SDRAM 英文全稱“Synchronous Dynamic Random Access Memory”,譯為“同步動態(tài)隨機存取內存”或“同步動態(tài)隨機存儲器”,是動態(tài)隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory,簡稱 DRAM)家族的一份子。
為增進大家對存儲器的認識,本文將對隨機存儲器、只讀存儲器以及二者的區(qū)別予以探討。
據(jù)韓聯(lián)社12月23日消息,據(jù)市場調研機構iSuppli的統(tǒng)計數(shù)據(jù),三星電子今年1-3季度銷售的移動動態(tài)隨機存儲器(DRAM)以1Gb為基準計算達21.025億個,在全球DRAM市場中的份額達57.05%。 三星電子今年前三季度的銷量和去年全
據(jù)物理學家組織網(wǎng)7月19日報道,美國普林斯頓大學針對大型數(shù)據(jù)公司開發(fā)出一種軟件技術,允許采用閃存的方式替代計算機隨機存儲器(RAM)運行,可以從根本上大幅削減能耗。 服務器公司會使互聯(lián)網(wǎng)損耗的巨大電力劇增。據(jù)《
軟件技術可讓閃存替代隨機存儲器
鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起,從而豐富了RFID應用。概述到目前為止,富士通半導體已經(jīng)開發(fā)出了高頻段(13.6MHz)和超高頻
北京2012年6月26日電 /美通社亞洲/ -- 6月25日,具備世界級集成電路研發(fā)及生產能力的浪潮集成電路產業(yè)園正式奠基,這是山東省首個高端集成電路產業(yè)園區(qū)。園區(qū)建成后,將形成涵蓋芯片設計研發(fā)、晶圓制造、封裝測試、原
北京2012年6月26日電 /美通社亞洲/ -- 6月25日,具備世界級集成電路研發(fā)及生產能力的浪潮集成電路產業(yè)園正式奠基,這是山東省首個高端集成電路產業(yè)園區(qū)。園區(qū)建成后,將形成涵蓋芯片設計研發(fā)、晶圓制造、封裝測試、原
北京2012年6月26日電 /美通社亞洲/ -- 6月25日,具備世界級集成電路研發(fā)及生產能力的浪潮集成電路產業(yè)園正式奠基,這是山東省首個高端集成電路產業(yè)園區(qū)。園區(qū)建成后,將形成涵蓋芯片設計研發(fā)、晶圓制造、封裝測試、原
據(jù)彭博社報道,美國內存芯片生產商美光公司(Micron)或將成為日本爾必達存儲器公司(Elpida)破產的最大受益者。爾必達公司昨日發(fā)文宣布正式退出計算機內存行業(yè),為其競爭對手帶來低價收購其生產工廠的機會。近幾年
我國首條高端(FBGA)集成電路存儲器封裝測試生產線12月16日在濟南上線投產。該生產線是浪潮繼并購奇夢達中國研發(fā)中心后對奇夢達資產的二次抄底并購,并由此獲得了世界先進水平的高端集成電路封裝制造能力。這條位于葡
本報訊 (記者劉燕)12月16日,我國首條高端(FBGA)集成電路存儲器封裝測試生產線在濟南上線投產。該生產線是浪潮繼并購奇夢達中國研發(fā)中心后對奇夢達資產的二次抄底并購,并由此獲得了世界先進水平的高端集成電路封
1/25/2010,比利時Ghent大學和歐洲納米電子技術研究中心Imec及其在Ghent大學的聯(lián)合實驗室INTEC最近聯(lián)合在1月號的“自然光子”雜志發(fā)表了他們在硅芯片上實現(xiàn)超低功耗超小型超快電泵浦全光存儲器技術的研究成
據(jù)國外媒體報道,三星公司和Rambus公司1月19日宣布雙方已達成和解協(xié)議,此前所有爭端已得到解決,并且三星還得到了Rambus的授權,以使三星能在其產品上使用Rambus的專利技術。 在此協(xié)議下,三星將向Rambus初步支付2
據(jù)國外媒體報道,三星公司和Rambus公司1月19日宣布雙方已達成和解協(xié)議,此前所有爭端已得到解決,并且三星還得到了Rambus的授權,以使三星能在其產品上使用Rambus的專利技術。 在此協(xié)議下,三星將向Rambus初步支付
美國芯片技術商Rambus日前與歐盟委員會達成初步協(xié)議,同意降低專利使用費,以換取歐盟委員會結束反壟斷調查并不再予以處罰。 負責歐盟反壟斷事務的歐盟委員會2007年對Rambus公司提起反壟斷指控。歐盟委員會稱,作為
臺灣將支持臺灣存儲晶片制造商的整合,將根據(jù)公司是否接觸到核心生產技術以及臺灣能否確保回報的最大化等因素考慮對晶片制造商進行投資。 臺灣“經(jīng)濟部”常務次長施顏祥12月16日稱,臺灣將支持臺灣存儲晶片制造商的整
歐盟委員會23日發(fā)表一項聲明宣布,該委員會已向美國存儲芯片技術商Rambus公司提起反壟斷指控,因為其收取的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)專利使用費過高。聲明指出,作為一家專門從事高速存儲芯片設計、開發(fā)和技術許可的非生