韓國下下一代半導體策略技術(shù)的四大重點研發(fā)領(lǐng)域已確定為：系統(tǒng)設(shè)計、納米集成工程、下一代存儲器、系統(tǒng)統(tǒng)合。此次的推進策略與以往不同，要采取“共同研發(fā)”和設(shè)備材料需求企業(yè)之間的協(xié)作體系。
據(jù)韓國媒體報道，韓國產(chǎn)業(yè)資源部要以當前正改編中的策略技術(shù)開發(fā)體系為基礎(chǔ)，以此確定從明年開始的下下一代半導體研發(fā)，并對此加強政策支持。
韓國產(chǎn)資部未來生活產(chǎn)業(yè)本部長透露，通過四大領(lǐng)域的重點研發(fā)，大幅度增加根源、前沿的研發(fā)投資，從而確保系統(tǒng)半導體設(shè)計以及工程技術(shù)的領(lǐng)先，并增強產(chǎn)、學、研以及供、需企業(yè)之間的協(xié)作。
為此，產(chǎn)資部以共同研發(fā)項目的擴大和設(shè)備、材料產(chǎn)業(yè)的同步增長作為推進策略。
在四大重點研發(fā)領(lǐng)域中，系統(tǒng)設(shè)計的目標是將當前分別處于23位、13位(世界前100的基準)左右水平的半導體設(shè)計和制造技術(shù)提高到美國、日本、中國臺灣的水平。為了積極應對半導體行業(yè)細小化、集成化的趨勢而需要進一步強化的納米集成工程，其目標不僅是確保新技術(shù)主導權(quán)，而且要提高設(shè)備、材料產(chǎn)業(yè)的競爭力。與此同時，下一代存儲器的核心是通過加強相關(guān)研發(fā)，使得當前DRAM、NANDFlash的主導權(quán)擴展到性質(zhì)上與此不同的PRAM、FeRAM、ReRAM等技術(shù)上，從而進一步拉大與競爭國家之間的差距。
除此以外，在系統(tǒng)領(lǐng)域上要把焦點放在半導體領(lǐng)域和其他產(chǎn)業(yè)之間的聯(lián)系上。其策略是從產(chǎn)品的策劃階段開始，通過與電子、通信、汽車等共同開發(fā)，占領(lǐng)新的半導體市場。
產(chǎn)資部有關(guān)人員透露，通過加強中小設(shè)備、零部件企業(yè)和半導體大企業(yè)的協(xié)助，消除半導體產(chǎn)業(yè)的不均衡發(fā)展，組成健全的半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系，這也是政府的主要政策方向。當前，設(shè)備、原料、零部件占據(jù)著半導體生產(chǎn)成本的65%以上，但國產(chǎn)化率較低，如設(shè)備的國產(chǎn)化率不到20%，零部件、原料的國產(chǎn)化率不到40%。
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