相對硅,氮化鎵擁有跟寬的帶隙,寬帶隙也意味著,氮化鎵能比硅承受更高的電壓,擁有更好的導電能力,并且可以承受比硅更高的電壓。簡而言之,相同體積下,氮化鎵比硅的效率高出不少。
據(jù)陳全訓介紹,2017年,我國集成電路進口額1.76萬億元人民幣,遠超過石油和天然氣的1.1萬億元,是最大的進口商品,但集成電路用12英寸硅片幾乎完全依賴進口。
本周硅料市場如預期般進入僵持,盡管九月已經來到眼前,但由于買賣雙方對于價格還是有不小的差異,因此本周幾乎沒有成交。目前觀察,不管在硅料或硅片企業(yè)端幾乎都沒有硅料的庫存,因此誰先松手賣料或買料將決定價格的變化,但由于預期九月硅料的供給可以逐漸增加,加上下游的需求狀況不佳,單晶致密料一旦開始成交,價格將會比目前的均價為低,但預期九月價格仍會在每公斤90元人民幣之上。菜花料則是受到多晶硅片價格再度下降的壓力,勢必也要下修,但主要的變化將視多晶硅片企業(yè)的開工率來決定,如九月中下旬多晶硅片企業(yè)大幅度調整開工率,則菜
日本研究人員最新研究發(fā)現(xiàn),金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時,可以擁有類似硅等半導體的特性。研究人員認為,這一發(fā)現(xiàn)挑戰(zhàn)了對于半導體材料的傳統(tǒng)認知,有助于推動相關領域發(fā)展。 傳統(tǒng)意義上,金屬和半導體被嚴格區(qū)分,金屬一般導電性能好,而半導體介于絕緣體和導體之間,導電性可受控制。用硅等常見半導體材料制造的晶體管廣泛應用于各種電子設備中。 京都大學研究小組發(fā)現(xiàn),在一種名為“釔鐵石榴石”的磁性絕緣體上將重金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時,它可以像半導體一樣,通過外部電壓控制電阻。 此外,研究人員還發(fā)
據(jù)外媒報道,硅一直是太陽能電池技術的首選材料,因為其具有價格低廉、穩(wěn)定且高效等特別。不幸的是,硅太陽能電池的轉換效率正快速接近其理論極限,但將其與其他材料配對可能有助于突破該上限?,F(xiàn)在,瑞士洛桑聯(lián)邦理工大學(EPFL)和瑞士電子與微技術中心(CSEM)的研究人員已經開發(fā)出一種新的硅和鈣鈦礦太陽能電池組合技術,并報告了25.2%的效率紀錄-這是這種太陽能電池組合技術的全新記錄。
在芯片的大部分歷史中,硅一直是其主要組成部分。這在很大程度上是因為硅擁有1.1電子伏特(eV)的“Goldilocks”帶隙,這使得硅可以在低電壓下運轉集成電路,減少電流泄漏。