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下一話題 深紫外LED發(fā)光？
1997年，日亞化學成功研發(fā)世界首個發(fā)光波長為371 nm的GaN基紫外發(fā)光LED。2003年，美國SETi公司開發(fā)出波長為280 nm的A1GaN基深紫外LED。2014年10月24日，諾貝爾物理學獎獲得者之一天野浩在記者見面會上介紹了自己正在
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Soraa新建GaN LED制造廠
美國公司Soraa計劃在紐約錫拉丘茲開設(shè)一家半導(dǎo)體制造工廠。該公司將與紐約州達成合作，共同新建一家先進的氮化鎵基板(GaN on GaN)LED制造工廠。據(jù)悉，新工廠將雇用數(shù)百名工人。 在與紐約州立大學納米科學與工程學院的
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深紫外LED研究進展與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用分析
隨著LED技術(shù)不斷發(fā)展，其發(fā)光波長已經(jīng)由可見光波段拓展到深紫外波段，其技術(shù)逐漸成熟和成本下降將使得紫外LED應(yīng)用更加廣泛，甚至可能超越目前的藍光LED。從深紫外LED的發(fā)光
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LED價格半年下降近50% 四大趨勢帶來行業(yè)發(fā)展新機遇
2015中國LED供應(yīng)鏈大會在馬鞍山召開。本次大會以“推動聯(lián)合、促進創(chuàng)新”為主題，來自行業(yè)主管部門領(lǐng)導(dǎo)、協(xié)學會專家、企業(yè)高層的百余人圍繞一系列產(chǎn)業(yè)熱點問題進行
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IDC預(yù)測，亞太地區(qū)物聯(lián)網(wǎng)市場可能會顛覆
根據(jù)IDC最新研究結(jié)果顯示，截至2020年，全球?qū)⒂?95億個裝置被連結(jié)，進而創(chuàng)造高達1.7兆美金的物聯(lián)網(wǎng)市場規(guī)模。其中，透過串接人、流程、事(裝置)與資料就能創(chuàng)造6,780億美金的市場商機。 IDC亞太區(qū)行動化與物聯(lián)網(wǎng)研究
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實時功率GaN波形監(jiān)視
功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設(shè)計人員工具箱內(nèi)令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關(guān)頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。 RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術(shù)，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監(jiān)視的必要性。
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Qorvo在升級DOCSIS3.1中結(jié)合GaN on SiC及先進的封裝技術(shù)從而降低成本，增加帶寬并節(jié)省電路板空間
移動設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo，Inc.(納斯達克代碼：QRVO)今日宣布推出一系列創(chuàng)新產(chǎn)品，旨在加速高速有線電視 (CATV) DOCSIS 3.
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司擴大面向無線電源充電應(yīng)用的超小型及低成本eGaN FET產(chǎn)品系列
EPC2037增強型氮化鎵功率晶體管(100 V、1 A、550 mΩ)由一個數(shù)字驅(qū)動器直接驅(qū)動，于采用D類及E類放大器拓撲的無線充電應(yīng)用中可以實現(xiàn)高頻開關(guān)及特別優(yōu)越的性能。
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如何充分發(fā)揮電氣化優(yōu)勢 商用車是未來發(fā)展重點
隨著人們對于環(huán)境保護問題變得越來越重視，汽車的電氣化工作也被逐漸提上了日程。由于電動汽車在實際應(yīng)用過程中不僅具有稅收方面的優(yōu)勢，而且其還具有零排放零污染等特點。
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如何充分發(fā)揮電氣化優(yōu)勢 商用車是未來發(fā)展重點
隨著人們對于環(huán)境保護問題變得越來越重視，汽車的電氣化工作也被逐漸提上了日程。由于電動汽車在實際應(yīng)用過程中不僅具有稅收方面的優(yōu)勢，而且其還具有零排放零污染等特點。
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Qorvo推出一款極具成本效益的高性能Ka波段 3W GaN功率放大器
21ic訊 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo, Inc.(納斯達克代碼：QRVO)日前宣布推出一款極具成本效益的高性能 Ka 波段 3W GaN 功率放大器，用于傳輸高速互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)的商用 VSAT 衛(wèi)
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Qorvo GaN產(chǎn)能即將實現(xiàn)翻倍
21ic訊 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo, Inc.(納斯達克代碼：QRVO)今日宣布，已成功地將專有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)擴展用于在6英寸晶圓上生產(chǎn)單片微波集
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基于電流非隔離降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計使用的eGaN FETs
設(shè)計和建造隔離，降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器在可實現(xiàn)標準的5伏輸出使用硅MOSFET但具有有限的性能寬輸入電壓范圍和高輸出電流，特別是在低負荷和高輸入電壓。更重要的是，硅成熟，從寬
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Modelithics 和 Qorvo 大力擴展 GaN RF 仿真模型庫
21ic訊 Modelithics, Inc. 和 Qorvo 宣布，近期將擴展用于 Qorvo GaN 晶體管的 Modelithics™ 高精度非線性模型庫。當前的 GaN 模型版本 (v1.5) 廣受歡迎并具有 29 種封裝器件及裸芯片晶體管模型。新計劃將增加
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粗心科學家偶然發(fā)現(xiàn)將電池續(xù)航時間提升數(shù)倍方法
電池續(xù)航和充電一直都是我們腦海中揮之不去的東西。我們總是在尋找可以充電的地方，生怕自己的智能手機沒電了，而電池續(xù)航表現(xiàn)也一直都是我們購買新手機考慮的一個重要因素
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為何諾貝爾獎得主力薦紫光LED？
當初因發(fā)明藍色LED而獲取2014年諾貝爾物理學獎的中村修二，研討會時表示，“使用藍色LED的白色LED早晚會消失。”如今一舉“推翻”自己的研究成果，或許是出于對自己創(chuàng)立的Soraa公司主推紫色LED的
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EPC 推出高功率密度的增強型氮化鎵((eGaN)功率晶體管 EPC2039
全新eGaN FET (EPC2039)具備優(yōu)越性能、大功率及采用超小型封裝的優(yōu)勢，其價格也可以支付得起。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2039功率晶體管。該產(chǎn)品是一種具備高功率密度的增強型氮化鎵((eGaN)功率晶體管，其尺寸只是1.82 mm2、80 VDS、6.8 A及在柵極上施加5 V電壓時的最大阻抗為 22 mΩ。 由于它在超小型封裝內(nèi)具備高開關(guān)性能，因此它在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)具備高性能優(yōu)勢。
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GaN（氮化鎵）將推動電源解決方案的進步
實現(xiàn)更加高效的電力轉(zhuǎn)換是應(yīng)對當前增長的人口和能源需求的一個關(guān)鍵技術(shù)目標。能夠有效推動這一目標達成的重要創(chuàng)新就是在電源應(yīng)用中使用氮化鎵 (GaN)。GaN是一種已經(jīng)成熟的
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技術(shù)前沿：TI加快GaN技術(shù)的推廣應(yīng)用
在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢以及如何應(yīng)對未來挑戰(zhàn)等問題。21ic訊 相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓全新的電源應(yīng)用在同等的
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TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊
21ic訊 全集成GaN FET功率級原型機幫助電源設(shè)計人員迅速了解GaN的極致優(yōu)勢近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內(nèi)的
