圖為用于45nm工藝測試的300mm晶圓
65納米已經不再熱門,45納米才是重點。當65納米工藝已經大規(guī)模投產之后,整個制造業(yè)已經將目光投向更小的領域。2007我們也許該跟深亞微米時代干杯,去擁抱嶄新的納米時代。
進入納米時代,光學微影技術無疑成為硅晶制造的瓶頸。具體到45納米,為了制造更細微的芯片,必須要降低光學微影技術曝光波長、提高數(shù)值孔徑和微影解析度。為了達到這一要求,降低制造過程微細化電路間的靜態(tài)功耗特別是漏電流,解決RC電路時延問題,防止介質機械強度下滑等問題變得現(xiàn)實起來。同時,還需要繼續(xù)面對增加硅晶體密度、降低電路占用面積、提升工作頻率并降低功耗等老生常談的問題。目前,各大廠商開始導入浸潤式微影技術,而臺機電更是提出了濕浸式微影技術,甚至具備了沖擊32納米的制造實力,與此同時,非可見光的超紫外光微影技術已經提上日程,只有13.5納米的光波長已經足以應付32納米制造。45納米來了,32納米還會遠嗎?
當然,2007還是屬于65納米的,不過Intel已經宣布將在2007量產45納米產品,65納米還在成長階段就已經感受到挑戰(zhàn)的壓力,而這是摩爾幾十年前就預言了的命運。
封裝尺寸在減小,架構層次卻在增加。如果說SoC是平鋪型發(fā)展,SiP則如同黃金地段的摩天大樓一半,芯片結構在不斷堆疊。
SoC已走向混合性的架構,除了功能的多樣性外也嘗試采用混合性的制程技術;同時一顆SoC中可以有多個次系統(tǒng),每個次系統(tǒng)不僅有個別的處理器核心,還可以有自己的OS、firmware和API,并采用平行運算的多任務、多階層架構。SoC中處理器向多核心發(fā)展,而核心可以是RISC,也可以是DSP,而同樣是RISC,可以一邊是ARM核心,另一邊則是MIPS核心。當采用SoC負載平衡管理軟件時,就能為SoC上運行的軟件切割成多項任務,并自動完成多核心之間的負載平衡及任務監(jiān)視工作。但由于SoC需要的光罩層數(shù)會越來越多,潛在的成本問題將愈來愈嚴重,因此這種高成本的平面堆棧封裝技術事實上已經走到盡頭,Intel已經宣告了SoC的死緩,未來勢必會被So3D(System-in-3Dpackage)3D架構電路封裝完全所取代。
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