新型SiBar浪涌抑制器件（泰科電子）
[導(dǎo)讀]泰科電子宣布Raychem™品牌的SiBar™系列浪涌抑制器增加了新的產(chǎn)品。這些新的雙向瞬態(tài)電壓抑制器擴(kuò)大了電壓提供范圍并降低了電容值，可用于保護(hù)高速ADSL / VDSL調(diào)制解調(diào)器、以太網(wǎng)和以太網(wǎng)供電電路和其他高速通信設(shè)備，防止它們因?yàn)檫^電壓而受到損壞。
泰科電子宣布Raychem™品牌的SiBar™系列浪涌抑制器增加了新的產(chǎn)品。這些新的雙向瞬態(tài)電壓抑制器擴(kuò)大了電壓提供范圍并降低了電容值，可用于保護(hù)高速ADSL / VDSL調(diào)制解調(diào)器、以太網(wǎng)和以太網(wǎng)供電電路和其他高速通信設(shè)備，防止它們因?yàn)檫^電壓而受到損壞。
新的SiBar浪涌抑制器符合GR-1089 Core、ITU K.20/K.21、IEC61000-4-5、FCC第68章以及UL60950等主要標(biāo)準(zhǔn)，并能對(duì)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中的50A、80A、100A （10/1000µs ）系列的浪涌電流提供快速的雙向保護(hù)。
器件的關(guān)鍵性參數(shù)：電壓范圍從6 V至400 V，電容低至12 pF，最大漏電流僅2 µA，最小保持電流為150毫安。器件有SMB（JEDEC DO-214AA）和SMA（JEDEC DO-214AC）兩種表面貼裝封裝可供選擇。
SiBar浪涌抑制器能夠保護(hù)敏感的電信設(shè)備和數(shù)據(jù)通信設(shè)備，防止包括雷擊在內(nèi)的瞬態(tài)過電壓事件造成的損壞，在浪涌電壓超過器件擊穿電壓時(shí)起分流作用。當(dāng)浪涌電壓超過擊穿電壓時(shí)，SiBar工作在保護(hù)特性曲線的低阻區(qū)，形成一個(gè)低阻通路，有效地降低過電壓。SiBar器件保持低阻狀態(tài)直到流過該器件的電流下降到低于保持電流。在過電壓事件過去之后，SiBar器件自動(dòng)恢復(fù)到高阻狀態(tài)，系統(tǒng)正常工作。
SiBar器件除了自恢復(fù)功能以外，還有尺寸小，通態(tài)功耗低，擊穿電壓準(zhǔn)確等特點(diǎn)。新推出的器件電容小，適合在高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娐分惺褂谩?
該器件符合RoHS的要求，與無鉛焊接和大批量貼裝的工藝過程兼容，可用于保護(hù)通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，包括模擬和數(shù)字線路卡、XDSL和ISDN調(diào)制解調(diào)器、機(jī)頂盒、T1設(shè)備以及VoIP設(shè)備等。
供貨: 現(xiàn)在可提供樣品
交貨: 收到訂單后8-10周
新的SiBar浪涌抑制器符合GR-1089 Core、ITU K.20/K.21、IEC61000-4-5、FCC第68章以及UL60950等主要標(biāo)準(zhǔn)，并能對(duì)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中的50A、80A、100A （10/1000µs ）系列的浪涌電流提供快速的雙向保護(hù)。
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SiBar浪涌抑制器能夠保護(hù)敏感的電信設(shè)備和數(shù)據(jù)通信設(shè)備，防止包括雷擊在內(nèi)的瞬態(tài)過電壓事件造成的損壞，在浪涌電壓超過器件擊穿電壓時(shí)起分流作用。當(dāng)浪涌電壓超過擊穿電壓時(shí)，SiBar工作在保護(hù)特性曲線的低阻區(qū)，形成一個(gè)低阻通路，有效地降低過電壓。SiBar器件保持低阻狀態(tài)直到流過該器件的電流下降到低于保持電流。在過電壓事件過去之后，SiBar器件自動(dòng)恢復(fù)到高阻狀態(tài)，系統(tǒng)正常工作。
SiBar器件除了自恢復(fù)功能以外，還有尺寸小，通態(tài)功耗低，擊穿電壓準(zhǔn)確等特點(diǎn)。新推出的器件電容小，適合在高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娐分惺褂谩?
該器件符合RoHS的要求，與無鉛焊接和大批量貼裝的工藝過程兼容，可用于保護(hù)通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，包括模擬和數(shù)字線路卡、XDSL和ISDN調(diào)制解調(diào)器、機(jī)頂盒、T1設(shè)備以及VoIP設(shè)備等。
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