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日本又要建2nm晶圓代工廠，沖擊最先進(jìn)制程芯片
2月28日消息，由日本政府以及8家日本企業(yè)共同發(fā)起成立的晶圓廠Rapidus于當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二宣布，將在日本北部島嶼北海道的千歲市建造一座2nm晶圓代工廠。
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2nm被傳延期量產(chǎn) 臺(tái)積電回應(yīng)
臺(tái)積電今天上午正式宣布3nm工藝量產(chǎn)，這是當(dāng)前全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，明年開始貢獻(xiàn)營(yíng)收。
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日本攻關(guān)2nm工藝，確定聯(lián)手IBM
據(jù)報(bào)道，為了攻克2nm先進(jìn)工藝，日本已經(jīng)制定復(fù)興計(jì)劃，聯(lián)手歐洲IMEC之后又確定聯(lián)手IBM。
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日美雙方會(huì)成立合資公司： 最快2025年推出2nm工藝
在全球先進(jìn)半導(dǎo)體工藝中，臺(tái)積電、三星都有2nm工藝計(jì)劃，美國(guó)也能靠Intel實(shí)現(xiàn)2nm及以下的工藝，日本作為曾經(jīng)的半導(dǎo)體第一已經(jīng)沒(méi)有了先進(jìn)工藝生產(chǎn)能力，這也是他們要努力補(bǔ)上的，現(xiàn)在要聯(lián)手美國(guó)實(shí)現(xiàn)目標(biāo)。
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積極推動(dòng)先進(jìn)制程研發(fā)，能否打破臺(tái)積電在芯片代工市場(chǎng)遙遙領(lǐng)先的局面呢?
10月3日，三星電子在美國(guó)加州硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇&SAFE論壇”。論壇上三星芯片代工部門表示，將于2025年開始生產(chǎn)2nm制程工藝芯片，然后在2027年開始生產(chǎn)1.4nm工藝芯片。據(jù)了解，此前臺(tái)積電也曾規(guī)劃在2025年量產(chǎn)2nm芯片。
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1.4nm是什么？三星宣布將在2027年量產(chǎn)，趕超臺(tái)積電？
近日，在加利福尼亞州圣何塞舉行的三星代工論壇上，三星電子公布了其芯片制造業(yè)務(wù)的未來(lái)技術(shù)路線圖，宣布在2025年開始大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝，更先進(jìn)的1.4nm工藝則預(yù)計(jì)會(huì)在2027年投產(chǎn)，主要面向高性能計(jì)算和人工智能等應(yīng)用。
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制程競(jìng)賽，臺(tái)積電繞過(guò)2nm制程，直奔1.4nm，0.2nm還遠(yuǎn)嗎
臺(tái)積電已經(jīng)多次明確指出，3nm制程將于下半年規(guī)模投產(chǎn)。臺(tái)積電的3nm制程依舊延續(xù)FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng))電晶體結(jié)構(gòu)，而非三星那套難度更高的GAA(閘極全環(huán))電晶體。然而，臺(tái)積電明顯道行更深，知道當(dāng)前制程節(jié)點(diǎn)命名混亂，誰(shuí)的良率高顯然更能占得先機(jī)。
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2nm被繞過(guò)！臺(tái)積電將在6月份全面轉(zhuǎn)投1.4nm
臺(tái)積電已經(jīng)多次明確，3nm將在下半年規(guī)模投產(chǎn)。
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Intel 2029年上1.4nm工藝？非官方路線圖
Intel的制程工藝一直備受關(guān)注。今天早些時(shí)候，荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML(阿斯麥)放出一張路線圖，赫然羅列了Intel 7nm、5nm、3nm、2nm、1.4nm等工藝節(jié)點(diǎn)，尤其是最后這個(gè)將在2029年
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三大晶圓廠的先進(jìn)工藝進(jìn)擊之路
先進(jìn)工藝發(fā)展到今天，要拼的東西越來(lái)越多，尤其是5nm之后，不論是設(shè)備、材料、成本甚至是工藝本身都將發(fā)生質(zhì)的飛躍。 例如在推進(jìn)摩爾定律發(fā)展的過(guò)程中，EUV制造設(shè)備顯得格外重要； FinFET逐漸失效之后
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