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[導(dǎo)讀]北京時(shí)間7月19日硅谷動(dòng)力從國(guó)外媒體處獲悉:市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli在內(nèi)存市場(chǎng)有增長(zhǎng)跡象和貫穿2007年的內(nèi)存價(jià)格下滑結(jié)束的情況下,將近期DRAM內(nèi)存供應(yīng)商面臨市場(chǎng)條件等級(jí)由消極提升到中性,同時(shí)對(duì)NAND閃存的市場(chǎng)條件等

北京時(shí)間7月19日硅谷動(dòng)力從國(guó)外媒體處獲悉:市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli在內(nèi)存市場(chǎng)有增長(zhǎng)跡象和貫穿2007年的內(nèi)存價(jià)格下滑結(jié)束的情況下,將近期DRAM內(nèi)存供應(yīng)商面臨市場(chǎng)條件等級(jí)由消極提升到中性,同時(shí)對(duì)NAND閃存的市場(chǎng)條件等級(jí)做了同樣的調(diào)整。

iSuppli在今年一月中旬把DRAM內(nèi)存市場(chǎng)的條件等級(jí)降為消極,當(dāng)時(shí)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)正處在嚴(yán)重低迷的狀態(tài),到六月底DRAM內(nèi)存的價(jià)格下滑超過(guò)了70%。但是,iSuppli預(yù)期市場(chǎng)在6月底將跌到底部,7月上半月隨著內(nèi)存原始制造商DRAM內(nèi)存價(jià)格的上漲,內(nèi)存市場(chǎng)的增長(zhǎng)因素將在7月發(fā)生轉(zhuǎn)變。

iSuppli盡管已提升的市場(chǎng)條件等級(jí),但表示仍需繼續(xù)關(guān)注存貨總量。分析師Kim表示DRAM內(nèi)存供應(yīng)商的存貨雖然有些許減少,但在現(xiàn)貨市場(chǎng)仍然偏多,而原始設(shè)備制造商據(jù)信持有三到四周銷(xiāo)量的存貨。一旦批發(fā)商和其他渠道分銷(xiāo)商為尋求利潤(rùn)低價(jià)出售完手中存貨,市場(chǎng)增長(zhǎng)的動(dòng)力將減緩,因?yàn)榇蠖鄶?shù)批發(fā)商和渠道分銷(xiāo)商是在一月前高于當(dāng)前價(jià)格水平時(shí)購(gòu)買(mǎi)的存貨。

在看到DRAM內(nèi)存市場(chǎng)增長(zhǎng)前景的同時(shí),DRAM內(nèi)存供給三季度將少量增長(zhǎng),預(yù)期將低于一、二季度的增長(zhǎng)。內(nèi)存廠商正放松DRAM內(nèi)存的生產(chǎn),轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的NAND閃存生產(chǎn),而臺(tái)灣的廠商正在經(jīng)歷向比80納米技術(shù)跟先進(jìn)的技術(shù)過(guò)渡。NAND閃存的強(qiáng)勁價(jià)格對(duì)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)來(lái)說(shuō)時(shí)一個(gè)積極因素。

盡管NAND閃存的供應(yīng)商正在享受強(qiáng)勁的價(jià)格,iSuppli認(rèn)為2季度的NAND閃存價(jià)格上漲主要是因?yàn)楣┙o增長(zhǎng)下降而不是需求增長(zhǎng),當(dāng)前的價(jià)格反彈持續(xù)時(shí)間不會(huì)太長(zhǎng),韓國(guó)的三星電子和海力士已經(jīng)在5月底6月初開(kāi)始將DRAM內(nèi)存產(chǎn)能轉(zhuǎn)化為NAND閃存產(chǎn)能,在DRAM內(nèi)存供應(yīng)商的NAND閃存產(chǎn)量顯著提高時(shí),8月份NAND閃存價(jià)格將繼續(xù)下跌。iSuppli相信NAND閃存市場(chǎng)仍然需要蘋(píng)果iPhone手機(jī)以外的需求推動(dòng),才能在今年下半年實(shí)行恢復(fù)。
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