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[導(dǎo)讀]日前,德州儀器 (TI) 在國際固態(tài)電路會議 (ISSCC) 上推出了首款 45 納米 3.5G 基帶與多媒體處理器,以解決無線市場上最關(guān)鍵的功耗問題。

日前,德州儀器 (TI) 在國際固態(tài)電路會議 (ISSCC) 上推出了首款 45 納米 3.5G 基帶多媒體處理器,以解決無線市場上最關(guān)鍵的功耗問題。TI 依靠其芯片專業(yè)技術(shù)提高了這套定制解決方案的性能,同時又大幅降低了功耗要求,該器件樣片于 2007 年第四季度起開始提供給無線客戶。TI 的 45 納米工藝融合了多種先進技術(shù)與設(shè)計技巧,以及新一代 SmartReflex™ 2 電源與性能管理技術(shù)。無線客戶可通過這些新技術(shù)開發(fā)更輕薄小巧、擁有先進多媒體功能的產(chǎn)品,與 65 納米工藝相比,該技術(shù)可實現(xiàn) 55% 的性能提升并降低 63% 的功耗。

TI 高級研究員兼無線芯片技術(shù)中心總監(jiān) Uming Ko 博士在日前發(fā)表的一篇論文中,介紹了這款采用 TI 低功耗 45 納米工藝技術(shù)的新器件。這項新工藝可滿足移動手持終端等便攜式設(shè)備市場的特定需求,利用浸入式光刻工具與超低 K 介電層將每個硅片所能制造的芯片數(shù)目加倍,同時通過多種專有技術(shù)提供超越現(xiàn)有 65 納米低功耗工藝的性能,這些專有技術(shù)包括能進一步降低 45 納米工藝漏電的應(yīng)變硅技術(shù) (strained silicon)。

TI 首款 45 納米無線數(shù)字與模擬設(shè)計平臺將數(shù)億個晶體管集成在 12 毫米 x 12 毫米封裝中。該平臺包含一個基于 ARM11、高性能 TMS320C55x™ DSP 與影像信號處理器的高吞吐量通信與高性能多媒體應(yīng)用引擎,讓支持多種無線標準的移動手持終端也能提供消費類電子產(chǎn)品般高質(zhì)量的使用體驗。該平臺還整合了包括 RF 編解碼器在內(nèi)的多種模擬組件。

45 納米工藝節(jié)點將實現(xiàn)大幅性能提升,更能滿足日益嚴苛的移動多媒體環(huán)境需求。借助新工藝,客戶可設(shè)計并提供具備高清視頻播放與錄制功能的手機,并且同步運行多種應(yīng)用,如一邊玩 3D 游戲,一邊舉行視頻會議,大幅提升使用體驗。45 納米工藝還能降低功耗,讓手機設(shè)計整合更多先進功能與應(yīng)用,并提供更長時間的視頻播放、通話與待機。

SmartReflex 2 技術(shù)顯著降低功耗

TI 的 90 納米工藝所提供的 SmartReflex 技術(shù)即為最佳范例,其中包含各種軟硬件技術(shù),能夠從系統(tǒng)級解決方案解決整個設(shè)計的電源管理問題。TI 新推出的增強型SmartReflex 2 技術(shù)更增加許多新功能,其中包括 TI 申請專利的 Adaptive Body Bias (ABB)、Retention ‘Til Access (RTA) 存儲器以及 SmartReflex PriMer 工具。SmartReflex 2 技術(shù)允許 45 納米工藝提供智能芯片性能并降低功耗。

ABB 是一種能自動和動態(tài)調(diào)節(jié)電壓的智能型自動適應(yīng)技術(shù),無需增加晶圓復(fù)雜性與成本就能充份發(fā)揮處理器性能并節(jié)省電力,滿足移動設(shè)備需求。這項技術(shù)解決了過去需要更多工藝步驟,增加制造成本的額外電壓支持問題。ABB 包含可提高性能的順向偏壓 (Forward Body-Bias) 和降低功耗的逆向偏壓 (Reverse Body-Bias),只需利用電路技術(shù)即可在功耗與性能間取得最佳平衡,無需增加具備不同閾值電壓的邏輯晶體管。

RTA 等特殊漏電管理功能則可在操作中切換至低功耗模式。TI 的 RTA 技術(shù)會將存儲器分為多個區(qū)塊,并在保持存儲數(shù)據(jù)的同時,盡可能降低電壓。這為整個系統(tǒng)提供了更多電力,以便高效率運行其它耗電應(yīng)用并減少電源泄漏。

除了硬件進步外,TI 還推出了其 SmartReflex PriMer 電源管理工具。SmartReflex PriMer工具是片上系統(tǒng) (SOC) 設(shè)計專用的一系列自動化工具,可協(xié)助自動生成寄存器傳遞語言 (RTL),確保其建構(gòu)正確。協(xié)助 TI 客戶以更簡單的方式將 SmartReflex 電源與性能管理技術(shù)導(dǎo)入新產(chǎn)品。

TI 于 2007 年第四季度推出了首款 45 納米無線 SoC 解決方案樣片,預(yù)計 2008 年即可通過 300 毫米晶圓的全面量產(chǎn)認證。
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