DRAM價(jià)格加速下滑也不能嚇阻廠商加大明年供貨
[導(dǎo)讀]2009年第二季全球景氣在歷經(jīng)金融海嘯沖擊后自谷底逐季攀升，DRAM價(jià)格亦伴隨景氣回復(fù)同步自谷底走揚(yáng)。DIGITIMESResearch分析師柴煥欣說明，2006年以來，包括臺(tái)、美、日等DRAM廠即因產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下跌而處于長期虧損窘境
2009年第二季全球景氣在歷經(jīng)金融海嘯沖擊后自谷底逐季攀升，DRAM價(jià)格亦伴隨景氣回復(fù)同步自谷底走揚(yáng)。
DIGITIMESResearch分析師柴煥欣說明，2006年以來，包括臺(tái)、美、日等DRAM廠即因產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下跌而處于長期虧損窘境；在金融海嘯期間，更因不耐景氣嚴(yán)寒，除削減資本支出、停止原先擴(kuò)廠計(jì)劃外，亦先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)廠等策略因應(yīng)，為的就是保有手中現(xiàn)金。
至2009年第四季前，DRAM廠商對景氣展望仍相當(dāng)保守，加上缺乏足夠現(xiàn)金部位提供購料投片，即使面對來自PC市場需求逐季升溫，DRAM供給增加亦相對有限，這也是DRAM價(jià)格自2009年第二季至2010年第二季之間，得以維持將近5季榮景的重要原因。
然而，2010年第二季以來，先有三星電子(SamsungElectronics)宣布26兆韓元的投資計(jì)劃，率先將30納米制程導(dǎo)入量產(chǎn)，并大幅擴(kuò)充內(nèi)存產(chǎn)能；加上歐債風(fēng)暴影響，來自PC市場對DRAM的需求頓時(shí)減弱，兩大因素亦使得DRAM價(jià)格加速下滑，1GbDDR3現(xiàn)貨價(jià)從2010年第二季的3.08美元，跌至2010年第四季1.16美元，跌幅達(dá)62%，且至12月都尚未見到止跌回穩(wěn)的跡象。
柴煥欣分析，事實(shí)上，除三星以外的主要DRAM廠，在產(chǎn)能擴(kuò)充的腳步都顯得相當(dāng)保守，但隨先進(jìn)制程占產(chǎn)出比重提高，產(chǎn)能依然出現(xiàn)明顯成長，以65納米制程升級至50納米制程，產(chǎn)能即可增加50%，從50納米制程轉(zhuǎn)換至40納米制程，產(chǎn)能將更進(jìn)一步成長45%。
依據(jù)各DRAM廠所開出產(chǎn)能分析，柴煥欣預(yù)估，2010年全球DRAM位供給量將達(dá)20.4億Gb，較2009年的13.6億Gb成長49.4%。2011年全球DRAM位供給量將達(dá)32.3億Gb，較2010年的20.4億Gb更進(jìn)一步成長58.8%，2011年DRAM位供給量大幅成長的原因則來自于先進(jìn)制程的升級，其次才是來自于產(chǎn)能擴(kuò)增。
包括美光、南科、華亞科、瑞晶、爾必達(dá)等DRAM大廠，45/40納米制程產(chǎn)能將于2011年大量開出，且先進(jìn)制程占營收比重將會(huì)逐季提高，柴煥欣認(rèn)為，這意味著2008年下半以來DRAM控制產(chǎn)能擴(kuò)張的時(shí)期將告一段落，轉(zhuǎn)而進(jìn)入通過制程升級來擴(kuò)張產(chǎn)能的新時(shí)期，這也將會(huì)是影響2011年全球DRAM市場景氣榮枯的最關(guān)鍵因素。
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DIGITIMESResearch分析師柴煥欣說明，2006年以來，包括臺(tái)、美、日等DRAM廠即因產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下跌而處于長期虧損窘境；在金融海嘯期間，更因不耐景氣嚴(yán)寒，除削減資本支出、停止原先擴(kuò)廠計(jì)劃外，亦先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)廠等策略因應(yīng)，為的就是保有手中現(xiàn)金。
至2009年第四季前，DRAM廠商對景氣展望仍相當(dāng)保守，加上缺乏足夠現(xiàn)金部位提供購料投片，即使面對來自PC市場需求逐季升溫，DRAM供給增加亦相對有限，這也是DRAM價(jià)格自2009年第二季至2010年第二季之間，得以維持將近5季榮景的重要原因。
然而，2010年第二季以來，先有三星電子(SamsungElectronics)宣布26兆韓元的投資計(jì)劃，率先將30納米制程導(dǎo)入量產(chǎn)，并大幅擴(kuò)充內(nèi)存產(chǎn)能；加上歐債風(fēng)暴影響，來自PC市場對DRAM的需求頓時(shí)減弱，兩大因素亦使得DRAM價(jià)格加速下滑，1GbDDR3現(xiàn)貨價(jià)從2010年第二季的3.08美元，跌至2010年第四季1.16美元，跌幅達(dá)62%，且至12月都尚未見到止跌回穩(wěn)的跡象。
柴煥欣分析，事實(shí)上，除三星以外的主要DRAM廠，在產(chǎn)能擴(kuò)充的腳步都顯得相當(dāng)保守，但隨先進(jìn)制程占產(chǎn)出比重提高，產(chǎn)能依然出現(xiàn)明顯成長，以65納米制程升級至50納米制程，產(chǎn)能即可增加50%，從50納米制程轉(zhuǎn)換至40納米制程，產(chǎn)能將更進(jìn)一步成長45%。
依據(jù)各DRAM廠所開出產(chǎn)能分析，柴煥欣預(yù)估，2010年全球DRAM位供給量將達(dá)20.4億Gb，較2009年的13.6億Gb成長49.4%。2011年全球DRAM位供給量將達(dá)32.3億Gb，較2010年的20.4億Gb更進(jìn)一步成長58.8%，2011年DRAM位供給量大幅成長的原因則來自于先進(jìn)制程的升級，其次才是來自于產(chǎn)能擴(kuò)增。
包括美光、南科、華亞科、瑞晶、爾必達(dá)等DRAM大廠，45/40納米制程產(chǎn)能將于2011年大量開出，且先進(jìn)制程占營收比重將會(huì)逐季提高，柴煥欣認(rèn)為，這意味著2008年下半以來DRAM控制產(chǎn)能擴(kuò)張的時(shí)期將告一段落，轉(zhuǎn)而進(jìn)入通過制程升級來擴(kuò)張產(chǎn)能的新時(shí)期，這也將會(huì)是影響2011年全球DRAM市場景氣榮枯的最關(guān)鍵因素。
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