-
摩爾定律等待跨越微影障礙
在2012年的國(guó)際超紫外光(EUV)微影技術(shù)研討會(huì)上，專家們一致認(rèn)為，過(guò)去幾十年來(lái)一直扮演半導(dǎo)體創(chuàng)新引擎的摩爾定律(Moore's Law)，正由于下一代超紫外光(EUV)微影技術(shù)的延遲而失去動(dòng)力。為了因應(yīng)14nm以下制程，EUV系統(tǒng)
-
摩爾定律等待跨越微影障礙
在2012年的國(guó)際超紫外光(EUV)微影技術(shù)研討會(huì)上，專家們一致認(rèn)為，過(guò)去幾十年來(lái)一直扮演半導(dǎo)體創(chuàng)新引擎的摩爾定律(Moore’s Law)，正由于下一代超紫外光(EUV)微影技術(shù)的延遲而失去動(dòng)力。 為了因應(yīng)14nm以下制程，EUV系
-
臺(tái)積電2013年將采用FinFET技術(shù) 打造16/10nm制程
臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開(kāi)。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18寸(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun
-
英特爾與臺(tái)積電向設(shè)備廠出資加速450mm晶圓和EUV曝光實(shí)用化
圍繞450mm晶圓和EUV（ExtremeUltraviolet，超紫外線）曝光等新一代半導(dǎo)體制造技術(shù)的動(dòng)向日趨活躍。2012年7月，全球最大的曝光設(shè)備廠商——荷蘭阿斯麥（ASML）宣布，將從半導(dǎo)體廠商獲得總額約為1300億日元的援助，以推
-
先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10nm搶先開(kāi)火
臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開(kāi)。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18寸(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun
-
英特爾與臺(tái)積電向設(shè)備廠出資加速450mm晶圓和EUV曝光實(shí)用化
圍繞450mm晶圓和EUV（Extreme Ultraviolet，超紫外線）曝光等新一代半導(dǎo)體制造技術(shù)的動(dòng)向日趨活躍。2012年7月，全球最大的曝光設(shè)備廠商——荷蘭阿斯麥（ASML）宣布，將從半導(dǎo)體廠商獲得總額約為1300億日元的援助，以
-
先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10奈米搶先開(kāi)火
臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開(kāi)。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18吋(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun
-
先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10nm搶先開(kāi)火
臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開(kāi)。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18寸(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun
-
先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10奈米搶先開(kāi)火
臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開(kāi)。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18吋(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun
-
家登展18吋晶圓傳送盒已認(rèn)證出貨
SEMICON Taiwan 2012開(kāi)跑，而主要客戶包括英特爾、臺(tái)積電 (2330)、聯(lián)電 (2303)等半導(dǎo)體大廠的家登 (3680)也參展。家登指出，此次參展以半導(dǎo)體次世代傳載解決方案為展示重點(diǎn)，包括18吋前開(kāi)式晶圓傳送盒(450mm FOUP)、
-
臺(tái)積電18吋晶圓2018量產(chǎn)
臺(tái)灣國(guó)際半導(dǎo)體展（SEMICON Taiwan）今（5）日開(kāi)幕，18吋晶圓成為市場(chǎng)焦點(diǎn)，臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)副總經(jīng)理王建光昨（4）日出席半導(dǎo)體展前記者會(huì)時(shí)表示，臺(tái)積電已做好導(dǎo)入18吋晶圓規(guī)劃，預(yù)計(jì)2018年量產(chǎn)，屆時(shí)導(dǎo)入的技術(shù)將以10奈
-
臺(tái)積電：18吋晶圓估2018量產(chǎn)EUV于10nm導(dǎo)入
國(guó)際半導(dǎo)體展SEMICON即將于明(5日)開(kāi)跑，并于今日舉辦展前記者會(huì)，包括臺(tái)積電 (2330)研發(fā)副總林本堅(jiān)、臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)/12吋廠副總王建光(見(jiàn)左圖)均出席，說(shuō)明未來(lái)臺(tái)積電于先進(jìn)制程的發(fā)展布局。王建光指出，順利的話，臺(tái)積
