在制程工藝上,Intel從2015年到現在一直在魔改14nm工藝,10nm工藝說是今年6月份量產了,但在時間進度上確實要比臺積電等公司落后了,AMD今年都出7nm的CPU和顯卡了。今年5月份的投資會議
眼下,臺積電和三星都在全力沖刺5nm工藝,這將是7nm之后的又一個重要節(jié)點,全面應用EUV極紫外光刻技術,提升效果會非常明顯,所以都受到了高度重視?,F在,三星的5nm取得了重要進展,來自EDA(電子自
日本出臺對韓限制出口政策引發(fā)韓國企業(yè)跳腳,《媒體》更進一步指出,由日本獨占市場的光罩基底(Mask Blank)可能成為下一個犧牲品,外界擔憂,三星電子EUV工程(極紫外光)可能因此受沖擊。據《韓聯
臺積電首席財務官何麗梅日前表示,臺積電5納米制造工藝預計將于2020年上半年實現量產,這意味著蘋果公司的下一代A系列處理器將率先采用5納米制造工藝。
臺灣南部科學工業(yè)園區(qū)的最北端,正轟轟隆隆趕工中的是臺積電最新的18廠,將成為世界第一條真正將EUV大規(guī)模投入實戰(zhàn)的產線。
在7nm工藝上,三星沒有爭取到多少客戶,而且三星選擇直接進入EUV時代,進度也不如臺積電,自家的Exynos 9820處理器都沒趕上7nm EUV工藝,好在今年6月份三星真的能夠量產7nm EUV工藝
5月27日消息,據國外媒體報道,在芯片工藝方面,臺積電近幾年都走在行業(yè)前列,在去年率先量產7nm工藝之后,其更先進的7nm EUV工藝也已開始量產。
晶圓代工龍頭廠臺積電14日董事會決議,為升級并擴充先進制程產能,加上欲轉換部分邏輯制程產能為特殊制程產能,通過資本預算約1217.82億元新臺幣(單位下同)。
當前用于蘋果A12、驍龍855、麒麟980的7nm工藝是臺積電的第一代,而技術更先進、集成EUV光刻技術的第二代7nm也終于塵埃落定。最新報道稱,臺積電將在今年第二季度末開始7nm EUV量產,其中麒麟985先行。
據businesskorea報道,三星電子將于今年6月開始大規(guī)模生產7納米(nm)極紫外(EUV)芯片。
在當前全球晶圓制造的先進制程領域中,只剩下臺積電、三星以及英特爾可以一較高下。三星雖然早在 2018 年 10 月份就已經宣布量產 7 納米 EUV 制程,但實際情況并非如此。因為,就連三星自己的 Exynos 9820 處理器都沒用上 7 納米 EUV 制程,這是因為三星的 7 納米工廠過去一直都沒完成。直到日前,三星提交的報告顯示,他們投資 13 億美元的華城生產線已經完成建設工作,三星的 7 納米 EUV 制程現在才算真正進入量產。
ASML今天宣布,已同意收購位于荷蘭代爾夫特的高科技公司Mapper的知識產權資產。此外,ASML還打算為Mapper在研發(fā)和產品組裝方面的員工提供合適的職位。
IBM亦結束了與過去CPU制造合作伙伴格羅方德(GlobalFoundries)共同開發(fā)7奈米制程的技術, IBM所授予Globalfroundies制造協議,包括晶圓廠等,都將于本月劃上句點。
近日,新思科技與中國科學院微電子研究所強強聯手,正式組建“EUV光刻仿真聯合實驗室”并舉行揭牌儀式。雙方聯合宣布將在北京合作共建國際一流、國內領先的聯合實驗室,共同合作開發(fā)基于EUV的光刻仿真及應用,致力提高中國EUV研發(fā)能力并共同培養(yǎng)該領域尖端人才。該聯合實驗室得到了北京市科學技術委員會國際科技合作專項的支持。
來自外媒的消息報道說,預計到2018年底,臺積電用7nm工藝完成流片的芯片設計將超過50款,而到2019年底會有100多款芯片采用其7nm和增強版7nm EUV極紫外光刻技術。
隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產,2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了,這是EUV工藝研發(fā)三十年來的一個里程碑。不過EUV工藝要想大規(guī)模量產還有很多技術挑戰(zhàn),目前的光源功率以及晶圓產能輸出還沒有達
雖然本周三星宣布7nm LPP量產,且還導入了EUV光刻技術,但事實是,基于臺積電7nm打造的蘋果A12芯片、華為麒麟980等都已經商用,三星7nm的成品仍舊是個未知數,保守來說,或許要等到明年的新E
根據韓國媒體的報導,不論是處理器還是存儲器,現在的半導體生產幾乎都離不開光刻機。至于采不采用最先進的EUV極紫外光光科技術目前主要是看廠商的需求及成本。相較來說,以邏輯芯片的處理器產品來看,因為在制程節(jié)點推進到7納米制程之后,對EUV技術的需求就明顯而直接。而且越往下的先進制程,未來也就越仰賴EUV技術。
日媒稱,日前獲悉,中國新興半導體存儲器企業(yè)合肥長鑫計劃從半導體制造設備廠商荷蘭阿斯麥(ASML)引進最尖端設備。報道稱,中國由于與美國的貿易戰(zhàn)和高科技摩擦日趨激烈,越來越難以從美國引進技術。為了發(fā)展屬于產業(yè)創(chuàng)新關鍵的半導體,將轉向采購歐洲設備以尋找出路。
在工藝技術方面,臺積電宣布以N7+工藝節(jié)點投片客戶芯片,該工藝節(jié)點采用可處理4層光罩的EUV。而其N5 EUV則可提高到處理多達14層光罩,并將在明年4月準備好進行風險試產。透過EUV技術可望減少先進設計所需的光罩數,從而降低成本。