[導(dǎo)讀]北京時(shí)間7月19日硅谷動(dòng)力從國(guó)外媒體處獲悉:市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli在內(nèi)存市場(chǎng)有增長(zhǎng)跡象和貫穿2007年的內(nèi)存價(jià)格下滑結(jié)束的情況下,將近期DRAM內(nèi)存供應(yīng)商面臨市場(chǎng)條件等級(jí)由消極提升到中性,同時(shí)對(duì)NAND閃存的市場(chǎng)條件等
北京時(shí)間7月19日硅谷動(dòng)力從國(guó)外媒體處獲悉:市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli在內(nèi)存市場(chǎng)有增長(zhǎng)跡象和貫穿2007年的內(nèi)存價(jià)格下滑結(jié)束的情況下,將近期DRAM內(nèi)存供應(yīng)商面臨市場(chǎng)條件等級(jí)由消極提升到中性,同時(shí)對(duì)NAND閃存的市場(chǎng)條件等級(jí)做了同樣的調(diào)整。
iSuppli在今年一月中旬把DRAM內(nèi)存市場(chǎng)的條件等級(jí)降為消極,當(dāng)時(shí)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)正處在嚴(yán)重低迷的狀態(tài),到六月底DRAM內(nèi)存的價(jià)格下滑超過(guò)了70%。但是,iSuppli預(yù)期市場(chǎng)在6月底將跌到底部,7月上半月隨著內(nèi)存原始制造商DRAM內(nèi)存價(jià)格的上漲,內(nèi)存市場(chǎng)的增長(zhǎng)因素將在7月發(fā)生轉(zhuǎn)變。
iSuppli盡管已提升的市場(chǎng)條件等級(jí),但表示仍需繼續(xù)關(guān)注存貨總量。分析師Kim表示DRAM內(nèi)存供應(yīng)商的存貨雖然有些許減少,但在現(xiàn)貨市場(chǎng)仍然偏多,而原始設(shè)備制造商據(jù)信持有三到四周銷(xiāo)量的存貨。一旦批發(fā)商和其他渠道分銷(xiāo)商為尋求利潤(rùn)低價(jià)出售完手中存貨,市場(chǎng)增長(zhǎng)的動(dòng)力將減緩,因?yàn)榇蠖鄶?shù)批發(fā)商和渠道分銷(xiāo)商是在一月前高于當(dāng)前價(jià)格水平時(shí)購(gòu)買(mǎi)的存貨。
在看到DRAM內(nèi)存市場(chǎng)增長(zhǎng)前景的同時(shí),DRAM內(nèi)存供給三季度將少量增長(zhǎng),預(yù)期將低于一、二季度的增長(zhǎng)。內(nèi)存廠商正放松DRAM內(nèi)存的生產(chǎn),轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的NAND閃存生產(chǎn),而臺(tái)灣的廠商正在經(jīng)歷向比80納米技術(shù)跟先進(jìn)的技術(shù)過(guò)渡。NAND閃存的強(qiáng)勁價(jià)格對(duì)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)來(lái)說(shuō)時(shí)一個(gè)積極因素。
盡管NAND閃存的供應(yīng)商正在享受強(qiáng)勁的價(jià)格,iSuppli認(rèn)為2季度的NAND閃存價(jià)格上漲主要是因?yàn)楣┙o增長(zhǎng)下降而不是需求增長(zhǎng),當(dāng)前的價(jià)格反彈持續(xù)時(shí)間不會(huì)太長(zhǎng),韓國(guó)的三星電子和海力士已經(jīng)在5月底6月初開(kāi)始將DRAM內(nèi)存產(chǎn)能轉(zhuǎn)化為NAND閃存產(chǎn)能,在DRAM內(nèi)存供應(yīng)商的NAND閃存產(chǎn)量顯著提高時(shí),8月份NAND閃存價(jià)格將繼續(xù)下跌。iSuppli相信NAND閃存市場(chǎng)仍然需要蘋(píng)果iPhone手機(jī)以外的需求推動(dòng),才能在今年下半年實(shí)行恢復(fù)。
欲知詳情,請(qǐng)下載word文檔
下載文檔
本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專(zhuān)欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
(全球TMT2022年10月18日訊)10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過(guò)驗(yàn)證,可在驍龍(Snapdragon?)移動(dòng)平臺(tái)上使用,該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過(guò)...
關(guān)鍵字:
DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示,在高通脹影響下,消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買(mǎi)方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購(gòu),導(dǎo)致供應(yīng)商庫(kù)存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí),各DRAM供應(yīng)...
關(guān)鍵字:
消費(fèi)性
DRAM
智能手機(jī)
- 在驍龍(Snapdragon)移動(dòng)平臺(tái)上,三星以8.5Gbps的運(yùn)行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗(yàn)證,為L(zhǎng)PDDR(移動(dòng)端)內(nèi)存打開(kāi)了新市場(chǎng)。 深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日,三...
關(guān)鍵字:
DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會(huì)上公布了未來(lái)的3大規(guī)劃方向,其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類(lèi)內(nèi)存和無(wú)晶圓廠的整體解決方案。
關(guān)鍵字:
存儲(chǔ)
三星
NAND
DRAM
據(jù)韓媒報(bào)道,在日前舉辦的行業(yè)活動(dòng)上,IDC韓國(guó)副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計(jì),存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示,今年的市場(chǎng)需求較最初預(yù)期更為糟糕,預(yù)計(jì)來(lái)年三季度DRAM和NAN...
