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TI推出首款鎖相環(huán)集成式DDR3寄存器量產(chǎn)版本

時(shí)間：2008-05-02 09:30:34
關(guān)鍵字： 寄存器    鎖相環(huán)    集成    DDR3   
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[導(dǎo)讀] 德州儀器 (TI) 宣布推出首款針對(duì)寄存式雙列直插式存儲(chǔ)器模塊(RDIMM)的鎖相環(huán) (PLL) 集成式DDR3寄存器的量產(chǎn)版本SN74SSQE32882。該器件在廣泛的電壓與溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了恒定的時(shí)鐘與輸出延遲，從而實(shí)現(xiàn)了較高的系統(tǒng)

    德州儀器 (TI) 宣布推出首款針對(duì)寄存式雙列直插式存儲(chǔ)器模塊(RDIMM)的鎖相環(huán) (PLL) 集成式DDR3寄存器的量產(chǎn)版本SN74SSQE32882。該器件在廣泛的電壓與溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了恒定的時(shí)鐘與輸出延遲，從而實(shí)現(xiàn)了較高的系統(tǒng)穩(wěn)定性。單芯片四排模塊支持不僅能夠節(jié)省總體板級(jí)空間，而且還降低了功耗，從而能夠滿足服務(wù)器、工作站與存儲(chǔ)設(shè)備的要求。

TI推出首款鎖相環(huán)集成式DDR3寄存器量產(chǎn)版本鎖相環(huán)集成式DDR3寄存器量產(chǎn)版本 src="/21ic_image/21icimage/zb-images/167/0240025001209563848.jpg" align=right border=0>

    SN74SSQE32882 28 位至 56 位寄存緩沖器可在 1.5V VDD 下工作，并支持奇偶校驗(yàn)功能，以確保可靠性。該器件支持800Mbps至1,333Mbps的高數(shù)據(jù)速率，從而實(shí)現(xiàn)了更高的靈活性，并可在一個(gè)模塊上支持多達(dá) 72 個(gè) DRAM。

其他關(guān)鍵特性

  • CKE 關(guān)斷模式；

  • 控制模式寄存器；

  • 輸出驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度控制；

  • 工作頻率：300 至 670 MHz

    SN74SSQE32882 超出了美國(guó)電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì) (Joint Electron Device Engineering Council) 就整個(gè)溫度與電壓范圍內(nèi)的穩(wěn)定性定義的規(guī)范要求，這就保證了高性能服務(wù)器系統(tǒng)的可靠性。

    DDR 解決方案簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)工作

    TI 的 DDR3寄存器壯大了主要 DDR2寄存器與 PLL 器件（如 CDCUA877 與 SN74SSTUB32866）的產(chǎn)品陣容。此外，TPS51116 與 TPS51100 DC/DC 控制器還顯著減少了支持 DDR 系統(tǒng)所有電源管理要求所需的外部組件數(shù)。

供貨

    采用 176 焊球 MicroStar BGA 封裝的 SN74SSQE32882 現(xiàn)已開始供貨。

來源：電子元器件網(wǎng)

作者：tee

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