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臨界導(dǎo)通模式交錯功率因數(shù)校正控制IC（瑞薩）

時間：2008-04-15 14:25:00

關(guān)鍵字：功率因數(shù)校正控制IC MOSFET BSP

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[導(dǎo)讀]瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）推出R2A20116臨界導(dǎo)通模式交錯功率因數(shù)校正（PFC）控制IC。

瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）推出R2A20116臨界導(dǎo)通模式交錯功率因數(shù)校正（PFC） 控制IC。它具有改善所有負載區(qū)域高功率轉(zhuǎn)換效率的特點，可用于PC、服務(wù)器、數(shù)字家電等的PFC電源單元。樣品將于2008年6月開始在日本交付。

使用R2A20116有助于減少外部元件數(shù)，可以實現(xiàn)一個小型、低噪聲、高效率的電源單元。

R2A20116的特點如下。
（1）通過使用臨界導(dǎo)通模式和交錯操作，有助于實現(xiàn)高效率、低噪聲的電源單元
PFC控制IC通過驅(qū)動交流整流電路中的多個外置開關(guān)MOSFET和控制整流電路電流來修整交流輸入電流波形。

R2A20116采用交錯操作，因此這些MOSFET可以由兩個高度精度的信號（主從）進行控制，而且集成了瑞薩開發(fā)的原有主從節(jié)點控制電路。與由一個信號驅(qū)動多個MOSFET的單模式方法相比，它將有助于抑制75%以上的輸出紋波電流（波動的電流）。

而且，采用臨界導(dǎo)通模式操作可以降低升壓二極管損耗和抑制電力線噪聲。這些功能有助于減少元件尺寸，例如電源輸入濾波器、升壓線圈和輸入/輸出電容器。

（2）通過改善輕負載條件下的效率，所有負載區(qū)域上都可以實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率
R2A20116配備了一個停止從節(jié)點邊MOSFET驅(qū)動信號的功能，以及在輕負載條件下調(diào)節(jié)輸出電壓的功能。這些功能實現(xiàn)了以前在輕負載條件下難以完成的效率改善任務(wù)，可以在實際上所有負載區(qū)域中實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率。

（3）各種片上保護功能有助于實現(xiàn)高度可靠的電源系統(tǒng)
R2A20116集成了各種保護電路，包括輸入交流電壓下降時的停止操作功能和兩個過壓保護電路。這些功能為電源系統(tǒng)帶來了改善的可靠性，而且還有助于簡化電源單元。

R2A20116采用SOP-20表面貼裝封裝或DILP-20插入類型封裝供貨。

瑞薩將繼續(xù)開發(fā)一系列適用于各種功率范圍和應(yīng)用的產(chǎn)品，包括用于大功率器件的千瓦級產(chǎn)品。

<典型應(yīng)用>
•PC、服務(wù)器、數(shù)字家電等的電源單元。

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