飛思卡爾已實(shí)現(xiàn)該器件的量產(chǎn)，該器件完美結(jié)合了高效率、高增益及射頻輸出功率

飛思卡爾半導(dǎo)體公司日前推出了其首款蜂窩移動(dòng)通信基站專用的氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管。新產(chǎn)品A2G22S160-01S在無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用所使用的30W和40W放大器中表現(xiàn)優(yōu)異。這款產(chǎn)品是面向蜂窩移動(dòng)通信市場的Airfast系列GaN晶體管的第一款產(chǎn)品。

作為射頻功率晶體管市場的領(lǐng)跑者，飛思卡爾推出的GaN射頻解決方案使客戶在無線基礎(chǔ)設(shè)施市場中有了更多世界級的產(chǎn)品選擇。就在新產(chǎn)品發(fā)布的幾個(gè)月前，飛思卡爾才推出了MMRF5014H，這是它第一款面向軍事及工業(yè)應(yīng)用的GaN 射頻功率晶體管。目前，這款產(chǎn)品在熱感與寬帶射頻性能表現(xiàn)方面仍是100W級別GaN晶體管中的佼佼者。

飛思卡爾高級副總裁兼射頻業(yè)務(wù)總經(jīng)理Paul Hart表示： “飛思卡爾正將GaN應(yīng)用從小眾市場引領(lǐng)向如蜂窩移動(dòng)通信基礎(chǔ)設(shè)施這樣的主流應(yīng)用市場。是時(shí)候向我們龐大的電信客戶群推薦我們的GaN解決方案了。除了A2G22S160-01S的超級性能外，我們的蜂窩移動(dòng)通信客戶還將擁有飛思卡爾的高產(chǎn)能和全球性的售后服務(wù)做保障。”

與硅相比，GaN具有更高的功率轉(zhuǎn)化效率，更快的轉(zhuǎn)換速度以及更高的功率密度，故而以它為基礎(chǔ)而制造出的功率晶體管與傳統(tǒng)器件相比體積更小，功能也更強(qiáng)大。這要得益于GaN的幾大特性—較寬的帶隙，較強(qiáng)的臨界電場以及高水平的電子遷移率。雖然GaN的轉(zhuǎn)移在過去花費(fèi)過高，但最近的商業(yè)和技術(shù)進(jìn)步正使制作成本逐漸降低。作為半導(dǎo)體制造業(yè)中一直以來的領(lǐng)跑者，飛思卡爾正在某些世界級的大型市場展示GaN材料的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)也在主流商業(yè)基站市場中實(shí)現(xiàn)了GaN功率放大器的大規(guī)模部署。

飛思卡爾 Airfast系列射頻功率產(chǎn)品涵蓋了600MHz到3.8GHz的所有無線蜂窩移動(dòng)通信頻段，采用多種半導(dǎo)體技術(shù)。A2G22S160-01S專為1800-2200MHz頻率范圍的基站設(shè)計(jì)，性能優(yōu)異。例如，在40W的Doherty雙向不對稱放大器中，其載波通道裝有一根A2G22S160-01S晶體管，峰值通道裝有兩個(gè)A2G22S160-01S晶體管，則它的最大輸出功率為56.2dBm。通過8dB的輸出回退(OBO)，功率增益可達(dá)到15.4dB, 效率則可達(dá)到56.7%。當(dāng)此放大器受到兩個(gè)20MHzLTE載波單元(聚合后的帶寬則為40MHz)的驅(qū)動(dòng)時(shí)，具備數(shù)字預(yù)失真(DPD)功能的鄰道功率(ACP)則為55dBc。

供貨

A2G22S160-01S GaN 射頻功率晶體管現(xiàn)正在生產(chǎn)中，參考設(shè)計(jì)和其他支持方案已可獲得。有關(guān)定價(jià)及其他信息，請聯(lián)系當(dāng)?shù)仫w思卡爾銷售辦公室。