-
芯片升級(jí)變慢將阻礙智能手機(jī)發(fā)展
據(jù)美國(guó)媒體報(bào)道，智能手機(jī)和其他設(shè)備變得越來(lái)越智能化，但如果電腦芯片的一項(xiàng)關(guān)鍵升級(jí)不能很快出現(xiàn)，這種趨勢(shì)可能存在變數(shù)。半導(dǎo)體為電子產(chǎn)品提供了大腦、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和其他能力，因此芯片的升級(jí)對(duì)生產(chǎn)更小、速度更快和
-
芯片升級(jí)變慢將阻礙智能手機(jī)發(fā)展
據(jù)美國(guó)媒體報(bào)道，智能手機(jī)和其他設(shè)備變得越來(lái)越智能化，但如果電腦芯片的一項(xiàng)關(guān)鍵升級(jí)不能很快出現(xiàn)，這種趨勢(shì)可能存在變數(shù)。半導(dǎo)體為電子產(chǎn)品提供了大腦、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和其他能力，因此芯片的升級(jí)對(duì)生產(chǎn)更小、速度更快和
-
三星5億歐元注資ASML 加速EUV微影技術(shù)開(kāi)發(fā)
據(jù)外國(guó)媒體報(bào)道，荷蘭微影設(shè)備廠ASML宣布，三星公司已同意向ASML投資5.03億歐元（約合6.29億美元），獲得該公司3%股權(quán)。此外，三星承諾在未來(lái)5年將向ASML公司投資2.76億歐元（約合3.45億美元），支持ASML研發(fā)下一代微
-
智能機(jī)發(fā)展挑戰(zhàn)芯片廠:業(yè)界押注EUV技術(shù)
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，智能手機(jī)和其他設(shè)備正變得更加智能，但如果電腦芯片生產(chǎn)的一個(gè)關(guān)鍵步驟沒(méi)有得到很快升級(jí)，這種局面就可能會(huì)發(fā)生變化。半導(dǎo)體為電子產(chǎn)品提供了運(yùn)算、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和其他能力，因此為了使設(shè)備變得更小、更
-
臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)
繼英特爾日前宣布，將投資荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASML，取得其15%股權(quán)后，臺(tái)積電也于5日正式宣布，將投資8.38億歐元(相當(dāng)于臺(tái)幣308億元)吃下ASML5%的股權(quán)，且未來(lái)5年將投入2.76億歐元(相當(dāng)臺(tái)幣102億元)，來(lái)挹注ASML對(duì)18寸
-
臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)
繼英特爾日前宣布，將投資荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASML，取得其15%股權(quán)后，臺(tái)積電也于5日正式宣布，將投資8.38億歐元(相當(dāng)于臺(tái)幣308億元)吃下ASML5%的股權(quán)，且未來(lái)5年將投入2.76億歐元(相當(dāng)臺(tái)幣102億元)，來(lái)挹注ASML對(duì)18寸
-
臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)
繼英特爾日前宣布，將投資荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASML，取得其15%股權(quán)后，臺(tái)積電也于5日正式宣布，將投資8.38億歐元(相當(dāng)于臺(tái)幣308億元)吃下ASML5%的股權(quán)，且未來(lái)5年將投入2.76億歐元(相當(dāng)臺(tái)幣102億元)，來(lái)挹注ASML對(duì)18寸
-
臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)
繼英特爾日前宣布，將投資荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASML，取得其15%股權(quán)后，臺(tái)積電也于5日正式宣布，將投資8.38億歐元(相當(dāng)于臺(tái)幣308億元)吃下ASML5%的股權(quán)，且未來(lái)5年將投入2.76億歐元(相當(dāng)臺(tái)幣102億元)，來(lái)挹注ASML對(duì)18寸
- 觀看華邦安全閃存技術(shù)研討會(huì)，分享你的設(shè)計(jì)安全小“芯”思
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第二期：傳感器賦予設(shè)備感知萬(wàn)物之力
- 泰克全棧式電源測(cè)試解決方案來(lái)襲，讓AI數(shù)據(jù)中心突破性能極限
- 學(xué)習(xí)狀態(tài)監(jiān)控CbM系統(tǒng)設(shè)計(jì)，完成測(cè)試
- 挑戰(zhàn)趣味測(cè)試，了解PI電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC超能力
- 分享設(shè)計(jì)槽點(diǎn)，尋找華邦電子為您帶來(lái)的小確幸
- 我與貿(mào)澤不得不說(shuō)的秘密，如何讓選型和設(shè)計(jì)更輕松與愜意？
