GLOBALFOUNDRIES公司CEO：“2012年下半年開(kāi)始20nm工藝量產(chǎn)”
[導(dǎo)讀]美國(guó)知名半導(dǎo)體代工企業(yè)GLOBALFOUNDRIES公司2011年1月25日在東京召開(kāi)了記者招待會(huì)，該公司首席執(zhí)行官（CEO）Douglas Grose公布了28～20nm工藝的量產(chǎn)和產(chǎn)能擴(kuò)大計(jì)劃。28nm工藝方面，預(yù)定2011年4～6月進(jìn)行首批顧客的送
美國(guó)知名半導(dǎo)體代工企業(yè)GLOBALFOUNDRIES公司2011年1月25日在東京召開(kāi)了記者招待會(huì)，該公司首席執(zhí)行官（CEO）Douglas Grose公布了28～20nm工藝的量產(chǎn)和產(chǎn)能擴(kuò)大計(jì)劃。28nm工藝方面，預(yù)定2011年4～6月進(jìn)行首批顧客的送廠生產(chǎn)（Tape-out，接受設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)）。28nm工藝的下一個(gè)全代工藝(Full-node)設(shè)定為20nm工藝，將于2012年下半年開(kāi)始進(jìn)行少量量產(chǎn)。關(guān)于2011年的設(shè)備投資，將投入相當(dāng)于2010年兩倍的54億美元，用于擴(kuò)大德國(guó)和美國(guó)生產(chǎn)基地的產(chǎn)能。該公司計(jì)劃在今后兩年內(nèi)，將總產(chǎn)能提高到原來(lái)的2倍。
GLOBALFOUNDRIES公司2010年1月與新加坡特許半導(dǎo)體公司（Chartered Semiconductor Manufacturing）進(jìn)行了業(yè)務(wù)整合，之后用一年的時(shí)間“成為了能為顧客提供全方位（Full-range）服務(wù)的國(guó)際型企業(yè)”（Grose）。最近，該公司正穩(wěn)步提高其在代工業(yè)界的地位，比如，宣布產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃，爭(zhēng)取到了瑞薩電子成為其最先進(jìn)工藝的客戶(hù)等。目前還在與東芝進(jìn)行生產(chǎn)委托相關(guān)交涉。今后將在以微細(xì)化為核心的技術(shù)開(kāi)發(fā)和產(chǎn)能兩方面，與業(yè)界第一的臺(tái)灣臺(tái)積電公司（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）展開(kāi)正面競(jìng)爭(zhēng)。
微細(xì)化方面，前不久GLOBALFOUNDRIES公司宣布已經(jīng)對(duì)28nm工藝的設(shè)計(jì)流程進(jìn)行了完善。該工藝采用了在晶體管制造工序中先制造金屬柵極(Metal-gate)的先柵極（Gate-first）方式高介電率（High-k）絕緣膜/金屬柵極。與TSMC等采用的后柵極（Gate-last）方式相比，能夠使28nm工藝的芯片面積縮小10～20％。
28nm工藝可提供SLP（低功耗）版，HP（高速）版，HPP（超高速）版等3種工藝。將與在CMOS工藝開(kāi)發(fā)方面進(jìn)行合作的“Common Platform Alliance”成員企業(yè)（美國(guó)IBM公司、韓國(guó)三星電子公司、意法半導(dǎo)體公司）同時(shí)，從2011年起開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。
GLOBALFOUNDRIES公司面向比28nm率先實(shí)現(xiàn)的32nm工藝，開(kāi)始進(jìn)行high-k柵極絕緣膜/金屬柵極技術(shù)的應(yīng)用。目前已經(jīng)在為美國(guó)AMD公司（Advanced Micro Devices）生產(chǎn)的微型傳感器制造中導(dǎo)入了該技術(shù)，已經(jīng)供貨數(shù)萬(wàn)個(gè)樣品芯片。
在28nm工藝之后，GLOBALFOUNDRIES計(jì)劃“跳過(guò)22nm工藝直接過(guò)渡到20nm工藝領(lǐng)域”（Grose）。這一戰(zhàn)略與TSMC相同。20nm工藝方面，目前正在與初期顧客進(jìn)行合作，2011年下半年將開(kāi)始提供少量芯片試制服務(wù)（Shuttle Service）。計(jì)劃從2012年下半年起開(kāi)始進(jìn)行少量量產(chǎn)。該工藝將新采用后柵極方式的high-k柵極絕緣膜/金屬柵極。改變28nm工藝的前柵極方式的理由在于“我們認(rèn)為顧客希望在20nm工藝中采用后柵極方式”（Grose）。該工藝中也準(zhǔn)備了SLP版和HP版等多個(gè)工藝。
作為微細(xì)化核心的光刻（lithography）技術(shù)方面，GLOBALFOUNDRIES在EUV（超紫外線(xiàn)）曝光的導(dǎo)入上表現(xiàn)出了積極的姿態(tài)。打算“成為EUV曝光量產(chǎn)裝置的首批用戶(hù)之一”（Grose）。計(jì)劃2012年下半年向美國(guó)生產(chǎn)基地“Fab8”導(dǎo)入EUV曝光量產(chǎn)裝置，2014年下半年～2015年開(kāi)始進(jìn)行元件量產(chǎn)。早期的量產(chǎn)將不導(dǎo)入元件試制裝置（pre-production tool），而是從一開(kāi)始就導(dǎo)入量產(chǎn)裝置。另外，從2012年下半年開(kāi)始量產(chǎn)的20nm工藝通過(guò)液浸曝光的雙重圖形技術(shù)（Double Patterning）進(jìn)行支持。預(yù)計(jì)EUV曝光將應(yīng)用于16～15nm以下工藝。
