,有助于變革性地優(yōu)化UPS設計。
PCIM Europe德國紐倫堡電力電子系統(tǒng)及元器件展,創(chuàng)辦于1979年,每年一屆,至今已經有30多年的歷史。該展是歐洲電力電子及其使用范疇、智能運動和電能質量最具影響力的博覽會,也是全球最大的功率半導體展會。PCIM Europe以其高質量的專業(yè)觀眾,成為享譽電力電子行業(yè)的專業(yè)國際性展會。