日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻,柵極電荷減小到216nC,采用TO-247封裝。柵極電荷與導通電
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件,適用于電池充電和放電開關,以及直流應用的系統(tǒng)/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS
Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布,推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET ---Si8800EDB,該器件也是面積低于1mm2的首款產品。20V MICRO FOOTSi8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度,可減
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 日前宣布拓展了針對低導通電阻(RDS(on))應用的汽車用功率 MOSFET 專用系列,包括車載電源及內燃機 (ICE) 、微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應用。新的 MO
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,該MOSFET在10V柵極驅動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω,柵極電荷減小為48
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導通電阻技術的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅動下就能導通的80V功率
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導通電阻技術的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅動下就能導通的80V功率
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產品組合,提供完整的中壓器件系列,它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術來實現
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產品組合,提供完整的中壓器件系列,它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術來實現
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產品組合,提供完整的中壓器件系列,它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術來實現
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列,適用于需要低導通電阻的各種應用,包括電動助力轉向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列,適用于需要低導通電阻的各種應用,包括電動助力轉向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列,適用于需要低導通電阻的各種應用,包括電動助力轉向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵
RS Components宣布,通過其在線目錄RS Online渠道推出三洋(SANYO)半導體公司的1200類半導體產品。 此次推出的產品中,除了有采用三洋半導體獨自技術達成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準的低導通
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日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關,其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準導通電阻 (rON) 比同類競爭產品低 4 倍。TI TPS22924C 將至少 4 個部件集成于一體,從而簡化子系統(tǒng)負載管理。采
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關,其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準導通電阻 (rON) 比同類競爭產品低 4 倍。TI TPS22924C 將至少 4 個部件集成于一體,從而簡化子系統(tǒng)負載管理。采
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝,具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA4