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三星芯片進(jìn)入寒冬，DRAM 合約價(jià)提前“小漲”
據(jù)悉，2020年第一季度DRAM合約價(jià)格預(yù)測，由原先的“大致持平”調(diào)整為“小漲”，價(jià)格正式提前翻轉(zhuǎn)向上。據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心最新調(diào)查，隨著近一個(gè)
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美光 DDR5 使內(nèi)存密度翻倍，并同時(shí)提升可靠性
DR5 RDIMMs 作為內(nèi)存技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)品牌，美光在設(shè)計(jì)、制造、交付及向全球合作伙伴和客戶提供支持方面擁有 40 多年的專業(yè)積淀。美光的 DDR5 SDRAM 產(chǎn)品組合采用了比以往更
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南亞科已完成自主研發(fā) 10 納米級 DRAM 技術(shù)
近日據(jù)外媒報(bào)道，南亞科總經(jīng)理李培瑛宣布，已完成自主研發(fā) 10 納米級 DRAM 技術(shù)，將在今年下半年試產(chǎn)。據(jù)悉，全球 DRAM 內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK 海力士、美光三家公司中
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三星電子大量芯片庫存增加損失將加大？
近日，有外媒援引 TrendForce 研究部門 DRAMeXchange 報(bào)告指出，對消費(fèi)市場而言，此次事件預(yù)計(jì)不會影響今年第一季度的 DRAM 價(jià)格。在 1 月初的時(shí)候，三星芯片工廠因?yàn)閰^(qū)域
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南亞科已完成自主研發(fā) 10 納米級 DRAM 技術(shù)
近日，南亞科技股份有限公司稱，公司已完成自主研發(fā) 10 納米級 DRAM 技術(shù)，將在今年下半年試產(chǎn)。順應(yīng) 10 納米制程發(fā)展，南亞科今年資本支出金額將高于去年的 55 億元。據(jù)悉
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無錫市是我國集成電路產(chǎn)業(yè)的重鎮(zhèn)，到底“重”在哪里？
從地理位置上看，無錫市是長三角地區(qū)核心城市，是我國集成電路產(chǎn)業(yè)的重鎮(zhèn)。無錫集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模連續(xù)十多年居全國前列。2018 年，無錫集成電路產(chǎn)業(yè)銷售總額達(dá)到 1014.05 億
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內(nèi)存價(jià)格扛不住了：明年漲起來！
最近一年多的熊市中，大家有入手內(nèi)存嗎？還在持幣觀望的話，機(jī)會可能不多了。 市場機(jī)構(gòu)DRAMeXchange表示，隨著市場庫存和需求水平的調(diào)整，DRAM的合約價(jià)最早明年一季度過后就將開始反彈。 其中，P
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三星DRAM工廠突發(fā)斷電停產(chǎn) 內(nèi)存漲價(jià)又要來?
北京時(shí)間2020年1月1日消息，三星電子公司表示，在昨天下午發(fā)生大約一分鐘的斷電事故后，其華城芯片工廠的部分芯片生產(chǎn)已經(jīng)暫停。三星在一份聲明中表示，正在檢查生產(chǎn)線以備重新啟動，并正在評估造成的損失。據(jù)媒體
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鈺創(chuàng)科技聯(lián)合萊迪斯開發(fā)用于邊緣計(jì)算的AI+DRAM平臺
該平臺包含Etron的最新開發(fā)的RPC（減少引腳數(shù)）DRAM架構(gòu)，具有x16 DDR3 ? LPDDR3帶寬，但在40球FI-WLCS封裝中僅使用22個(gè)IO。
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明年DRAM價(jià)格可能會上升30%：你真的要囤貨？
臨近年底，內(nèi)存行業(yè)分析師給出了許多關(guān)于明年內(nèi)存價(jià)格上漲的預(yù)警，其中DigiTimes引用業(yè)界消息稱明年內(nèi)存的平均銷售價(jià)格將上升30%。 對于廣大消費(fèi)者來說，現(xiàn)在可能是升級內(nèi)存的最好時(shí)機(jī)，不管是升級容量
