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全新一代FeRAM，堆疊技術(shù)與QSPI加持實(shí)現(xiàn)更高速更大容量體驗(yàn)
FeRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）最為獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在于它結(jié)合了非易失性和高速寫(xiě)入性能，這種特性是其他存儲(chǔ)器無(wú)法同時(shí)具備的。與傳統(tǒng)的DRAM雖然都能實(shí)現(xiàn)高速讀寫(xiě)，但后者在斷電后會(huì)丟失數(shù)據(jù)；而與Flash相比，盡管都具有非易失性，F(xiàn)lash的寫(xiě)入速度卻遠(yuǎn)不及FeRAM。因此，F(xiàn)eRAM在能夠保存數(shù)據(jù)的同時(shí)，還能實(shí)現(xiàn)幾乎瞬時(shí)的寫(xiě)入操作，成為存儲(chǔ)技術(shù)中獨(dú)一無(wú)二的存在。
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ZYNQ QSPI Flash分區(qū)設(shè)置與啟動(dòng)配置
在當(dāng)今的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，Zynq平臺(tái)憑借其強(qiáng)大的處理能力和FPGA的靈活性，成為了眾多開(kāi)發(fā)者的首選。而QSPI Flash作為Zynq平臺(tái)中常用的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其分區(qū)設(shè)置與啟動(dòng)配置對(duì)于系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能至關(guān)重要。本文將深入探討Zynq平臺(tái)下QSPI Flash的分區(qū)設(shè)置與啟動(dòng)配置，從理論到實(shí)踐，為開(kāi)發(fā)者提供全面的指導(dǎo)。
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談?wù)剬?duì)HC32F460芯片的QSPI理解
近在學(xué)習(xí)華大的HC32F460這個(gè)芯片，今天想說(shuō)說(shuō)我對(duì)QSPI的理解。
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同步隊(duì)列串行接口QSPI的研究與應(yīng)用
MCU同外部設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸有兩種方式，一種是并行數(shù)據(jù)傳輸方式，另一種是串行數(shù)據(jù)傳輸方式。串行數(shù)據(jù)傳輸方式信號(hào)線少，協(xié)議簡(jiǎn)單，在長(zhǎng)距離、低速率的傳輸中得到廣泛應(yīng)用，常
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教你如何在板載的QSPI Flash中存儲(chǔ)比特流配置文件和應(yīng)用程序
如何從Flash啟動(dòng)嵌入式系統(tǒng)以Arty A7開(kāi)發(fā)板為例手把手教你實(shí)現(xiàn)在諸多關(guān)于MicroBlaze軟核處理器的例程中，往往都是使用JTAG下載然后借助SDK執(zhí)行程序代碼。然而無(wú)論是在項(xiàng)目展
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