產(chǎn)能擴(kuò)大方面，將像以前宣布的一樣，以德國(guó)“Fab1”產(chǎn)能達(dá)到8萬(wàn)片/月、美國(guó)Fab8達(dá)到6萬(wàn)片/月為目標(biāo)，繼續(xù)推進(jìn)300mm生產(chǎn)線(xiàn)的增產(chǎn)。此外還將提高200mm生產(chǎn)線(xiàn)的產(chǎn)能。200mm生產(chǎn)線(xiàn)方面，今后計(jì)劃致力于加速度傳感器和RF元件等MEMS元件的受托生產(chǎn)。另外，還計(jì)劃在2011年以后開(kāi)始提供包括TSV（硅通孔技術(shù)）在內(nèi)的三維安裝技術(shù)。（記者：大下 淳一）
GLOBALFOUNDRIES公司2010年1月與新加坡特許半導(dǎo)體公司（Chartered Semiconductor Manufacturing）進(jìn)行了業(yè)務(wù)整合，之后用一年的時(shí)間“成為了能為顧客提供全方位（Full-range）服務(wù)的國(guó)際型企業(yè)”（Grose）。最近，該公司正穩(wěn)步提高其在代工業(yè)界的地位，比如，宣布產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃，爭(zhēng)取到了瑞薩電子成為其最先進(jìn)工藝的客戶(hù)等。目前還在與東芝進(jìn)行生產(chǎn)委托相關(guān)交涉。今后將在以微細(xì)化為核心的技術(shù)開(kāi)發(fā)和產(chǎn)能兩方面，與業(yè)界第一的臺(tái)灣臺(tái)積電公司（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）展開(kāi)正面競(jìng)爭(zhēng)。
微細(xì)化方面，前不久GLOBALFOUNDRIES公司宣布已經(jīng)對(duì)28nm工藝的設(shè)計(jì)流程進(jìn)行了完善。該工藝采用了在晶體管制造工序中先制造金屬柵極(Metal-gate)的先柵極（Gate-first）方式高介電率（High-k）絕緣膜/金屬柵極。與TSMC等采用的后柵極（Gate-last）方式相比，能夠使28nm工藝的芯片面積縮小10～20％。
28nm工藝可提供SLP（低功耗）版，HP（高速）版，HPP（超高速）版等3種工藝。將與在CMOS工藝開(kāi)發(fā)方面進(jìn)行合作的“Common Platform Alliance”成員企業(yè)（美國(guó)IBM公司、韓國(guó)三星電子公司、意法半導(dǎo)體公司）同時(shí)，從2011年起開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。
GLOBALFOUNDRIES公司面向比28nm率先實(shí)現(xiàn)的32nm工藝，開(kāi)始進(jìn)行high-k柵極絕緣膜/金屬柵極技術(shù)的應(yīng)用。目前已經(jīng)在為美國(guó)AMD公司（Advanced Micro Devices）生產(chǎn)的微型傳感器制造中導(dǎo)入了該技術(shù)，已經(jīng)供貨數(shù)萬(wàn)個(gè)樣品芯片。
在28nm工藝之后，GLOBALFOUNDRIES計(jì)劃“跳過(guò)22nm工藝直接過(guò)渡到20nm工藝領(lǐng)域”（Grose）。這一戰(zhàn)略與TSMC相同。20nm工藝方面，目前正在與初期顧客進(jìn)行合作，2011年下半年將開(kāi)始提供少量芯片試制服務(wù)（Shuttle Service）。計(jì)劃從2012年下半年起開(kāi)始進(jìn)行少量量產(chǎn)。該工藝將新采用后柵極方式的high-k柵極絕緣膜/金屬柵極。改變28nm工藝的前柵極方式的理由在于“我們認(rèn)為顧客希望在20nm工藝中采用后柵極方式”（Grose）。該工藝中也準(zhǔn)備了SLP版和HP版等多個(gè)工藝。
作為微細(xì)化核心的光刻（lithography）技術(shù)方面，GLOBALFOUNDRIES在EUV（超紫外線(xiàn)）曝光的導(dǎo)入上表現(xiàn)出了積極的姿態(tài)。打算“成為EUV曝光量產(chǎn)裝置的首批用戶(hù)之一”（Grose）。計(jì)劃2012年下半年向美國(guó)生產(chǎn)基地“Fab8”導(dǎo)入EUV曝光量產(chǎn)裝置，2014年下半年～2015年開(kāi)始進(jìn)行元件量產(chǎn)。早期的量產(chǎn)將不導(dǎo)入元件試制裝置（pre-production tool），而是從一開(kāi)始就導(dǎo)入量產(chǎn)裝置。另外，從2012年下半年開(kāi)始量產(chǎn)的20nm工藝通過(guò)液浸曝光的雙重圖形技術(shù)（Double Patterning）進(jìn)行支持。預(yù)計(jì)EUV曝光將應(yīng)用于16～15nm以下工藝。
產(chǎn)能擴(kuò)大方面，將像以前宣布的一樣，以德國(guó)“Fab1”產(chǎn)能達(dá)到8萬(wàn)片/月、美國(guó)Fab8達(dá)到6萬(wàn)片/月為目標(biāo)，繼續(xù)推進(jìn)300mm生產(chǎn)線(xiàn)的增產(chǎn)。此外還將提高200mm生產(chǎn)線(xiàn)的產(chǎn)能。200mm生產(chǎn)線(xiàn)方面，今后計(jì)劃致力于加速度傳感器和RF元件等MEMS元件的受托生產(chǎn)。另外，還計(jì)劃在2011年以后開(kāi)始提供包括TSV（硅通孔技術(shù)）在內(nèi)的三維安裝技術(shù)。（記者：大下 淳一）
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