GLOBALFOUNDRIES公司CEO：“2012年下半年開始20nm工藝量產(chǎn)”
[導讀]美國知名半導體代工企業(yè)GLOBALFOUNDRIES公司2011年1月25日在東京召開了記者招待會，該公司首席執(zhí)行官（CEO）Douglas Grose公布了28～20nm工藝的量產(chǎn)和產(chǎn)能擴大計劃。28nm工藝方面，預定2011年4～6月進行首批顧客的送
美國知名半導體代工企業(yè)GLOBALFOUNDRIES公司2011年1月25日在東京召開了記者招待會，該公司首席執(zhí)行官（CEO）Douglas Grose公布了28～20nm工藝的量產(chǎn)和產(chǎn)能擴大計劃。28nm工藝方面，預定2011年4～6月進行首批顧客的送廠生產(chǎn)（Tape-out，接受設計數(shù)據(jù)）。28nm工藝的下一個全代工藝(Full-node)設定為20nm工藝，將于2012年下半年開始進行少量量產(chǎn)。關于2011年的設備投資，將投入相當于2010年兩倍的54億美元，用于擴大德國和美國生產(chǎn)基地的產(chǎn)能。該公司計劃在今后兩年內(nèi)，將總產(chǎn)能提高到原來的2倍。
GLOBALFOUNDRIES公司2010年1月與新加坡特許半導體公司（Chartered Semiconductor Manufacturing）進行了業(yè)務整合，之后用一年的時間“成為了能為顧客提供全方位（Full-range）服務的國際型企業(yè)”（Grose）。最近，該公司正穩(wěn)步提高其在代工業(yè)界的地位，比如，宣布產(chǎn)能擴張計劃，爭取到了瑞薩電子成為其最先進工藝的客戶等。目前還在與東芝進行生產(chǎn)委托相關交涉。今后將在以微細化為核心的技術開發(fā)和產(chǎn)能兩方面，與業(yè)界第一的臺灣臺積電公司（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）展開正面競爭。
微細化方面，前不久GLOBALFOUNDRIES公司宣布已經(jīng)對28nm工藝的設計流程進行了完善。該工藝采用了在晶體管制造工序中先制造金屬柵極(Metal-gate)的先柵極（Gate-first）方式高介電率（High-k）絕緣膜/金屬柵極。與TSMC等采用的后柵極（Gate-last）方式相比，能夠使28nm工藝的芯片面積縮小10～20％。
28nm工藝可提供SLP（低功耗）版，HP（高速）版，HPP（超高速）版等3種工藝。將與在CMOS工藝開發(fā)方面進行合作的“Common Platform Alliance”成員企業(yè)（美國IBM公司、韓國三星電子公司、意法半導體公司）同時，從2011年起開始進行量產(chǎn)。
GLOBALFOUNDRIES公司面向比28nm率先實現(xiàn)的32nm工藝，開始進行high-k柵極絕緣膜/金屬柵極技術的應用。目前已經(jīng)在為美國AMD公司（Advanced Micro Devices）生產(chǎn)的微型傳感器制造中導入了該技術，已經(jīng)供貨數(shù)萬個樣品芯片。
在28nm工藝之后，GLOBALFOUNDRIES計劃“跳過22nm工藝直接過渡到20nm工藝領域”（Grose）。這一戰(zhàn)略與TSMC相同。20nm工藝方面，目前正在與初期顧客進行合作，2011年下半年將開始提供少量芯片試制服務（Shuttle Service）。計劃從2012年下半年起開始進行少量量產(chǎn)。該工藝將新采用后柵極方式的high-k柵極絕緣膜/金屬柵極。改變28nm工藝的前柵極方式的理由在于“我們認為顧客希望在20nm工藝中采用后柵極方式”（Grose）。該工藝中也準備了SLP版和HP版等多個工藝。
作為微細化核心的光刻（lithography）技術方面，GLOBALFOUNDRIES在EUV（超紫外線）曝光的導入上表現(xiàn)出了積極的姿態(tài)。打算“成為EUV曝光量產(chǎn)裝置的首批用戶之一”（Grose）。計劃2012年下半年向美國生產(chǎn)基地“Fab8”導入EUV曝光量產(chǎn)裝置，2014年下半年～2015年開始進行元件量產(chǎn)。早期的量產(chǎn)將不導入元件試制裝置（pre-production tool），而是從一開始就導入量產(chǎn)裝置。另外，從2012年下半年開始量產(chǎn)的20nm工藝通過液浸曝光的雙重圖形技術（Double Patterning）進行支持。預計EUV曝光將應用于16～15nm以下工藝。