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中日聯(lián)手！紫光日本公司CEO：DRAM內(nèi)存將在5年內(nèi)量產(chǎn)
在合肥長鑫1500億元投資的內(nèi)存項(xiàng)目之后，紫光集團(tuán)也在6月底正式宣布組建DRAM內(nèi)存事業(yè)部，這是國內(nèi)在內(nèi)存行業(yè)又一次重要布局。本月中，紫光宣布前日本內(nèi)存公司爾必達(dá)董事長坂本幸雄加盟，將擔(dān)任高級副總裁及
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紫光日本公司CEO坂本幸雄：DRAM內(nèi)存將在5年內(nèi)量產(chǎn)
在合肥長鑫1500億元投資的內(nèi)存項(xiàng)目之后，紫光集團(tuán)也在6月底正式宣布組建DRAM內(nèi)存事業(yè)部，這是國內(nèi)在內(nèi)存行業(yè)又一次重要布局。本月中，紫光宣布前日本內(nèi)存公司爾必達(dá)董事長坂本幸雄加盟，將擔(dān)任高級副總裁及
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全球 DRAM 和 NAND 閃存市場將迎來巨大增長
最近根據(jù)韓國相關(guān)媒體報(bào)道，市場研究公司預(yù)測，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球 DRAM
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存儲產(chǎn)業(yè)競爭激烈，中國存儲產(chǎn)業(yè)機(jī)會何在？
通常來說,元年是用來指某個(gè)事物或事件開始發(fā)生的時(shí)間。如果說 2016 年(晉華集成、合肥長鑫和長江存儲，中國大陸三大存儲器公司相繼成立)是中國大陸存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的元年。
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國產(chǎn)內(nèi)存再加速 日本半導(dǎo)體行業(yè)重磅人物坂本幸雄加盟紫光
中國半導(dǎo)體行業(yè)又迎來一名重磅外援—;—;紫光集團(tuán)今天宣布前日本內(nèi)存公司爾必達(dá)董事長坂本幸雄加盟，將擔(dān)任高級副總裁及日本公司CEO，負(fù)責(zé)開拓日本市場。 坂本幸雄在DRAM領(lǐng)域具有30余年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，在技
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DRAM芯片庫存減少，韓國企業(yè)內(nèi)存芯片真的有望轉(zhuǎn)好嗎？
據(jù)目前消息，有半導(dǎo)體行業(yè)觀察人士指出，歷經(jīng)了今年的慘烈暴跌后，韓國內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)有望在 2020 年出現(xiàn)好轉(zhuǎn)跡象。根據(jù)半導(dǎo)體市場專家的最新預(yù)測，在今年經(jīng)歷慘烈暴跌后，南
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SK海力士推出首個(gè)五代雙倍速率DRAM
DDR5是繼DDR4的之后，新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，應(yīng)用在大數(shù)據(jù)、AI(人工智能)以及機(jī)器學(xué)習(xí)上，擁有超高速、低耗能、高用量的特性。比起DDR4的電力消耗減少30%，數(shù)據(jù)傳送速度也快了1.6倍。
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這項(xiàng)將要變革存儲架構(gòu)的技術(shù) 是時(shí)候關(guān)注下了
自計(jì)算機(jī)誕生以來，DRAM+SSD+HDD這樣的存儲架構(gòu)便從未改變過。而近2年隨著數(shù)據(jù)量的爆發(fā)以及企業(yè)、消費(fèi)者對傳輸性能、時(shí)延等要求增加，這樣的架構(gòu)已難以滿足需求。在這樣的背景下，英特爾、三星、鎂光等
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SK海力士開發(fā)出10納米級DRAM
10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。
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存儲市場庫存仍高 美光明年仍采取保守策略
華為作為美光最大的客戶之一，美國將華為列入實(shí)體名單一事對美光產(chǎn)生了非常嚴(yán)重的影響，美光業(yè)績已經(jīng)逐漸露出下滑趨勢，上周五美光股價(jià)大跌近7%，南亞科、華邦電、威剛等存儲器企業(yè)也紛紛走低。 近期DRAM及N
