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[導(dǎo)讀]新芯是國(guó)內(nèi)一家12英寸集成電路制造企業(yè)。該公司只生產(chǎn)12英寸晶圓,目前產(chǎn)能還比較小(每月有1萬多片),產(chǎn)品包括NOR Flash和BSI(背照式)圖像傳感器。該公司董事長(zhǎng)王繼增表示,公司定位從一開始就是生產(chǎn)NOR Flash,制程

新芯是國(guó)內(nèi)一家12英寸集成電路制造企業(yè)。該公司只生產(chǎn)12英寸晶圓,目前產(chǎn)能還比較小(每月有1萬多片),產(chǎn)品包括NOR Flash和BSI(背照式)圖像傳感器。該公司董事長(zhǎng)王繼增表示,公司定位從一開始就是生產(chǎn)NOR Flash,制程覆蓋90nm、65nm、45nm,32nm技術(shù)正在做研發(fā)。NOR Flash的技術(shù)比較特殊,新芯可以在45nm單芯片做到8G的容量。因?yàn)镹OR Flash的量不是很大,全球每年大概就是35~45億美元的市場(chǎng)規(guī)模,而且在一些低容量的市場(chǎng)受到NAND Flash的侵蝕,所以這塊的產(chǎn)能維持在1萬多片,不會(huì)去擴(kuò)容。另外的BSI產(chǎn)品則是與美國(guó)的OV公司合作,會(huì)根據(jù)市場(chǎng)需求擴(kuò)一定的量。

“我們也在考慮下一個(gè)做什么。分析了國(guó)際國(guó)內(nèi)市場(chǎng),我覺得NAND Flash是一個(gè)方向,特別是3D NAND Flash,集成電路物理制程會(huì)走到一個(gè)極限,再往下縮線寬成本會(huì)很高,用三維技術(shù)就可以避免這個(gè)難題,所以三維是一個(gè)非常好的方向?!蓖趵^增說道。

“預(yù)計(jì)2015年后3D的NAND Flash開始迅速發(fā)展,而傳統(tǒng)的2D NAND Flash會(huì)快速地被3D產(chǎn)品所取代?!蓖趵^增表示,“未來我們的定位是中國(guó)的存儲(chǔ)器專業(yè)廠商,計(jì)劃是利用兩年的時(shí)間把3D NAND Flash做出來。NAND Flash全球規(guī)模有350~400億美元,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)就占了50~60%,市場(chǎng)很大,但是國(guó)內(nèi)沒有存儲(chǔ)器廠商。為什么只做3D的而不做2D是因?yàn)樽?D機(jī)會(huì)不大,我們的技術(shù)較國(guó)外落后很多,每一代研發(fā)成本也很高,很難在2D成功。3D不需要靠微縮增加容量,而是靠堆疊,也就是靠刻蝕的功底。這方面技術(shù)國(guó)外公司也是剛剛開始,所以是很好的一個(gè)切入點(diǎn)?!?BR>
據(jù)了解,3D NAND Flash的堆疊層數(shù)越多,容量越大,與2D技術(shù)相比在同樣面積和線寬下可以拓展很大容量。當(dāng)然,其生產(chǎn)設(shè)備與2D的也不一樣,制造中有一道特殊的刻蝕工藝,即多層一起刻蝕,這個(gè)技術(shù)要求很高,需要重點(diǎn)突破。
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