[導(dǎo)讀]全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量,由于浸潤式機臺(ImmersionScanner)遞延交貨之故,瑞晶已松口表示,原本計劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進45納米制程的目標(biāo),將正式遞延至2011年第1季,其第1臺浸潤式機臺本周
全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量,由于浸潤式機臺(ImmersionScanner)遞延交貨之故,瑞晶已松口表示,原本計劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進45納米制程的目標(biāo),將正式遞延至2011年第1季,其第1臺浸潤式機臺本周才會正式到貨,比原訂時程晚了2~3個月,內(nèi)部已決定將8萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進63納米制程作為應(yīng)變。DRAM業(yè)者皆認為,全球DRAM產(chǎn)業(yè)的40納米正式對決時間點,會是在2011年!
瑞晶總經(jīng)理陳正坤表示,瑞晶第1臺浸潤式機臺將于本周正式到貨,預(yù)計在9月之前會有5~6臺浸潤式機臺進來,屆時將加快轉(zhuǎn)進45納米制程的速度。
陳正坤進一步指出,三星電子(SamsungElectronics)這次在40納米世代的技術(shù)再度超前,其實是臺系DRAM廠和美日同業(yè)都遇到相同的瓶頸,其中大部分都是卡在浸潤式機臺遞延交貨之故。
根據(jù)DRAM業(yè)者透露,三星早在2009年初就開始預(yù)定浸潤式機臺,加上東芝(Toshiba)、臺積電等半導(dǎo)體大廠在50納米以下制程,也都需要浸潤式機臺,2009年臺系DRAM廠因為財務(wù)缺口還身陷泥淖,現(xiàn)在面對機臺遞延的狀況,只能無奈接受。
不過,瑞晶為了彌補45納米制程進度遞延,內(nèi)部也決定將旗下8萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進63納米制程,原本內(nèi)部計劃只轉(zhuǎn)一部分,另一部分要從65納米直接跳45納米,但依據(jù)現(xiàn)在情勢發(fā)展,瑞晶已決定加速全轉(zhuǎn)進63納米制程,才能趕上下半年個人計算機(PC)傳統(tǒng)旺季。
陳正坤表示,目前63納米已開始大量投片,預(yù)計6月有30%產(chǎn)出會是63納米制程產(chǎn)品,7月就會全線轉(zhuǎn)進63納米制程,等下半年浸潤式機臺陸續(xù)到位后,會再逐漸轉(zhuǎn)進45納米制程。
瑞晶原本計劃在2010年底之前,旗下12寸晶圓廠8萬片產(chǎn)能會全轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)進45納米制程,但因為浸潤式機臺交貨的時間點比預(yù)期晚上2~3個月,因此內(nèi)部經(jīng)過評估,年底前8萬片全轉(zhuǎn)45納米制程的目標(biāo)無法達陣,將會遞延1季,預(yù)計要到2011年第1季才會全轉(zhuǎn)完。
此外,力晶下半年也將加入45納米制程大戰(zhàn),但投片和量產(chǎn)的時間點大約會比瑞晶晚上1季。
在南亞科和華亞科陣營方面,則仍是預(yù)定下半年會轉(zhuǎn)進42納米制程,此技術(shù)是由美光(Micron)和南亞科共同研發(fā)。
再者,韓系大廠在40納米世代制程進度上,仍是呈現(xiàn)領(lǐng)先態(tài)勢,三星和海力士(Hynix)將分別轉(zhuǎn)進46納米和44納米制程,下半年可望大量出貨,但全球真正40納米世代之戰(zhàn),時間點會是在2011年,屆時登場的主流產(chǎn)品會是2Gb容量的DDR3芯片。
本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點,本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請及時聯(lián)系本站刪除。
(全球TMT2022年10月18日訊)10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗證,可在驍龍(Snapdragon?)移動平臺上使用,該內(nèi)存速度可達到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過...
關(guān)鍵字:
DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲器需求明顯下滑而延緩采購,導(dǎo)致供應(yīng)商庫存壓力進一步升高。同時,各DRAM供應(yīng)...
關(guān)鍵字:
消費性
DRAM
智能手機
- 在驍龍(Snapdragon)移動平臺上,三星以8.5Gbps的運行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗證,為LPDDR(移動端)內(nèi)存打開了新市場。 深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日,三...
關(guān)鍵字:
DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會上公布了未來的3大規(guī)劃方向,其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無晶圓廠的整體解決方案。
關(guān)鍵字:
存儲
三星
NAND
DRAM
據(jù)韓媒報道,在日前舉辦的行業(yè)活動上,IDC韓國副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計,存儲半導(dǎo)體市場的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示,今年的市場需求較最初預(yù)期更為糟糕,預(yù)計來年三季度DRAM和NAN...
關(guān)鍵字:
SSD
DRAM
IDC
INSIGHT
與其他類型的半導(dǎo)體相比,存儲芯片的競爭廠商數(shù)量更多,而且芯片本身的差異化程度較低,這使得存儲芯片更加商品化,對需求變化也就更加敏感。存儲芯片通常是第一個感受到需求變化并出現(xiàn)價格下跌的組件。
關(guān)鍵字:
存儲芯片
半導(dǎo)體
DRAM
Sep. 22, 2022 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲器需求明顯下滑而延緩采購,導(dǎo)致供應(yīng)商庫...
