業(yè)內(nèi)最新消息,昨天韓國總統(tǒng)府辦公室正式宣布,允許三星電子和 SK 海力士無期限向其位于中國的工廠供應(yīng)來自美國的芯片設(shè)備,無需美國單獨(dú)批準(zhǔn)。
Sep. 11, 2023 ---- 近日,三星(Samsung)為應(yīng)對(duì)需求持續(xù)減弱,宣布9月起擴(kuò)大減產(chǎn)幅度至50%,減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主,據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,其他供應(yīng)商預(yù)計(jì)也將跟進(jìn)擴(kuò)大第四季減產(chǎn)幅度,目的加速庫存去化速度,預(yù)估第四季NAND Flash均價(jià)有望因此持平或小幅上漲,漲幅預(yù)估約0~5%。
(全球TMT2023年9月1日訊)2023年9月1日,三星宣布采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù),開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM(DDR5 DRAM:五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級(jí)16Gb DDR5 DRAM之后取得的...
在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍,功耗降低10%,且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組 此次新品為實(shí)現(xiàn)高達(dá)1TB容量的內(nèi)存模組奠定了基礎(chǔ) 隨著12納米級(jí)內(nèi)存產(chǎn)品陣容的擴(kuò)展,三星將持續(xù)為AI,下一代計(jì)算等多行業(yè)的各種應(yīng)用提供支持 深圳2023年...
Aug. 30, 2023 ---- TrendForce集邦咨詢表示,預(yù)期2024年存儲(chǔ)器原廠對(duì)于DRAM與NAND Flash的減產(chǎn)策略仍將延續(xù),尤其以虧損嚴(yán)重的NAND Flash更為明確。預(yù)估在2024上半年消費(fèi)性電子市場(chǎng)需求能見度仍不明朗,通用型服務(wù)器的資本支出仍受到AI服務(wù)器排擠而顯得相對(duì)需求疲弱,有鑒于2023年基期已低,加上部分存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格已來到相對(duì)低點(diǎn),預(yù)估DRAM及NAND Flash需求位元年成長(zhǎng)率分別有13.0%及16.0%。不過,盡管需求位元有回升,明年若要有效去化庫存,并回到供需平衡狀態(tài),重點(diǎn)還是仰賴供應(yīng)商對(duì)于產(chǎn)能有所節(jié)制,若供應(yīng)商產(chǎn)能控制得宜,存儲(chǔ)器均價(jià)則有機(jī)會(huì)反彈。
Aug. 24, 2023 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,受惠于AI服務(wù)器需求攀升,帶動(dòng)HBM出貨成長(zhǎng),加上客戶端DDR5的備貨潮,使得三大原廠出貨量均有成長(zhǎng),第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約114.3億美元,環(huán)比增長(zhǎng)20.4%,終結(jié)連續(xù)三個(gè)季度的跌勢(shì)。其中,SK海力士(SK hynix)出貨量環(huán)比增長(zhǎng)超過35%,且平均銷售單價(jià)(ASP)較高的DDR5、HBM出貨占比顯著增長(zhǎng),帶動(dòng)SK海力士ASP逆勢(shì)成長(zhǎng)7~9%,推升SK海力士第二季營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近5成,成長(zhǎng)幅度居冠,達(dá)34.4億美元,回歸第二名。
DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)市場(chǎng)是一個(gè)具有規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)的行業(yè),其在數(shù)據(jù)中心、智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等各行業(yè)的發(fā)展也受到關(guān)注。
三星在去年12月發(fā)布了全球首款傳輸速率高達(dá)7.2Gbps的12nm級(jí)DDR5 DRAM內(nèi)存芯片,今天,三星正式宣布已大規(guī)模量產(chǎn)12nmDDR5DRAM芯片。
即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存,也就是說我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM。
DRAM(Dynamic Random Access Memory,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種具有高帶寬、低延遲和低功耗的半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備。它利用靜電場(chǎng)來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
