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[導(dǎo)讀]目前,大多數(shù)正在量產(chǎn)的液晶面板使用的驅(qū)動(dòng)元件均為非晶硅TFT。非晶硅TFT的開(kāi)關(guān)特性優(yōu)異,利用非晶硅TFT驅(qū)動(dòng)的液晶面板用途廣泛,小至手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等小型顯示屏,大至超過(guò)30英寸的大尺寸液晶電視。 非晶硅是指

目前,大多數(shù)正在量產(chǎn)的液晶面板使用的驅(qū)動(dòng)元件均為非晶硅TFT。非晶硅TFT的開(kāi)關(guān)特性優(yōu)異,利用非晶硅TFT驅(qū)動(dòng)的液晶面板用途廣泛,小至手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等小型顯示屏,大至超過(guò)30英寸的大尺寸液晶電視。

非晶硅是指結(jié)晶構(gòu)造為非晶質(zhì),即硅原子不具有金剛石構(gòu)造、處于無(wú)序排列的狀態(tài)。利用非晶硅構(gòu)成TFT通道區(qū)域的就是非晶硅TFT。一般情況下,非晶硅TFT的載流子遷移率約為0.5cm2/Vs,閾值電壓(Vth)約為2V。開(kāi)關(guān)性能方面,導(dǎo)通電流為數(shù)μA,截止電流為10-2A以下。

TFT自身與半導(dǎo)體MOS FET一樣,由柵極、源極和漏極3個(gè)端子構(gòu)成。當(dāng)柵極電壓為約20V的導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),電流由漏極流向源極。處于截止?fàn)顟B(tài)(OV或負(fù)電位)時(shí)不流經(jīng)電流。根據(jù)柵極的構(gòu)成順序,又可分為頂柵(Top Gate)型(或正向交叉型、共面型)和底柵(Bottom Gate)型(反向交叉型)等,但工作原理和基本性能沒(méi)有太大差別。

非晶硅的制造采用等離子CVD(Chemical Vapor Deposition)技術(shù)??稍?50℃以下的較低溫度下,在大尺寸玻璃基板上形成均勻性出色的薄膜。




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