關(guān)鍵字:
TrendForce集邦咨詢
DRAM
(全球TMT2022年9月22日訊)DRAM市場出現(xiàn)急劇下滑 研究機構(gòu)IC Insights日前表示,DRAM市場出現(xiàn)急劇下滑。6月份全球DRAM產(chǎn)品銷售額環(huán)比下滑36%,7月份再次環(huán)比下滑21%,較5月...
關(guān)鍵字:
DRAM
可持續(xù)發(fā)展
INSIGHT
手機
Aug. 29, 2022 ---- 由于過去兩年疫情造成生活形態(tài)改變,遠程教育需求增長,電子產(chǎn)品銷售暢旺,帶動DRAM模組的出貨增長,據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計,2021年全球DRAM模組市場整體銷售額達181...
關(guān)鍵字:
TrendForce集邦咨詢
DRAM
8月20日消息,據(jù)國外媒體報道,在消費電子產(chǎn)品領(lǐng)域業(yè)務(wù)廣泛的三星電子,在終端產(chǎn)品及關(guān)鍵零部件方面都實力強勁,他們也是當(dāng)前全球最大的存儲芯片制造商,在DRAM和NAND閃存市場的份額都遠高于其他廠商。
關(guān)鍵字:
三星
DRAM
面板
存儲器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支,約占全球半導(dǎo)體市場的四分之一至三分之一。存儲器已經(jīng)形成主要由DRAM與Flash構(gòu)成的超千億美元的市場。盡管存儲器產(chǎn)品品類眾多,但從產(chǎn)品營收貢獻的角度來看,DRAM和Flash(NAND、N...
關(guān)鍵字:
ReRAM
DRAM
NAND
JSR株式會社(JSR Corporation)今天宣布加速與SK hynix Inc.的合作開發(fā)進程,以便將JSR旗下公司Inpria的極紫外光刻(EUV)金屬氧化物抗蝕劑(MOR)應(yīng)用于制造先進的DRAM芯片。Inp...
關(guān)鍵字:
DRAM
金屬氧化物抗蝕劑
EUV
(全球TMT2022年6月9日訊)SK海力士宣布公司開始量產(chǎn)HBM3 -- 擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的DRAM。HBM (High Bandwidth Memory,高帶寬存儲器):是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合...
關(guān)鍵字:
DRAM
英偉達
SK海力士
HB
毫無疑問,中國是半導(dǎo)體的最大消費國,占全球芯片需求量的45%,供內(nèi)需與外銷之用。然而,中國90%以上的芯片需求仰賴進口集成電路。
關(guān)鍵字:
半導(dǎo)體
設(shè)備
光刻
與以往版本相比,新開發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍,從而讓服務(wù)器擴展至數(shù)十TB,而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一 三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本,以推動CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署 深圳2022年5...
關(guān)鍵字:
DRAM
三星
內(nèi)存
擴展器
(全球TMT2022年4月27日訊)SK海力士發(fā)布截至2022年3月31日的2022財年第一季度財務(wù)報告。公司2022財年第一季度結(jié)合并收入為12.156萬億韓元,營業(yè)利潤為2.860萬億韓元,凈利潤為1.983萬億韓...
關(guān)鍵字:
SK海力士
DRAM
NAND
SOLID
結(jié)合并收入12.156萬億韓元,營業(yè)利潤2.860萬億韓元,凈利潤1.983萬億韓元 第一季度為準(zhǔn)營收創(chuàng)歷史新高,相比2018年第一季度大幅增加3萬億韓元以上 "存儲器產(chǎn)業(yè)變動性減...
關(guān)鍵字:
SK海力士
存儲器
COM
DRAM
(全球TMT2022年3月3日訊)三星宣布,高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM,并應(yīng)用于高...
關(guān)鍵字:
移動平臺
三星
DRAM
近年來,數(shù)據(jù)與新型服務(wù)在數(shù)量和類型方面均呈指數(shù)級增長,帶動數(shù)據(jù)中心與相關(guān)云基礎(chǔ)設(shè)施方面支出的大幅增長。但要從寶貴的數(shù)據(jù)中獲取價值和洞察,人工智能(AI)工作負載的發(fā)展是關(guān)鍵所在。因此,企業(yè)越來越注重構(gòu)建能夠幫助他們滿足這...
關(guān)鍵字:
美光
數(shù)據(jù)中心
人工智能
DRAM
緩存(cache),原始意義是指訪問速度比一般隨機存取存儲器(RAM)快的一種高速存儲器,通常它不像系統(tǒng)主存那樣使用DRAM技術(shù),而使用昂貴但較快速的SRAM技術(shù)。緩存的設(shè)置是所有現(xiàn)代計算機系統(tǒng)發(fā)揮高性能的重要因素之一。
關(guān)鍵字:
緩存
RAM
DRAM