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[導(dǎo)讀]美系存儲器大廠美光(Micron)5月底才宣布,第3代低延遲RLDRAM3(ReducedLatencyDRAM)已開始送樣,預(yù)計2011年下半可進(jìn)入量產(chǎn),日前正式宣布打入阿爾卡特朗訊下世代網(wǎng)通產(chǎn)品供應(yīng)鏈,阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延遲RL

美系存儲器大廠美光(Micron)5月底才宣布,第3代低延遲RLDRAM3(ReducedLatencyDRAM)已開始送樣,預(yù)計2011年下半可進(jìn)入量產(chǎn),日前正式宣布打入阿爾卡特朗訊下世代網(wǎng)通產(chǎn)品供應(yīng)鏈,阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延遲RLDRAM3存儲器芯片,支持業(yè)界第1個400Gb芯片組。

第3代低延遲RLDRAM3主要是針對網(wǎng)絡(luò)通訊客戶所設(shè)計,因應(yīng)全球網(wǎng)絡(luò)通訊需求升溫,為讓網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)備有更多資料傳輸且加速傳輸?shù)男?,?代低延遲RLDRAM3應(yīng)運(yùn)而生。

美光在2010年中時,就開始準(zhǔn)備第3代低延遲RLDRAM3,5月底宣布正式開始送樣給客戶,并準(zhǔn)備在下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

美光日前也宣布,第3代低延遲RLDRAM3正式獲得阿爾卡特朗訊采用,將用于下世代網(wǎng)通產(chǎn)品,阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延遲RLDRAM3存儲器芯片,支持業(yè)界第1個400Gb芯片組。

美光第3代低延遲RLDRAM3存儲器芯片優(yōu)勢在于,網(wǎng)絡(luò)的傳輸快速且效率更高達(dá)76.8Gb/s,最低延遲時間為10ns(nanosecond),這些特色都有助于網(wǎng)通領(lǐng)域客戶的需求。

相較于第2代產(chǎn)品,美光第3代低延遲RLDRAM3存儲器芯片在傳輸速度、存儲器容量、延遲性、耗電量等方面也都有改善,預(yù)計將于2011年下半開始,生產(chǎn)第3代低延遲RLDRAM3。

美光預(yù)計,隨著第3代低延遲RLDRAM3不斷的改善和提升效能,將更符合網(wǎng)通客戶對于傳輸數(shù)據(jù)量、優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、處理復(fù)雜基礎(chǔ)建設(shè)、降低延遲率上的需求。

美光日前才公布2011會計年度第3季(2011年3~5月)財報,營收和獲利都呈現(xiàn)衰退且低于市場預(yù)期,主要是筆記本電腦(NB)和桌上型計算機(jī)(DT)需求都持續(xù)低迷所致,美光也致力轉(zhuǎn)移至其它應(yīng)用領(lǐng)域上,除了上述網(wǎng)通產(chǎn)品外,還包括服務(wù)器、平板計算機(jī)、智能型手機(jī)等應(yīng)用。

美光2011年第3季凈利為7,500萬美元,每股盈余0.07美元,相較2010年同期凈利為9.39億美元,EPS達(dá)0.92美元,凈利衰退超過90%。而美光上季營收21.4億美元,也較2010年同期減少了6.5%。

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