-
東芝首款搭載96層3D閃存的XG6固態(tài)硬盤
參數(shù)方面，東芝XG6固態(tài)硬盤采用的是東芝TC58NCP090GSD主控，通過(guò)PCI-e 3.0X4通道，支持NVMe 1.3a規(guī)范，共有256GB、512GB以及1TB 3種規(guī)格。
-
明年將有3家國(guó)產(chǎn)廠商加入DDR4內(nèi)存、3D閃存芯片市場(chǎng)！
這幾年來(lái)國(guó)內(nèi)開(kāi)始大力發(fā)展存儲(chǔ)芯片，形成了長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華及合肥長(zhǎng)鑫三大陣營(yíng)，他們都將在2019年正式量產(chǎn)，DDR4內(nèi)存、3D閃存芯片市場(chǎng)上明年就有國(guó)產(chǎn)廠商加入了。
-
美光DRAM/NAND路線圖：下半年推96層3D閃存，GDDR6已完成驗(yàn)證
受益于eMMC、eMCP市場(chǎng)，美光高價(jià)值移動(dòng)NAND閃存營(yíng)收環(huán)比幾乎翻倍，其中85%都是TLC閃存類型，去年同期比例不足1%。此外，來(lái)自數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的內(nèi)存、閃存營(yíng)收同比增長(zhǎng)了87%。
-
長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)3D閃存拿下第一筆訂單：10776顆芯片
我國(guó)雖然在半導(dǎo)體芯片行業(yè)中落后世界先進(jìn)水平太多，但也在一步一個(gè)腳印地前進(jìn)，不斷取得新突破。據(jù)媒體報(bào)道，4月11日，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)的國(guó)
-
NAND閃存產(chǎn)能提高，或?qū)⒉辉贊q價(jià)
今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
-
東芝芯片出售陷入僵局 中國(guó)有望實(shí)現(xiàn)3D閃存芯片國(guó)產(chǎn)化
存儲(chǔ)器作為智能終端產(chǎn)品中的重要元件，一直是芯片行業(yè)的重要組成部分，也是我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)方向之一。今年以來(lái)在存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域受關(guān)注的行業(yè)事件中，東芝出售存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)絕對(duì)要算在其中，且近日又有關(guān)于此
-
三星全力量產(chǎn)最強(qiáng)64層3D閃存：SSD可以安心降價(jià)了
閃存、內(nèi)存的瘋狂漲價(jià)，讓三星今年大賺特賺，當(dāng)然他們?cè)谛录夹g(shù)上的投入也沒(méi)有手軟，今天官方公布的消息顯示，三星將在韓國(guó)投資186.3億美元，以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。之前我們?cè)鴪?bào)道了三
-
國(guó)產(chǎn)32層堆棧3D閃存2019年量產(chǎn)，2020年趕超國(guó)際先進(jìn)技術(shù)
紫光公司主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年會(huì)在技術(shù)趕超國(guó)際領(lǐng)先的閃存公司。
-
分析：半導(dǎo)體設(shè)備和材料未來(lái)替代空間廣闊
今年以來(lái)，由于下游需求旺盛，半導(dǎo)體設(shè)備訂單密集增加。當(dāng)前半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國(guó)產(chǎn)化程度不斷提升，龍頭企業(yè)受益半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大機(jī)遇，值得投資者關(guān)注。
-
3D閃存將優(yōu)先于RRAM技術(shù)進(jìn)入市場(chǎng)
基于金屬氧化物的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器 ──電阻式RAM(RRAM)，在11nm節(jié)點(diǎn)前不可能進(jìn)入市場(chǎng);在此之前，堆疊式浮閘NAND閃存相對(duì)較具潛力，而且很可能會(huì)朝向2~4Tbit的獨(dú)立型整合芯片
-
東芝佳能研發(fā)3D閃存
據(jù)新華社電為了掌握大容量存儲(chǔ)器新技術(shù)，增強(qiáng)與韓國(guó)三星等公司的競(jìng)爭(zhēng)能力，日本東芝和佳能兩家公司決定聯(lián)合研發(fā)高性能3D閃存，力爭(zhēng)在2016年投入量產(chǎn)。3D閃存是下一代閃存技術(shù)，相對(duì)于2D閃存技術(shù)，3D閃存把存儲(chǔ)單元垂
-
海力士、SanDisk、美光相繼推出3D閃存
三星電子率先量產(chǎn)了3D垂直堆疊的NAND閃存，并宣布了基于它的首款固態(tài)硬盤，而在日前的閃存峰會(huì)上，SK海力士、SanDisk、美光也不甘示弱地宣告了自己的3D閃存技術(shù)。 還是首先看看三星的吧。 現(xiàn)在已經(jīng)能夠做到24層堆疊
-
海力士、SanDisk、美光：我們也有3D閃存
三星電子率先量產(chǎn)了3D垂直堆疊的NAND閃存，并宣布了基于它的首款固態(tài)硬盤，而在日前的閃存峰會(huì)上，SK海力士、SanDisk、美光也不甘示弱地宣告了自己的3D閃存技術(shù)。還是首先看看三星的吧。現(xiàn)在已經(jīng)能夠做到24層堆疊，單
-
3D閃存將優(yōu)先于RRAM技術(shù)進(jìn)入市場(chǎng)
基于金屬氧化物的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器 ──電阻式RAM(RRAM)，在11nm節(jié)點(diǎn)前不可能進(jìn)入市場(chǎng)；在此之前，堆疊式浮閘NAND閃存相對(duì)較具潛力，而且很可能會(huì)朝向2~4Tbit的獨(dú)立型整合芯片發(fā)展，IMEC研究所存儲(chǔ)器研究專案總監(jiān)Laith
wangly26
明銳佳源
yoyows
z8848
LEDS
葉春勇
xiaoxiao521
安泰測(cè)試Agitek
JYLBW
JWT20202
jack821119
wolfskin
206022219002
zhujun615
huang8089
nbiot
dkb
hzy41y
pengyoujianxiao
ankee
- 觀看華邦安全閃存技術(shù)研討會(huì)，分享你的設(shè)計(jì)安全小“芯”思
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第二期：傳感器賦予設(shè)備感知萬(wàn)物之力
- 泰克全棧式電源測(cè)試解決方案來(lái)襲，讓AI數(shù)據(jù)中心突破性能極限
- 學(xué)習(xí)狀態(tài)監(jiān)控CbM系統(tǒng)設(shè)計(jì)，完成測(cè)試
- 挑戰(zhàn)趣味測(cè)試，了解PI電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC超能力
- 分享設(shè)計(jì)槽點(diǎn)，尋找華邦電子為您帶來(lái)的小確幸
- 我與貿(mào)澤不得不說(shuō)的秘密，如何讓選型和設(shè)計(jì)更輕松與愜意？