關(guān)鍵字:
SSD
DRAM
IDC
INSIGHT
與其他類(lèi)型的半導(dǎo)體相比,存儲(chǔ)芯片的競(jìng)爭(zhēng)廠商數(shù)量更多,而且芯片本身的差異化程度較低,這使得存儲(chǔ)芯片更加商品化,對(duì)需求變化也就更加敏感。存儲(chǔ)芯片通常是第一個(gè)感受到需求變化并出現(xiàn)價(jià)格下跌的組件。
關(guān)鍵字:
存儲(chǔ)芯片
半導(dǎo)體
DRAM
(全球TMT2022年9月22日訊)Omdia《半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局追蹤(Competitive Landscape Tracker)》報(bào)告顯示,2022年第二季度半導(dǎo)體市場(chǎng)收入首次下滑,增長(zhǎng)進(jìn)一步疲軟。2022年第二季...
關(guān)鍵字:
半導(dǎo)體市場(chǎng)
英特爾
MPU
內(nèi)存市場(chǎng)
Sep. 22, 2022 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示,在高通脹影響下,消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買(mǎi)方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購(gòu),導(dǎo)致供應(yīng)商庫(kù)...
關(guān)鍵字:
TrendForce集邦咨詢(xún)
DRAM
北京2022年9月22日 /美通社/ -- Omdia《半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局追蹤(Competitive Landscape Tracker)》報(bào)告顯示,2022年第二季度半導(dǎo)體市場(chǎng)收入首次下滑,增長(zhǎng)進(jìn)一步疲軟。2022年...
關(guān)鍵字:
半導(dǎo)體市場(chǎng)
英特爾
MPU
內(nèi)存市場(chǎng)
(全球TMT2022年9月22日訊)DRAM市場(chǎng)出現(xiàn)急劇下滑 研究機(jī)構(gòu)IC Insights日前表示,DRAM市場(chǎng)出現(xiàn)急劇下滑。6月份全球DRAM產(chǎn)品銷(xiāo)售額環(huán)比下滑36%,7月份再次環(huán)比下滑21%,較5月...
關(guān)鍵字:
DRAM
可持續(xù)發(fā)展
INSIGHT
手機(jī)
據(jù)統(tǒng)計(jì),隨著Intel閃存業(yè)務(wù)被SK海力士收購(gòu),韓國(guó)企業(yè)三星+SK海力士合計(jì)占市場(chǎng)份額已經(jīng)超過(guò)50%。
關(guān)鍵字:
閃存
NAND閃存
三星
海力士
Aug. 29, 2022 ---- 由于過(guò)去兩年疫情造成生活形態(tài)改變,遠(yuǎn)程教育需求增長(zhǎng),電子產(chǎn)品銷(xiāo)售暢旺,帶動(dòng)DRAM模組的出貨增長(zhǎng),據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)統(tǒng)計(jì),2021年全球DRAM模組市場(chǎng)整體銷(xiāo)售額達(dá)181...
關(guān)鍵字:
TrendForce集邦咨詢(xún)
DRAM
8月20日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域業(yè)務(wù)廣泛的三星電子,在終端產(chǎn)品及關(guān)鍵零部件方面都實(shí)力強(qiáng)勁,他們也是當(dāng)前全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商,在DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的份額都遠(yuǎn)高于其他廠商。
關(guān)鍵字:
三星
DRAM
面板
存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支,約占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的四分之一至三分之一。存儲(chǔ)器已經(jīng)形成主要由DRAM與Flash構(gòu)成的超千億美元的市場(chǎng)。盡管存儲(chǔ)器產(chǎn)品品類(lèi)眾多,但從產(chǎn)品營(yíng)收貢獻(xiàn)的角度來(lái)看,DRAM和Flash(NAND、N...
關(guān)鍵字:
ReRAM
DRAM
NAND
JSR株式會(huì)社(JSR Corporation)今天宣布加速與SK hynix Inc.的合作開(kāi)發(fā)進(jìn)程,以便將JSR旗下公司Inpria的極紫外光刻(EUV)金屬氧化物抗蝕劑(MOR)應(yīng)用于制造先進(jìn)的DRAM芯片。Inp...
關(guān)鍵字:
DRAM
金屬氧化物抗蝕劑
EUV
新聞概要 公司全球首發(fā)238層 512Gb TLC 4D NAND閃存,將于明年上半年投入量產(chǎn) 成功研發(fā)層數(shù)最高,面積最小的NAND閃存,并顯著改善生產(chǎn)效率、數(shù)據(jù)傳輸速度、功耗等特性 "公司將持...
關(guān)鍵字:
SK海力士
NAND閃存
CE
LEVEL
(全球TMT2022年8月3日訊)SK海力士于8月3日宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存。SK海力士向客戶(hù)發(fā)送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND閃存...
關(guān)鍵字:
SK海力士
NAND閃存
芯片
SSD
(全球TMT2022年6月9日訊)SK海力士宣布公司開(kāi)始量產(chǎn)HBM3 -- 擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的DRAM。HBM (High Bandwidth Memory,高帶寬存儲(chǔ)器):是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合...
關(guān)鍵字:
DRAM
英偉達(dá)
SK海力士
HB
與以往版本相比,新開(kāi)發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍,從而讓服務(wù)器擴(kuò)展至數(shù)十TB,而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一 三星還將推出其開(kāi)源軟件工具包的升級(jí)版本,以推動(dòng)CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署 深圳2022年5...
關(guān)鍵字:
DRAM
三星
內(nèi)存
擴(kuò)展器