車用平面 MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內(nèi)燃機 (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應(yīng)用。
新器件系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的平面技術(shù)，包括 55V 和 150V 標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 N 溝道 MOSFET，以及適用于高側(cè)開關(guān)應(yīng)用的 -55 V 和 -100 V 標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 P 溝道 MOSFET ，這些技術(shù)不需要額外的柵極驅(qū)動電荷泵。有關(guān)的30V、55V 和 100V 邏輯電平柵極驅(qū)動 N 溝道 MOSFET 簡化了柵極驅(qū)動要求，能夠減少電路板空間和零件數(shù)量。所有這些新器件都針對低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 進行了優(yōu)化。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“通過使用 IR 經(jīng)過驗證的平面技術(shù)，這些新型車用器件平臺在線性模式以及需要用堅固的 MOSFET 來驅(qū)動高感性負(fù)載的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外，這些器件非常適合采用較高電路板凈電壓的汽車，如卡車等。”
新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，是在IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
所有 IR 車用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念，并經(jīng)過了動態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及 100% 自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過 1,000 次溫度循環(huán)測試后，導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過 20%。然而，經(jīng)過延長測試后，IR的新款 AU 材料在 5,000 次溫度循環(huán)時的最大導(dǎo)通電阻變化只有 12%，體現(xiàn)了這款材料的高強度和耐用性。
有關(guān)產(chǎn)品現(xiàn)已接受批量訂單。
下載文檔傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因為源極和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只...
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關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管
