來自英國Glasgow大學(xué)的研究人員宣布研發(fā)出有史以來最小的鉆石晶體管(diamondtransistor),其閘長度(gatelengths)只有50奈米(nm)。領(lǐng)導(dǎo)研究團(tuán)隊的該校電子電機(jī)系DavidMoran博士表示,這種晶體管僅有日本電信集團(tuán)NTT所發(fā)明的、上一代號稱最小鉆石晶體管的一半。
研究人員表示,由于鉆石擁有許多特性,包括大能隙(bandgap)、高內(nèi)部遷移性、以及高溫傳導(dǎo)性等,很適合做為未來奈米級電子組件的材料,也能有助于諸如兆赫(terahertz)成像與汽車碰撞偵測等等新興技術(shù)的開發(fā)。
Moran表示,上述應(yīng)用需要速度非??烨依硐氲母吖β示w管技術(shù),且能在惡劣的天候/氣溫狀態(tài)下運作,而鉆石晶體管在這些應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。鉆石材料是透過英國供貨商ElementSix旗下子公司DiamondMicrowaveDevices的化學(xué)氣相沉積技術(shù),以合成方式應(yīng)用在該種組件中。
此外Moran也表示,該研究團(tuán)隊的目標(biāo)是制造出具備比砷化鎵晶體管頻率更高、功率更高的穩(wěn)定組件,并將該種小型晶體管的運作頻率拉升到100GHz左右;接下來則是透過增加該組件的總閘長度來強(qiáng)化電源管理能力。
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