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三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程N(yùn)AND閃存

時(shí)間：2010-04-22 09:08:34

關(guān)鍵字：三星電子 NAND閃存 GB CONTROLLER

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[導(dǎo)讀]據(jù)外電報(bào)道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。 20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導(dǎo)體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。三星

據(jù)外電報(bào)道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。

20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導(dǎo)體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。

三星電子相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，公司同時(shí)開發(fā)20納米制程32GB多層單元專用controller，確保了與30納米級(jí)NAND閃存相同的穩(wěn)定性。

三星電子的20納米制程N(yùn)AND閃存將先用于手機(jī)存儲(chǔ)卡SD卡。

此外，今年2月公布開發(fā)20納米制程64GBNAND閃存的海力士半導(dǎo)體，計(jì)劃于今年第三季度投入量產(chǎn)，英特爾和Micron合資組建的IMFlash技術(shù)有限責(zé)任公司則將于第二季度開始批量生產(chǎn)。

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