本周四,韓國儲存芯片制造商現(xiàn)代半導(dǎo)體宣布,美國商務(wù)部已經(jīng)決定取消對它在美國市場銷售的DRAM儲存芯片征收補貼關(guān)稅。
現(xiàn)代半導(dǎo)體稱,在全球DRAM儲存芯片市場嚴重低迷時期,美國的決定將幫助我們下半年的財務(wù)出現(xiàn)轉(zhuǎn)機。美國是全球主要的DRAM市場,我們可以運用積極的營銷策略自由的在美國銷售DRAM產(chǎn)品。
包括美光科技和英飛凌在內(nèi)的儲存芯片廠商抱怨韓國政府向現(xiàn)代半導(dǎo)體提供了補貼,妨礙了市場的公平競爭。 數(shù)年來,美國、歐盟和日本以韓國政府為其提供不公平補貼為由對現(xiàn)代半導(dǎo)體的DRAM產(chǎn)品征收了數(shù)量不同的補貼關(guān)稅,
3月份歐盟決定正式取消對韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體征收的DRAM 儲存芯片補貼關(guān)稅。日本也將在9月1日對是否征收現(xiàn)代半導(dǎo)體的補貼關(guān)稅作出最終裁決。
目前美國商務(wù)部發(fā)布了一份正式文件通報美國國際貿(mào)易委員會稱,“美國對國內(nèi)當事人請求維持對現(xiàn)代半導(dǎo)體的補貼關(guān)稅措施不感興趣”。2003年美國首次對現(xiàn)代半導(dǎo)體征收補貼關(guān)稅,從8月11日將取消這一措施,美國政府認為,補貼的效應(yīng)可持續(xù)5年。
韓國官員與歐盟及美國代表團已進行了數(shù)月的談判,試圖使歐盟和美國取消具傷害性的補貼關(guān)稅。他們甚至威脅稱,如果不能達成妥協(xié),將在世界貿(mào)易組織(WTO)提出申訴。
象許多儲存芯片制造商一樣, 現(xiàn)代半導(dǎo)體注意到全球DRAM儲存芯片和NAND閃存面臨著非常困難時期。現(xiàn)代半導(dǎo)體關(guān)閉了美國俄勒岡州Eugene市的200毫米DRAM芯片工廠。由于數(shù)月來全球DRAM儲存芯片市場存貨過多,現(xiàn)代半導(dǎo)體和其他公司紛紛關(guān)閉了老時的芯片工廠。
調(diào)查公司iSuppli表示,在二季度溫和的復(fù)蘇后全球DRAM儲存芯片市場的需求再一次下降。調(diào)查公司維持DRAM儲存芯片市場為“中性”等級,并預(yù)期明年下半年之前這一市場難于復(fù)蘇。
今年第二季度,盡管現(xiàn)代半導(dǎo)體的銷售收入比一季度增長了16%達到1.86萬億韓元(約18.2億美元),但公司卻虧損了7110億韓元(約6.975億美元)。去年同期現(xiàn)代半導(dǎo)體實現(xiàn)利潤2135億韓元。全球儲存芯片市場的低迷打擊了現(xiàn)代半導(dǎo)體公司,一季度該公司虧損了6750億韓元(約6.774億美元)。
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在半導(dǎo)體制造中,《國際器件和系統(tǒng)路線圖》將5nm工藝定義為繼7nm節(jié)點之后的MOSFET 技術(shù)節(jié)點。截至2019年,三星電子和臺積電已開始5nm節(jié)點的有限風(fēng)險生產(chǎn),并計劃在2020年開始批量生產(chǎn)。
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