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兩款LDMOS射頻功率晶體管MRF8P20160HSR3和MRF8P20100HSR3（freescale）

時間：2010-05-05 15:32:24
關(guān)鍵字： RF    FREESCALE    LDMOS    功率晶體管   
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[導(dǎo)讀]飛思卡爾半導(dǎo)體公司今天推出兩款LDMOS射頻功率晶體管。在中國，時分同步碼分多址存?。═D-SCDMA）無線網(wǎng)絡(luò)被廣泛應(yīng)用，而這些射頻功率晶體管已經(jīng)專為服務(wù)于上述網(wǎng)絡(luò)的基站中所使用的功率放大器進(jìn)行了優(yōu)化。 這些先進(jìn)

飛思卡爾半導(dǎo)體公司今天推出兩款LDMOS射頻功率晶體管。在中國，時分同步碼分多址存取（TD-SCDMA）無線網(wǎng)絡(luò)被廣泛應(yīng)用，而這些射頻功率晶體管已經(jīng)專為服務(wù)于上述網(wǎng)絡(luò)的基站中所使用的功率放大器進(jìn)行了優(yōu)化。 這些先進(jìn)的器件是專為TD-SCDMA 設(shè)計(jì)的飛思卡爾LDMOS 功率晶體管系列中的最新產(chǎn)品，而TD-SCDMA在業(yè)界被廣泛部署。

TD-SCDMA是在中國開發(fā)的第三代無線標(biāo)準(zhǔn)，由中國最大的無線通信運(yùn)營商使用。根據(jù) TD-SCDMA 論壇，將近770萬用戶（約為全國 3G用戶的43%）通過TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)接受服務(wù)。

MRF8P20160HSR3晶體管和MRF8P20100HSR3器件均采用飛思卡爾最新的高壓第八代（HV8）LDMOS技術(shù)，它提供的性能水平位居業(yè)界最高行列。 兩個器件都提供對寬帶的固有支持，所以能夠在專為TD-SCDMA的運(yùn)行而分配的兩個頻帶（1880-1920 MHz 及 2010-2025 MHz）上提供它們的額定性能，這讓一個單獨(dú)的器件能夠?yàn)閮蓚€頻帶提供服務(wù)。

TD-SCDMA基站中的放大器均采用Doherty 架構(gòu)，該架構(gòu)包含兩個放大器，它們共同提供所有的運(yùn)行條件。這通常要求在載波以及功率放大器的末級功峰值路徑中配置單獨(dú)的RF功率晶體管。然而，飛思卡爾的LDMOS 晶體管均采用“雙路徑”設(shè)計(jì)，其中，Doherty末級放大器的實(shí)施所要求的兩個放大器被集成在一個單獨(dú)的封裝內(nèi)。這將把所需設(shè)備的數(shù)量減少一半。這些優(yōu)勢，加上高增益、高效率及低功耗，能夠降低TD-SCDMA放大器的生產(chǎn)成本、減少所需的組件并降低放大器的復(fù)雜度。

MRF8P20160HSR3 產(chǎn)品特性
• 37W的平均射頻輸出功率（P3dB 壓縮下的連續(xù)波 (CW) 功率為160W）
• 45.8 % 的能量轉(zhuǎn)換效率
• 16.5 dB 的增益
• 在輸入信號峰均比為9.9dB的狀態(tài)下測量，ACPR為-30.6dB（+/-5MHz偏移下的通道帶寬為3.84MHz）。

MRF8P20100HSR3 產(chǎn)品特性
• 20W的平均射頻輸出功率（P3dB 壓縮下的連續(xù)波 (CW) 功率為126W）
• 44.3 % 的能量轉(zhuǎn)換效率
• 16dB的增益
• 在輸入信號峰均比為9.9dB的狀態(tài)下測量，相鄰信道功率比(ACPR)為-33.5dB（+/-5MHz偏移下的通道帶寬3.84MHz）。

兩款器件的工作電壓均為26-32V，能在32V直流電源下處理的電壓駐波比為10:1，它們在設(shè)計(jì)上是為了與數(shù)字預(yù)失真誤差校正電路一起使用。它們在內(nèi)部構(gòu)造上互相匹配，采用氣腔陶瓷封裝，也可提供膠帶和卷軸式封裝。這些器件還包含保護(hù)措施，防止在裝配線上遇到靜電釋放影響。靜電釋放保護(hù)也使門電壓在-6V和+10V 之間寬幅波動，從而提高了高效模式（如C級模式）下運(yùn)行的性能。

這些先進(jìn)的器件已成為飛思卡爾現(xiàn)有的LDMOS射頻功率放大器陣營中的成員，用于支持TD-SCDMA的運(yùn)行，其中包括MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多級集成功率放大器集成電路，每個器件均可在兩個TD-SCDMA頻帶上交付10W的平均功率。

MRF8P20160HSR3 和 MRF8P20100HSR3現(xiàn)已全面投產(chǎn)。

來源：21ic

作者：zhaolijing

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