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[導(dǎo)讀]富士電機開發(fā)完成了用于SiC功率半導(dǎo)體元件(以下:功率元件)的新封裝。據(jù)富士電機介紹,體積約為原來Si功率元件封裝的1/4。另外,通過采用無需引線鍵合的布線技術(shù)、低熱電阻的絕緣底板及耐熱性較高的封裝樹脂等,實

富士電機開發(fā)完成了用于SiC功率半導(dǎo)體元件(以下:功率元件)的新封裝。據(jù)富士電機介紹,體積約為原來Si功率元件封裝的1/4。另外,通過采用無需引線鍵合的布線技術(shù)、低熱電阻的絕緣底板及耐熱性較高的封裝樹脂等,實現(xiàn)了小型化,并提高了可靠性。

富士電機還利用該封裝,開發(fā)出了并聯(lián)設(shè)置多個SiC肖特基勢壘二極管(SBD)的功率模塊。耐壓為1200V,輸出電流為400A左右。通過分散配置SBD,提高了散熱性。

富士電機計劃利用此次開發(fā)的封裝,推進配備SiC制SBD及MOSFET的模塊開發(fā),并面向太陽能發(fā)電系統(tǒng)及混合動力車等多個領(lǐng)域推廣應(yīng)用。另外,富士電機預(yù)定2010年度內(nèi)樣品供貨SiC制SBD,2011年度內(nèi)樣品供貨MOSFET。(記者:根津 禎)

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