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[導讀]在全球能源危機的基調(diào)下,空調(diào)能效備受關注。2008年中國生產(chǎn)的9000多萬臺空調(diào),其中過半產(chǎn)品在大陸銷售。中國每年新裝空調(diào)容量早已超過三峽大壩的總裝機量;在上海等沿海大城市,夏天用電高峰時空調(diào)所耗電量超過了總

在全球能源危機的基調(diào)下,空調(diào)能效備受關注。2008年中國生產(chǎn)的9000多萬臺空調(diào),其中過半產(chǎn)品在大陸銷售。中國每年新裝空調(diào)容量早已超過三峽大壩的總裝機量;在上海等沿海大城市,夏天用電高峰時空調(diào)所耗電量超過了總負荷的40%。因此,新的國家空調(diào)能效標準于2009年初出臺,對空調(diào)的能耗進行限制。其中,新標準將空調(diào)能效比(EER, Energy Efficiency Ratio)作為節(jié)能基準,它等于制冷或制熱量功率與輸入功率之比,EER比值越大,表示空調(diào)的效率越高,因此也就越節(jié)能(參見表1)。

<strong>直流</strong><strong>變頻空調(diào)</strong>將風行,BLDC驅(qū)動<strong>器件</strong>市場前景看漲

強制法規(guī)的出臺使得定速空調(diào)生存空間受壓,不得不進行庫存處理低價拋售的同時,也吹響了變頻空調(diào)(inverter air-conditioner)爆炸性擴張的集結(jié)號。2007年,中國生產(chǎn)的變頻空調(diào)還占總產(chǎn)量的7%,而當前市面上,海信、美的、格力、海爾等主流品牌的變頻空調(diào)已是"亂花漸欲迷人眼"。

由于日本空調(diào)技術發(fā)展較快,日本半導體廠商在本土頂尖空調(diào)生產(chǎn)商的技術交流過程中積累了大量的know-how。而直流變頻較其他驅(qū)動形式來得復雜,BLDC驅(qū)動必須與電機相匹配。中國市場當前的主要空調(diào)變頻器件供應商有日本瑞薩、三洋、東芝、三菱重工、NEC和TI、IR等。同時,相對交流電機的AC驅(qū)動,BLDC電機驅(qū)動技術具有高效率、低噪音和低振動的優(yōu)勢。未來幾年直流變頻技術也必將在中國家用空調(diào)市場普及,推高中國的BLDC(直流無刷電機)半導體驅(qū)動器件市場需求。其中,180度正弦波直流驅(qū)動技術也有逐漸成為主流技術之勢態(tài)。 
直流變頻空調(diào)將風行,<strong>BLDC驅(qū)動器</strong>件市場前景看漲
圖1:三相BLDC電機驅(qū)動結(jié)構(gòu)圖。圖片來源:ROHM半導體

從圖1的BLDC電機驅(qū)動示意圖可以看出,控制和功率器件為主要的半導體器件成本所在。其中,控制器件選擇主要有通用的MCU和定制的控制邏輯芯片兩種,功率部分則可根據(jù)逆變應用不同而選擇IGBT或MOSFET。

面對龐大的市場,另一日本半導體巨頭ROHM(羅姆)半導體也開始發(fā)力直流變頻空調(diào)用半導體器件市場。在不久前舉辦的“中國小電機技術研討會暨展覽會”上,ROHM半導體展示了其在電機驅(qū)動領域的眾多半導體器件與解決方案。

該公司LSI開發(fā)本部的大谷憲司表示:“直流變頻驅(qū)動是節(jié)能空調(diào)的趨勢,ROHM半導體對高速發(fā)展的中國家電市場尤為重視,同時也認為目前是切入直流變頻驅(qū)動市場的好時機。”而ROHM半導體面向直流變頻空調(diào)的風扇控制芯片可以以定制或通用的控制邏輯芯片形式提供,驅(qū)動算法全部由芯片處理,簡化了設計難度和加速產(chǎn)品上市。

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圖2:SPM(表面永磁電機)的電壓-電流矢量圖。

據(jù)介紹,通過使SPM內(nèi)轉(zhuǎn)子和外轉(zhuǎn)子型BLDC電機的反電動勢Ea矢量和電流Ia矢量方向一致,可以獲得高效的驅(qū)動(見圖2)。因此,ROHM半導體推出了空調(diào)BLDC電機使用的三相無刷直流電機控制器BD6209FS。該芯片內(nèi)置了180度正弦波驅(qū)動、正轉(zhuǎn)/反轉(zhuǎn)功能、同步整流、以及0至60度的Ea和Ia相位控制,同時也支持OCP、OVP、TSD和UV四種保護電路。

在空調(diào)風扇變頻的功率器件方面,基于IGBT在大電流(大負荷)時的低導通電阻特性,在高功率應用下可考慮選用IGBT,而在空調(diào)運轉(zhuǎn)速度不變時,由于電流低,則選用MOSFET為佳。ROHM的高耐壓產(chǎn)品――PrestoMOS,據(jù)稱是全球首款通過在局部形成陷阱能級的超結(jié)(Supper Junction)MOSFET,它的反向恢復時間trr縮短到只有70ns,而這對于超結(jié)功率器件的結(jié)構(gòu)和制造工藝都是相對困難的。加上超結(jié)功率器件固有的開關速度快、快速trr和導通電阻低的特性,該器件無需接入FRD(快速恢復二極管)就可以應用于高壓變頻電路。

大谷憲司強調(diào):“中國的無刷直流電機設計才剛剛開始,中國工程師在相關的電機構(gòu)造、回路設計方法等基本知識方面經(jīng)驗不足,僅僅提供半導體器件,市場開發(fā)是不可能有進展的。而為了進一步降低成本和簡化客戶設計,ROHM半導體將會推出基于BD62xx系列控制芯片、柵極驅(qū)動和功率器件的單芯片驅(qū)動模塊,預計2010年將會提供樣片。”

另據(jù)大谷憲司透露,在空調(diào)壓縮機應用領域,ROHM半導體正聯(lián)合其不久前收購的OKI半導體導入相關半導體驅(qū)動方案。這是一款無傳感器的驅(qū)動方案,預計2011年可以提供樣片。其中ROHM半導體正為此開發(fā)SiC工藝的高功率模塊,包括開關損耗更低和溫度特性更穩(wěn)定的SiC MOSFET和大電流SiC肖特基二極管,而OKI半導體則負責開發(fā)矢量控制的MCU。

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