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[導(dǎo)讀]美國(guó)Peregrine Semiconductor開(kāi)發(fā)出便攜設(shè)備用天線(xiàn)調(diào)諧技術(shù)“DuNE”。該技術(shù)以數(shù)字方式調(diào)整嵌入半導(dǎo)體芯片內(nèi)的可變?nèi)萘侩娙萜鞯娜萘恐担刂婆c芯片相連接天線(xiàn)的阻抗。該公司把這一電容器稱(chēng)為“DTC(digitally tunabl

美國(guó)Peregrine Semiconductor開(kāi)發(fā)出便攜設(shè)備天線(xiàn)調(diào)諧技術(shù)“DuNE”。該技術(shù)以數(shù)字方式調(diào)整嵌入半導(dǎo)體芯片內(nèi)的可變?nèi)萘?font class=f14>電容器的容量值,控制與芯片相連接天線(xiàn)的阻抗。該公司把這一電容器稱(chēng)為“DTC(digitally tunable Capacitor)”。采用該公司的藍(lán)寶石上硅技術(shù)“UltraCMOS”和減小互調(diào)失真的電路技術(shù)“HaRP”而實(shí)現(xiàn)。

該公司尖端技術(shù)部門(mén)經(jīng)理Tero Ranta強(qiáng)調(diào),“目前手機(jī)設(shè)計(jì)者面臨的最大問(wèn)題是難以提高多頻帶、多模手機(jī)上配備的天線(xiàn)的接收性能。以動(dòng)態(tài)調(diào)諧天線(xiàn)阻抗的功能便可解決該問(wèn)題。但目前在可處理的電力、可靠性以及量產(chǎn)規(guī)模等方面沒(méi)有滿(mǎn)足手機(jī)行業(yè)要求的技術(shù)”。

該公司所列舉的競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)有兩項(xiàng)。分別是使用MEMS(micro electro mechanical systems)技術(shù)的調(diào)諧元件和使用強(qiáng)介電體材料(BST等)的調(diào)諧元件。Tero Ranta認(rèn)為,這兩個(gè)競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)存在3個(gè)共同問(wèn)題。第一,量產(chǎn)規(guī)模仍然較小。第二,需使用超過(guò)30V的偏壓。第三,需準(zhǔn)備外置的電荷泵芯片和控制芯片。

使用此次開(kāi)發(fā)的天線(xiàn)調(diào)諧技術(shù)的話(huà),可解決上述競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)的所有問(wèn)題。首先,由于可通過(guò)低壓串行接口調(diào)整芯片上集成的可變?nèi)萘侩娙萜鞯娜萘恐?,因此不需要使用偏壓。該容量值可按?bit分辨率(32級(jí))進(jìn)行調(diào)整。調(diào)整范圍為0.5p~10pF。

不需要外置芯片。通過(guò)使用上述的藍(lán)寶石上硅技術(shù),可同時(shí)集成射頻電路、模擬電路以及數(shù)字電路。即使不集成而以其它芯片實(shí)現(xiàn),通過(guò)使用CSP(chip scale package),與競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)相比,安裝面積也可減至1/5左右。

另外,可處理的電力也有所增大。在阻抗為50Ω的情況下,最小可通過(guò)38dBm的電力??勺?nèi)萘侩娙萜鞯腝值為40~80(在1G~2GHz情況下),三階交調(diào)截取點(diǎn)(IP3)為+65dBm,開(kāi)關(guān)時(shí)間最長(zhǎng)為5μs。

Peregrine計(jì)劃首先于2009年向市場(chǎng)投放面向便攜設(shè)備的電視接收天線(xiàn)使用的DCT芯片。該芯片的可變?nèi)萘?strong>電容器的調(diào)整分辨率為5bit,調(diào)整范圍為1.36p~6.3pF。支持的頻率范圍為470M~862MHz,在該范圍中的Q值可確保在40~70。可處理的電力最小為+28dBm,輸入三階交調(diào)截取點(diǎn)(IIP3)最小為+62dBm。電源電壓為2.75V,消耗電流為11μA。采用安裝面積為2mm×2mm的8端子DFN。

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