SDRAM 英文全稱“Synchronous Dynamic Random Access Memory”,譯為“同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存”或“同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”,是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory,簡(jiǎn)稱 DRAM)家族的一份子。
SRAM : 靜態(tài)RAM,不用刷新,速度可以非常快,像CPU內(nèi)部的cache,都是靜態(tài)RAM,缺點(diǎn)是一個(gè)內(nèi)存單元需要的晶體管數(shù)量多,因而價(jià)格昂貴,容量不大。
Jul. 4, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究指出,受惠于DRAM供應(yīng)商陸續(xù)啟動(dòng)減產(chǎn),整體DRAM供給位元逐季減少,加上季節(jié)性需求支撐,減輕供應(yīng)商庫存壓力,預(yù)期第三季DRAM均價(jià)跌幅將會(huì)收斂至0~5%。不過,目前供應(yīng)商全年庫存應(yīng)仍處高水位,今年DRAM均價(jià)欲落底翻揚(yáng)的壓力仍大,盡管供給端的減產(chǎn)有助季跌幅的收斂,然實(shí)際止跌反彈的時(shí)間恐需等到2024年。
Crucial? 英睿達(dá)? T700 第五代 SSD 利用美光? 232 層 NAND 更大限度地提高性能和可靠性,而 Crucial 英睿達(dá) Pro DRAM 則同時(shí)支持 Intel? XMP 和 AMD EXPO? ,配備散熱器實(shí)現(xiàn)開箱即用的卓越性能
May 25, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約96.6億美元,環(huán)比下降21.2%,已續(xù)跌三個(gè)季度。出貨量方面僅美光有上升,其余均衰退;平均銷售單價(jià)三大原廠均下跌。目前因供過于求尚未改善,價(jià)格依舊續(xù)跌,然而在原廠陸續(xù)減產(chǎn)后,DRAM下半年價(jià)格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季,雖出貨量增加,但因價(jià)格跌幅仍深,預(yù)期營(yíng)收成長(zhǎng)幅度有限。
21ic 近日獲悉,三星電子表示已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用 12nm 級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)制造的雙倍數(shù)據(jù)速率 5(DDR5) DRAM,去年年底的時(shí)候該公司宣布開發(fā) 16Gb DDR5 DRAM,通過量產(chǎn)先進(jìn)的 12nm DDR5 DRAM 印證了其在存儲(chǔ)芯片中的主導(dǎo)地位。
據(jù)業(yè)內(nèi)信息,美光在日本政府的援助下向其位于廣島的 DRAM 工廠投資了 37 億美元,該公司計(jì)劃在廣島工廠安裝 EUV 設(shè)備來升級(jí)工藝,進(jìn)而使廣島工廠能夠制造美光最新一代 DRAM(1-gamma),這將是日本首次使用 EUV 設(shè)備。
2023 年 5 月 11 日,中國西安 —— 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布委派吳明霞(Betty Wu)女士擔(dān)任美光中國區(qū)總經(jīng)理, 并繼續(xù)兼任 DRAM 封裝與測(cè)試運(yùn)營(yíng)企業(yè)副總裁。
May 9, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示,由于DRAM及NAND Flash供應(yīng)商減產(chǎn)不及需求走弱速度,部分產(chǎn)品第二季均價(jià)季跌幅有擴(kuò)大趨勢(shì),DRAM擴(kuò)大至13~18%,NAND Flash則擴(kuò)大至8~13%。
Apr. 24, 2023 ---- 服務(wù)器新平臺(tái)Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa機(jī)種量產(chǎn)在即,但近期市場(chǎng)上傳出Server DDR5 RDIMM的PMIC匹配性問題,目前DRAM原廠與PMIC廠商均已著手處理。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為,該情況將產(chǎn)生兩種影響,首先,由于僅MPS(芯源系統(tǒng))供應(yīng)的PMIC無狀況,DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對(duì)芯源的采購比重。其次,目前原廠DDR5 Server DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程,短期內(nèi)供給量難免受此事件影響,故預(yù)估第二季DDR5 Server DRAM價(jià)格跌幅將收斂,由原預(yù)估15-20%收斂至13-18%。