國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。
新系列基準MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù)，可在4.5V Vgs下實現(xiàn)非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來更多防護頻帶，并可減少由多個MOSFET共享高電流的并行拓撲結(jié)構(gòu)的元件數(shù)目。與典型封裝額定值相比，由于封裝電流額定值高達195A，TO-220、D2PAK和TO-262封裝的改善超過了60%；與標準D2PAK封裝相比，7引腳D2PAK進一步降低了多達16%的RDS(on) ，功能更為完善。
IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“新推出的邏輯電平柵極驅(qū)動溝道MOSFET具有基準RDS(on) ，能夠由微控制器或弱電池驅(qū)動，提升其在輕負載條件下的效率。這些新元件非常適合高電流DC-DC轉(zhuǎn)換和DC電機驅(qū)動應(yīng)用?！?/p>
新型邏輯電平溝道MOSFET系列的電壓范圍為40V至100V。該系列已獲得工業(yè)級和MSL1潮濕敏感度認證，更具備所有標準功率封裝，包括TO-220、D2PAK、TO-262 以及7引腳D2PAK。新元件不含鉛并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
下載文檔穩(wěn)壓二極管是利用其反向擊穿時電流會急劇升高的特性進行穩(wěn)壓，表現(xiàn)出此時的動態(tài)電阻 Rz，也就是增加的 電壓除以增加的電流 ，所得到的比值比較小，這樣就會使得外部電壓的波動對穩(wěn)壓二極管兩端電壓影響較小。
關(guān)鍵字： 穩(wěn)壓二極管 動態(tài)電阻 電流傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因為源極和漏極之間的傳導通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)字開關(guān)
