賽靈思公司 今天宣布擴展其16nm UltraScale+ 產(chǎn)品路線圖，面向數(shù)據(jù)中心新增加速強化技術(shù)。其成品將可以提供賽靈思業(yè)界領(lǐng)先的16nmFinFET+ FPGA與集成式高帶寬存儲器 (HBA) 的強大組合優(yōu)勢，并支持最近剛剛宣布推出的加速緩存一致性互聯(lián) (CCIX) 技術(shù)。CCIX由7家業(yè)界龍頭企業(yè)聯(lián)合推出，旨在實現(xiàn)與多處理器架構(gòu)協(xié)同使用的加速架構(gòu)。增強型加速技術(shù)將支持高效的異構(gòu)計算，致力于滿足數(shù)據(jù)中心工作負載最苛刻的要求。新產(chǎn)品在許多其他需要高內(nèi)存帶寬的高計算強度應(yīng)用中也將得到很好的應(yīng)用。

基于臺積 (TSMC)公司業(yè)經(jīng)驗證的 CoWoS 工藝而打造的賽靈思HBMFPGA，可通過提供比分離式存儲器通道高達10倍的的存儲器帶寬大幅提升加速能力。HBM技術(shù)支持封裝集成的多Tb存儲器帶寬，能最大限度地降低時延。為進一步優(yōu)化數(shù)據(jù)中心工作負載，新型CCIX技術(shù)通過讓采用不同指令集架構(gòu)的處理器與賽靈思 HBM FPGA等加速器協(xié)同分享數(shù)據(jù)，推動高效異構(gòu)計算。

賽靈思執(zhí)行副總裁兼可編程產(chǎn)品總經(jīng)理Victor Peng指出：“采用我們第二代3DIC技術(shù)的單個20nm工藝芯片就已經(jīng)可以達到190 億個晶體管，我們現(xiàn)在正在為數(shù)據(jù)中心加速和其他高計算強度設(shè)計打造第三代3DIC突破性技術(shù)。一旦這一技術(shù)與新一代CCIX加速架構(gòu)和我們的軟件定義SDAccel™開發(fā)環(huán)境相結(jié)合，將為加速計算、存儲和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用提供一個全新的高密度靈活型平臺。”

賽靈思已經(jīng)準(zhǔn)備好與業(yè)界領(lǐng)先的超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心客戶聯(lián)手協(xié)作，共同打造最佳配置和產(chǎn)品。