產(chǎn)能擴大方面，將像以前宣布的一樣，以德國“Fab1”產(chǎn)能達到8萬片/月、美國Fab8達到6萬片/月為目標，繼續(xù)推進300mm生產(chǎn)線的增產(chǎn)。此外還將提高200mm生產(chǎn)線的產(chǎn)能。200mm生產(chǎn)線方面，今后計劃致力于加速度傳感器和RF元件等MEMS元件的受托生產(chǎn)。另外，還計劃在2011年以后開始提供包括TSV（硅通孔技術）在內(nèi)的三維安裝技術。（記者：大下 淳一）
GLOBALFOUNDRIES公司2010年1月與新加坡特許半導體公司（Chartered Semiconductor Manufacturing）進行了業(yè)務整合，之后用一年的時間“成為了能為顧客提供全方位（Full-range）服務的國際型企業(yè)”（Grose）。最近，該公司正穩(wěn)步提高其在代工業(yè)界的地位，比如，宣布產(chǎn)能擴張計劃，爭取到了瑞薩電子成為其最先進工藝的客戶等。目前還在與東芝進行生產(chǎn)委托相關交涉。今后將在以微細化為核心的技術開發(fā)和產(chǎn)能兩方面，與業(yè)界第一的臺灣臺積電公司（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）展開正面競爭。
微細化方面，前不久GLOBALFOUNDRIES公司宣布已經(jīng)對28nm工藝的設計流程進行了完善。該工藝采用了在晶體管制造工序中先制造金屬柵極(Metal-gate)的先柵極（Gate-first）方式高介電率（High-k）絕緣膜/金屬柵極。與TSMC等采用的后柵極（Gate-last）方式相比，能夠使28nm工藝的芯片面積縮小10～20％。
28nm工藝可提供SLP（低功耗）版，HP（高速）版，HPP（超高速）版等3種工藝。將與在CMOS工藝開發(fā)方面進行合作的“Common Platform Alliance”成員企業(yè)（美國IBM公司、韓國三星電子公司、意法半導體公司）同時，從2011年起開始進行量產(chǎn)。
GLOBALFOUNDRIES公司面向比28nm率先實現(xiàn)的32nm工藝，開始進行high-k柵極絕緣膜/金屬柵極技術的應用。目前已經(jīng)在為美國AMD公司（Advanced Micro Devices）生產(chǎn)的微型傳感器制造中導入了該技術，已經(jīng)供貨數(shù)萬個樣品芯片。
在28nm工藝之后，GLOBALFOUNDRIES計劃“跳過22nm工藝直接過渡到20nm工藝領域”（Grose）。這一戰(zhàn)略與TSMC相同。20nm工藝方面，目前正在與初期顧客進行合作，2011年下半年將開始提供少量芯片試制服務（Shuttle Service）。計劃從2012年下半年起開始進行少量量產(chǎn)。該工藝將新采用后柵極方式的high-k柵極絕緣膜/金屬柵極。改變28nm工藝的前柵極方式的理由在于“我們認為顧客希望在20nm工藝中采用后柵極方式”（Grose）。該工藝中也準備了SLP版和HP版等多個工藝。
作為微細化核心的光刻（lithography）技術方面，GLOBALFOUNDRIES在EUV（超紫外線）曝光的導入上表現(xiàn)出了積極的姿態(tài)。打算“成為EUV曝光量產(chǎn)裝置的首批用戶之一”（Grose）。計劃2012年下半年向美國生產(chǎn)基地“Fab8”導入EUV曝光量產(chǎn)裝置，2014年下半年～2015年開始進行元件量產(chǎn)。早期的量產(chǎn)將不導入元件試制裝置（pre-production tool），而是從一開始就導入量產(chǎn)裝置。另外，從2012年下半年開始量產(chǎn)的20nm工藝通過液浸曝光的雙重圖形技術（Double Patterning）進行支持。預計EUV曝光將應用于16～15nm以下工藝。
產(chǎn)能擴大方面，將像以前宣布的一樣，以德國“Fab1”產(chǎn)能達到8萬片/月、美國Fab8達到6萬片/月為目標，繼續(xù)推進300mm生產(chǎn)線的增產(chǎn)。此外還將提高200mm生產(chǎn)線的產(chǎn)能。200mm生產(chǎn)線方面，今后計劃致力于加速度傳感器和RF元件等MEMS元件的受托生產(chǎn)。另外，還計劃在2011年以后開始提供包括TSV（硅通孔技術）在內(nèi)的三維安裝技術。（記者：大下 淳一）
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