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新款850nm紅外發(fā)射器VSLY5850（Vishay）

時(shí)間：2011-02-11 09:21:05
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[導(dǎo)讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用拋物線型透鏡實(shí)現(xiàn)±3°極窄半強(qiáng)角的新款850nm紅外發(fā)射器--- VSLY5850，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。基于獨(dú)特的表面發(fā)射器芯片技術(shù)，VSLY5850在100mA驅(qū)動(dòng)電流下

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用拋物線型透鏡實(shí)現(xiàn)±3°極窄半強(qiáng)角的新款850nm紅外發(fā)射器--- VSLY5850，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。基于獨(dú)特的表面發(fā)射器芯片技術(shù)，VSLY5850在100mA驅(qū)動(dòng)電流下可提供高達(dá)600mW/sr的輻射強(qiáng)度、55mW的光功率和10ns的開(kāi)關(guān)時(shí)間。

VSLY5850所采用的表面發(fā)射器技術(shù)代表了一種特殊的硅片結(jié)構(gòu)，在這種結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生的全部光線都會(huì)由芯片的頂側(cè)表面向外發(fā)射。這種結(jié)構(gòu)大大減少了從器件的5mm T1¾塑料封裝的側(cè)面向外發(fā)射的光線，為用戶提供一個(gè)窄角度、定向良好的發(fā)射光束，而對(duì)側(cè)面的影響微乎其微。

發(fā)射器的超高輻射強(qiáng)度使其能在低驅(qū)動(dòng)電流的情況下實(shí)現(xiàn)很高的發(fā)光強(qiáng)度，比同級(jí)別輻射強(qiáng)度的紅外發(fā)射器的功耗減少3倍，從而在電池供電的紅外應(yīng)用中延長(zhǎng)工作壽命。

VSLY5850針對(duì)CMOS攝像頭中的紅外照明、火災(zāi)報(bào)警系統(tǒng)和煙感探測(cè)器進(jìn)行了優(yōu)化。發(fā)射器的快速開(kāi)關(guān)時(shí)間還使其成為道路收費(fèi)系統(tǒng)、交通流量控制和牌照燈中長(zhǎng)距離數(shù)據(jù)傳輸?shù)母哒{(diào)制頻率應(yīng)用的理想之選。器件的高光功率使設(shè)計(jì)者能夠減少器件數(shù)量，并在這些應(yīng)用中改善性能，或是用同樣數(shù)量的器件實(shí)現(xiàn)更好的性能。

新發(fā)射器可在-40℃～+85℃的溫度范圍內(nèi)工作，適合高脈沖電流工作。VSLY5850符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC，并符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)范。

新款VSLY5850發(fā)射器現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為八周到十周。
 

來(lái)源：21ic

作者：zhaolijing

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