韓美聯(lián)合科研組成功研發(fā)三維集成電路技術(shù)
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，韓美兩國(guó)聯(lián)合科研組成功開(kāi)發(fā)了將半導(dǎo)體電路堆疊，使半導(dǎo)體集成度得到提高的同時(shí)，減少批量生產(chǎn)成本的三維集成電路（3D-IC）商用化技術(shù)。
納米綜合Fab中心、美國(guó)風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)BeSang和斯坦福納米Fab（SNF）11日下午在首爾洲際大酒店召開(kāi)記者會(huì)表示，通過(guò)三維單一芯片集成電路，開(kāi)發(fā)了可代替互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)的3D-IC商用化技術(shù)。
在平面硅板形成電路的二維半導(dǎo)體，因小型化所致的成本上升及技術(shù)問(wèn)題等，無(wú)法進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化，因此半導(dǎo)體業(yè)界一直在研究三維半導(dǎo)體技術(shù)。
但三維半導(dǎo)體制造技術(shù)，需要高溫制造環(huán)境，且半導(dǎo)體層之間易出現(xiàn)缺陷，因此至今未能實(shí)現(xiàn)商用化。
但韓美研究組以180納米技術(shù)和8英寸硅半導(dǎo)體晶片，在400攝氏度以下低溫環(huán)境形成了三維集成電路。
研究組當(dāng)天公開(kāi)了利用新技術(shù)在180納米級(jí)8英寸硅晶片堆疊1.28億個(gè)立式半導(dǎo)體器件（兩層）的三位集成電路。
納米綜合Fab中心表示：“3D-IC技術(shù)形成立式半導(dǎo)體電路，這不僅提高單位面積上的集成度，還進(jìn)行了堆疊，使集成度達(dá)到普通半導(dǎo)體的數(shù)十倍?！?nbsp;
該中心還表示：“此項(xiàng)技術(shù)將徹底改變截至目前的二維半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)體系，它不僅能夠顯著降低半導(dǎo)體生產(chǎn)成本，還將影響未來(lái)的幾代技術(shù)?！?nbsp;
納米綜合Fab中心、美國(guó)風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)BeSang和斯坦福納米Fab（SNF）11日下午在首爾洲際大酒店召開(kāi)記者會(huì)表示，通過(guò)三維單一芯片集成電路，開(kāi)發(fā)了可代替互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)的3D-IC商用化技術(shù)。
在平面硅板形成電路的二維半導(dǎo)體，因小型化所致的成本上升及技術(shù)問(wèn)題等，無(wú)法進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化，因此半導(dǎo)體業(yè)界一直在研究三維半導(dǎo)體技術(shù)。
但三維半導(dǎo)體制造技術(shù)，需要高溫制造環(huán)境，且半導(dǎo)體層之間易出現(xiàn)缺陷，因此至今未能實(shí)現(xiàn)商用化。
但韓美研究組以180納米技術(shù)和8英寸硅半導(dǎo)體晶片，在400攝氏度以下低溫環(huán)境形成了三維集成電路。
研究組當(dāng)天公開(kāi)了利用新技術(shù)在180納米級(jí)8英寸硅晶片堆疊1.28億個(gè)立式半導(dǎo)體器件（兩層）的三位集成電路。
納米綜合Fab中心表示：“3D-IC技術(shù)形成立式半導(dǎo)體電路，這不僅提高單位面積上的集成度，還進(jìn)行了堆疊，使集成度達(dá)到普通半導(dǎo)體的數(shù)十倍?！?nbsp;
該中心還表示：“此項(xiàng)技術(shù)將徹底改變截至目前的二維半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)體系，它不僅能夠顯著降低半導(dǎo)體生產(chǎn)成本，還將影響未來(lái)的幾代技術(shù)?！?nbsp;
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