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先進半導(dǎo)體IGBT圓片產(chǎn)量突破45萬片
上海先進半導(dǎo)體制造股份有限公司(“上海先進”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。 令人鼓舞的是，
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上海先進IGBT2-1200V圓片突破45萬片
上海先進半導(dǎo)體制造股份有限公司(“上海先進”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。令人鼓舞的是，近
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上海先進成功突破45萬片IGBT2-1200V圓片的制造
上海先進半導(dǎo)體制造股份有限公司(“上海先進”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。 令人鼓舞的
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上海先進IGBT2-1200V圓片突破45萬片
上海先進半導(dǎo)體制造股份有限公司(“上海先進”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。令人鼓舞的是，近
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中國IGBT市場銷售額四年后將翻一倍
據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費領(lǐng)域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。2010年銷售額為
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中國IGBT市場銷售額四年后將翻一倍
據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費領(lǐng)域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。2010年銷售額為5.897億美元
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英飛凌投資1.6億美元擴大馬來西亞產(chǎn)能
英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴大其在馬來西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對其生產(chǎn)設(shè)施進行升級。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新
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MOSFET恐慌性“缺貨”引發(fā)大量盲目訂單
缺貨嗎？不缺；不缺貨？缺。這次由日本地震引起的內(nèi)存，數(shù)碼產(chǎn)品以及被動器件的缺貨和供應(yīng)鏈受阻一直讓半導(dǎo)體廠商揪心，對此，業(yè)內(nèi)人士表示由于原廠和分銷代理商還有一定庫存，真正的缺貨可能2-3月后才突現(xiàn)出來，但
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英飛凌增強IGBT產(chǎn)能，將向馬來西亞生產(chǎn)線投資1.6億美元
德國英飛凌科技(Infineon Technologies AG)宣布，將在2011年內(nèi)向馬來西亞的馬六甲工廠投資1億6000萬美元。用于更新和增設(shè)工廠的研發(fā)設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備。由此，IGBT（insulated gate bipolar transistor）等的封裝組裝工
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英飛凌投資1.6億美元擴大馬來西亞產(chǎn)能
英飛凌(Infineon)科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴大其在馬來西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對其生產(chǎn)設(shè)施進行升級。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新增
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英飛凌投資擴大馬來西亞產(chǎn)能擴展亞洲業(yè)務(wù)
英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴大其在馬來西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對其生產(chǎn)設(shè)施進行升級。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新增350個就業(yè)
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MOSFET恐慌性“缺貨”引發(fā)大量盲目訂單
缺貨嗎？不缺；不缺貨？缺。這次由日本地震引起的內(nèi)存，數(shù)碼產(chǎn)品以及被動器件的缺貨和供應(yīng)鏈受阻一直讓半導(dǎo)體廠商揪心，對此，業(yè)內(nèi)人士表示由于原廠和分銷代理商還有一定庫存，真正的缺貨可能2-3月后才突現(xiàn)出來，但
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MOSFET恐慌性“缺貨”引發(fā)大量盲目訂單
缺貨嗎？不缺；不缺貨？缺。這次由日本地震引起的內(nèi)存，數(shù)碼產(chǎn)品以及被動器件的缺貨和供應(yīng)鏈受阻一直讓半導(dǎo)體廠商揪心，對此，業(yè)內(nèi)人士表示由于原廠和分銷代理商還有一定庫存，真正的缺貨可能2-3月后才突現(xiàn)出來，但
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英飛凌投資1.6億美元進一步擴大馬來西亞產(chǎn)能
21ic訊 英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴大其在馬來西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對其生產(chǎn)設(shè)施進行升級。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新增35
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華潤微電子1200V IGBT工藝平臺開發(fā)成功
華潤微電子有限公司（后簡稱“華潤微電子”）宣布其附屬公司華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺
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華潤微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺開發(fā)成功
華潤微電子有限公司（后簡稱“華潤微電子”）宣布其附屬公司華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺，各項參數(shù)均達到設(shè)計要求，成
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PCIM-Asia優(yōu)質(zhì)廠商引領(lǐng)IGBT市場格局
在PCIM-Europe上，匯聚了電力電子行業(yè)各領(lǐng)域的企業(yè)，而中國方面，PCIM看上去就像一場IGBT功率模塊廠商的聚會。中國IGBT市場方興未艾。在2009年，IGBT在功率半導(dǎo)體的市場份額為7.1%。隨著全球低碳，節(jié)能概念的普及，I
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電力變換裝置中短路保護電路的設(shè)計
摘要：為了使電力變換裝置能夠安全可靠地工作，在分析其短路保護設(shè)計方法的基礎(chǔ)上，給出了幾種實用的電流保護電路，并對其工作機理進行了詳盡的剖析，以便變通使用。 關(guān)鍵詞：電力變換；過流保護；短路保護；軟關(guān)斷；
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IGBT焊接電源方案及炸管對策
實用IGBT焊接電源方案及炸管對策!逆變電焊機=逆變焊接電源+焊接裝置.只要做好逆變焊接電源,那么系列產(chǎn)品就迎刃而解.影響逆變焊接電源可靠性的主要問題是“炸管”! 為了研究“炸管“! 首先
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瑞薩將上市SiC功率半導(dǎo)體
瑞薩電子計劃上市SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體。耐壓600V的SiC肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開始樣品供貨。除了空調(diào)等白色家電外，預(yù)計還可用于通信基站和服務(wù)器等配備的PFC(功率因
